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公开(公告)号：CN109841618A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810521136.5
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
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公开(公告)号：CN109727977B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810376849.7
申请日：2018-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/78
Abstract: 本发明描述了切割栅极结构和鳍的方法以及由此形成的结构。在实施例中，衬底包括第一鳍和第二鳍以及隔离区。第一鳍和第二鳍纵向平行延伸，隔离区设置在第一鳍和第二鳍之间。栅极结构包括位于第一鳍上方的共形栅极电介质和位于共形栅极电介质上方的栅电极。第一绝缘填充结构邻接栅极结构并且从栅极结构的上表面的层级垂直地至少延伸至隔离区的表面。共形栅极电介质的任何部分都不在第一绝缘填充结构和栅电极之间垂直延伸。第二绝缘填充结构邻接第一绝缘填充结构和第二鳍的端部侧壁。第一绝缘填充结构横向地设置在栅极结构和第二绝缘填充结构之间。本发明的实施例还提供了半导体结构切割方法及由此形成的半导体结构。
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公开(公告)号：CN109727977A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810376849.7
申请日：2018-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/78
Abstract: 本发明描述了切割栅极结构和鳍的方法以及由此形成的结构。在实施例中，衬底包括第一鳍和第二鳍以及隔离区。第一鳍和第二鳍纵向平行延伸，隔离区设置在第一鳍和第二鳍之间。栅极结构包括位于第一鳍上方的共形栅极电介质和位于共形栅极电介质上方的栅电极。第一绝缘填充结构邻接栅极结构并且从栅极结构的上表面的层级垂直地至少延伸至隔离区的表面。共形栅极电介质的任何部分都不在第一绝缘填充结构和栅电极之间垂直延伸。第二绝缘填充结构邻接第一绝缘填充结构和第二鳍的端部侧壁。第一绝缘填充结构横向地设置在栅极结构和第二绝缘填充结构之间。本发明的实施例还提供了半导体结构切割方法及由此形成的半导体结构。
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公开(公告)号：CN117542796A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311241953.2
申请日：2023-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H10B10/00
Abstract: 一种半导体结构的形成方法。示例性方法包括在基板上方形成第一晶体管结构和第二晶体管结构，其中每个晶体管结构包括至少一片纳米片。该方法还包括在每个晶体管结构上方和每个纳米片周围沉积金属；在金属上沉积涂层；在涂层上沉积掩模；图案化掩模以定义图案化掩模，其中图案化掩模位于涂层遮蔽部分和第二晶体管结构的上方，并且其中图案化掩模不位于涂层的未遮蔽部分和第一晶体管结构上方。该方法进一步包括使用具有从30到60(mTorr)的工艺压力的干式蚀刻工艺蚀刻涂层的未遮蔽部分和第一晶体管结构上方的金属。
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公开(公告)号：CN109841618B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810521136.5
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
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公开(公告)号：CN221551887U
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202322288294.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置，包含半导体鳍片。半导体装置包含于半导体鳍片上的多个第一分隔物。半导体装置包含于半导体鳍片上的金属栅极结构，其至少被多个第一分隔物夹在中间。半导体装置包含接触金属栅极结构的栅极电极。金属栅极结构和栅极电极之间的界面具有以第一距离向半导体鳍片延伸的侧边部分和以第二距离向半导体鳍片延伸的中央部分，第一距离实质上小于第二距离。
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公开(公告)号：CN222366547U
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202420548873.5
申请日：2024-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D64/27 , H01L23/538
Abstract: 提供一种半导体结构，包含主动区域以及导体栅极。导体栅极覆盖于主动区域，其中导体栅极包含塞以及衬垫。塞具有上表面，上表面具有W型轮廓并定义了最低点。衬垫覆盖于上表面，其中衬垫沿着具有栅极界面区域的栅极界面接触塞，其中塞在上表面的最低点的水平剖面具有塞剖面区域，且其中栅极界面区域大于塞剖面区域。
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公开(公告)号：CN221947164U
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202420432100.0
申请日：2024-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L27/092 , B82Y40/00
Abstract: 一种半导体装置，包含形成短通道装置及较长通道装置的栅极堆叠；在短通道装置及较长通道装置的栅极堆叠上方形成第一金属盖帽层，其中较长通道装置的第一金属盖帽层具有金属盖帽凹槽；在金属盖帽凹槽中形成第一介电盖帽层；移除短通道装置及较长通道装置的栅极堆叠及第一金属盖帽层的一部分；通过移除以在短通道装置中的间隔物之间形成第一通道凹槽且在较长通道装置中的间隔物与第一介电盖帽层之间形成第二通道凹槽；其中第一通道凹槽及第二通道凹槽中的每一者具有一宽度尺寸，且第一通道凹槽及第二通道凹槽的宽度尺寸之间的差值小于3nm。
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公开(公告)号：CN220895510U
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202322483844.3
申请日：2023-09-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体结构包含一主动区、一栅极材料层及一衬里。栅极材料层位于主动区且具有一凹入表面，其中凹入表面包括一第一边缘处的一第一角状物、一第二边缘处的一第二角状物及位于第一角状物与第二角状物之间的一谷。衬里覆盖该栅极材料层的该第一角状物、该第二角状物及该谷上方。
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