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公开(公告)号：CN107316796A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710061655.3
申请日：2017-01-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32009 , H01J37/32449 , H01L21/0273 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/82 , H01L22/12
摘要： 本揭露提供一种基于等离子体的制程机台，包含外壳与气体分布板。外壳界定出处理室且包含用以接收处理气体的气体入口。气体分布板设置于处理室中且用以在处理室内分布处理气体。气体分布板包含延伸贯穿气体分布板的多个孔洞，且更包含这些孔洞被分组而成的多个区块。这些区块包含第一区块和第二区块。第一区块的孔洞具有第一剖面。第二区块的孔洞具有不同于第一剖面的第二剖面。
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公开(公告)号：CN110783163A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910695394.X
申请日：2019-07-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种使用一气体挡板控制晶圆均匀性的装置及方法。在一范例中，公开有用于基于等离子体的制程的一装置。此装置包括：一壳体及一挡板。壳体定义一加工腔室。挡板安排在加工腔室中的一晶圆上方。挡板配置以控制在晶圆上的等离子体分布。挡板具有一圆环的一形状，包括一第一圆环区及一第二圆环区。第一圆环区具有一第一内半径。第二圆环区具有不同于第一内半径的一第二内半径。
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公开(公告)号：CN113880039A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110747766.6
申请日：2021-07-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种微机电系统器件能够形成为在微机电系统器件的器件晶片的一或多个可移动微机电系统结构上包含抗静摩擦多晶硅层以降低、最小化及/或消除可移动微机电系统结构与微机电系统器件的其它组件或结构之间的静摩擦。抗静摩擦多晶硅层能够形成为使得抗静摩擦多晶硅层的表面粗糙度大于将与微机电系统器件的电路晶片接合的器件晶片的表面上的接合多晶硅层的表面粗糙度。抗静摩擦多晶硅层的较高表面粗糙度能够减小可移动微机电系统结构的底部的表面积，这能够降低一或多个可移动微机电系统结构将粘附到其它组件或结构的可能性。
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公开(公告)号：CN109786237B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201811333215.X
申请日：2018-11-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , B81C1/00
摘要： 提供了包括以下步骤的制造半导体结构的方法。在半导体衬底上形成掩模层。各向异性地蚀刻由掩模层露出的半导体衬底，直至在半导体衬底中形成腔体，其中，各向异性地蚀刻由掩模层露出的半导体衬底包括实施多个第一循环以及在实施第一循环之后实施多个第二循环，第一和第二循环中的每个循环分别包括实施钝化步骤以及在实施钝化步骤之后实施蚀刻步骤。在第一循环期间，蚀刻步骤与钝化步骤的第一持续时间比率是可变的并且逐步增加。在第二循环期间，蚀刻步骤与钝化步骤的第二持续时间比率是恒定的，并且第一持续时间比率小于第二持续时间比率。本发明实施例涉及制造半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN110783164A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910702423.0
申请日：2019-07-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本公开提供一种电浆为主的工艺所用的装置。装置包括壳体定义工艺腔室，以及气体分布板配置于工艺腔室中。壳体包括气体入口，设置以接收工艺气体，以及气体出口，设置以排出工艺后的气体。气体分布板设置以分布工艺气体于工艺腔室中。气体分布板具有多个孔洞平均分布其上。气体分布板包括第一区与第二区。第一区比第二区靠近气体出口。第一区中的至少一孔洞关闭。
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公开(公告)号：CN109786237A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811333215.X
申请日：2018-11-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , B81C1/00
摘要： 提供了包括以下步骤的制造半导体结构的方法。在半导体衬底上形成掩模层。各向异性地蚀刻由掩模层露出的半导体衬底，直至在半导体衬底中形成腔体，其中，各向异性地蚀刻由掩模层露出的半导体衬底包括实施多个第一循环以及在实施第一循环之后实施多个第二循环，第一和第二循环中的每个循环分别包括实施钝化步骤以及在实施钝化步骤之后实施蚀刻步骤。在第一循环期间，蚀刻步骤与钝化步骤的第一持续时间比率是可变的并且逐步增加。在第二循环期间，蚀刻步骤与钝化步骤的第二持续时间比率是恒定的，并且第一持续时间比率小于第二持续时间比率。本发明实施例涉及制造半导体结构的方法。
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