公开(公告)号：CN111128767B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201910106348.1

申请日：2019-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘志坚 ,  高金福 ,  郑礼辉 ,  卢思维

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L23/24

Abstract: 形成半导体器件的方法包括将第一半导体器件附接至衬底的第一表面；在第一半导体器件周围的衬底的第一表面上形成牺牲结构，牺牲结构环绕衬底的第一表面的第一区域；以及在第一区域中形成底部填充材料。本发明实施例涉及半导体器件和形成方法。

公开(公告)号：CN112670251A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202010093003.X

申请日：2020-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑礼辉 ,  高金福 ,  卢思维 ,  潘志坚

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 公开半导体封装及其形成方法。一种半导体封装包括管芯及底部填充胶。管芯设置在表面之上且包括第一侧壁。底部填充胶包封管芯。底部填充胶包括位于第一侧壁上的第一底部填充胶部分，且在剖视图中，第一底部填充胶部分的第二侧壁具有转折点。

公开(公告)号：CN113451285B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202011048755.0

申请日：2020-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志豪 ,  高金福 ,  郑礼辉 ,  卢思维 ,  潘志坚

IPC: H10B80/00 ,  H01L21/98 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括第一管芯、第二管芯、中介层、底部填充层、热界面材料及粘合剂图案。所述第一管芯及所述第二管芯并排设置在所述中介层上。所述底部填充层设置在所述第一管芯与所述第二管芯之间。所述热界面材料设置在所述第一管芯、所述第二管芯及所述底部填充层上。所述粘合剂图案设置在所述底部填充层与所述热界面材料之间，以将所述底部填充层与所述热界面材料分隔开。

公开(公告)号：CN110942999B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201910891683.7

申请日：2019-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘志坚 ,  郑礼辉 ,  高金福 ,  卢思维

IPC: H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L23/10 ,  H01L23/24 ,  H01L23/485

Abstract: 在实施例中，封装件包括：中介层，具有第一侧；第一集成电路器件，附接到中介层的第一侧；第二集成电路器件，附接到中介层的第一侧；底部填充物，设置在第一集成电路器件和第二集成电路器件下方；以及密封剂，设置在第一集成电路器件和第二集成电路器件周围，密封剂的第一部分延伸穿过底部填充物，密封剂的第一部分物理地设置在第一集成电路器件和第二集成电路器件之间，密封剂的第一部分与底部填充物的边缘以及第一集成电路器件和第二集成电路器件的边缘是齐平的。本发明的实施例还涉及集成电路封装件和形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN112420525A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010849547.4

申请日：2020-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志豪 ,  潘志坚 ,  郑礼辉 ,  高金福 ,  卢思维

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 提供了一种形成封装结构的方法。形成封装结构的方法包括经由多个第一连接器将封装构件接合到基板的第一表面。封装构件包括中介层、在中介层上方的第一半导体晶粒以及第二半导体晶粒。形成封装结构的方法还包括在基板的第一表面上方形成阻挡结构。阻挡结构在封装构件周围并且与封装构件分离。形成封装结构的方法还包括在阻挡结构与封装构件之间形成底部填充层，以及在形成底部填充层之后去除阻挡结构。

公开(公告)号：CN110942999A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910891683.7

申请日：2019-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘志坚 ,  郑礼辉 ,  高金福 ,  卢思维

IPC: H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L23/10 ,  H01L23/24 ,  H01L23/485

Abstract: 在实施例中，封装件包括：中介层，具有第一侧；第一集成电路器件，附接到中介层的第一侧；第二集成电路器件，附接到中介层的第一侧；底部填充物，设置在第一集成电路器件和第二集成电路器件下方；以及密封剂，设置在第一集成电路器件和第二集成电路器件周围，密封剂的第一部分延伸穿过底部填充物，密封剂的第一部分物理地设置在第一集成电路器件和第二集成电路器件之间，密封剂的第一部分与底部填充物的边缘以及第一集成电路器件和第二集成电路器件的边缘是齐平的。本发明的实施例还涉及集成电路封装件和形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN118538688A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410188281.1

申请日：2024-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘志坚 ,  林育蔚 ,  王卜 ,  郑礼辉

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开的各种实施例涉及半导体封装和其制造方法。半导体封装包括衬底以及第一、第二和第三半导体元件，设置于衬底上并且电连接至衬底。热转移强化层、导热材料层和黏着材料层分别设置于第一、第二和第三半导体元件上并连接到第一、第二和第三半导体元件。盖片设置在第一、第二和第三半导体元件之上，并与热转移强化层、导热材料层和黏着材料层相连。导热材料层的热导率比热转移强化层的热导率低且比黏着材料层的热导率高，导热材料层的键结强度比热转移强化层的键结强度大且比黏着材料层的键结强度小。

公开(公告)号：CN118530700A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410427061.X

申请日：2024-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘志坚 ,  郑礼辉 ,  王卜

IPC: C09K5/14

Abstract: 本发明提供一种热界面材料及其制造方法。实施例热界面材料可以包括第一构件，其包括20W/cm·K和30W/cm·K之间的第一热导率，以及第二构件，其包括30W/cm·K和40W/cm·K之间的第二热导率。第一构件和第二构件中的每一个可以包括包含石墨、石墨烯、纳米碳管、金属和相变材料中的一种或多种的导热材料。举例来说，第一构件和第二构件中的每一个包括分散在高分子基质内的石墨，高分子基质可以包括氢化烃类树脂、聚丁烯、聚异丁烯和丙烯酸酯共聚物中的一种或多种。根据一实施例，第一构件可以包括40wt％至60wt％的石墨并且第二构件可以包括60wt％至70wt％的石墨。

公开(公告)号：CN113451285A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202011048755.0

申请日：2020-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志豪 ,  高金福 ,  郑礼辉 ,  卢思维 ,  潘志坚

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/98 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括第一管芯、第二管芯、中介层、底部填充层、热界面材料及粘合剂图案。所述第一管芯及所述第二管芯并排设置在所述中介层上。所述底部填充层设置在所述第一管芯与所述第二管芯之间。所述热界面材料设置在所述第一管芯、所述第二管芯及所述底部填充层上。所述粘合剂图案设置在所述底部填充层与所述热界面材料之间，以将所述底部填充层与所述热界面材料分隔开。

公开(公告)号：CN111128767A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910106348.1

申请日：2019-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘志坚 ,  高金福 ,  郑礼辉 ,  卢思维

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L23/24

Abstract: 形成半导体器件的方法包括将第一半导体器件附接至衬底的第一表面；在第一半导体器件周围的衬底的第一表面上形成牺牲结构，牺牲结构环绕衬底的第一表面的第一区域；以及在第一区域中形成底部填充材料。本发明实施例涉及半导体器件和形成方法。