公开(公告)号：CN109786274A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810789446.5

申请日：2018-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邹贤儒 ,  吴志伟 ,  林俊成 ,  王卜 ,  卢思维 ,  施应庆

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 为了减少或消除通孔的分层，将集成扇出叠层封装结构与去湿结构一起使用。在实施例中，去湿结构是通过施加第一晶种层和第二晶种层形成的钛环，以帮助制造通孔。然后将第一晶种层图案化成环结构，该环结构也暴露第一晶种层的至少部分。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN104659019A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410032176.5

申请日：2014-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王卜 ,  施应庆 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/08113 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2405 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明的一个实施例是一种结构，包括管芯以及至少横向地密封管芯的密封剂，在该管芯的表面上具有焊盘。穿过密封剂露出焊盘。该结构进一步包括位于密封剂和管芯上方的第一介电层、位于第一介电层上方的第一导电图案、以及位于第一导电图案和第一介电层上方的第二介电层。第一介电层和第二介电层对于管芯的焊盘有第一开口。该结构进一步包括位于第二介电层上方和第一开口内的第二导电图案。第二导电图案邻接第一开口内的第一介电层的侧壁和第一开口内的第二介电层的侧壁。本发明还包括扇出式封装结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN119833483A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411906013.5

申请日：2024-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蓝竣彦 ,  王裕勋 ,  王卜 ,  郑礼辉 ,  施应庆

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了芯片封装结构。芯片封装结构包括布线衬底。芯片封装结构包括位于布线衬底上方的芯片结构。芯片封装结构包括位于布线衬底上方并且围绕芯片结构的第一环结构，其中，第一环结构的第一热膨胀系数小于布线衬底的第二热膨胀系数。芯片封装结构包括位于第一环结构上方的防翘曲结构。防翘曲结构的第三热膨胀系数大于第一环结构的第一热膨胀系数。本公开的实施例还提供了形成芯片封装结构的方法。

公开(公告)号：CN114038842A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202110545334.7

申请日：2021-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志豪 ,  王卜 ,  郑礼辉 ,  卢思维

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种半导体器件以及制造方法，其中，从嵌入在密封剂内的半导体管芯去除粘合剂，并且利用界面材料从半导体器件去除热量。粘合剂的去除留下邻接半导体的侧壁的凹进，并且填充凹进。

公开(公告)号：CN109585368A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810199539.2

申请日：2018-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邹贤儒 ,  吴志伟 ,  王卜 ,  施应庆 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明实施例涉及半导体封装结构、半导体封装结构的形成方法以及半导体组装结构的形成方法。一种半导体封装结构包含第一封装结构组件，所述第一封装结构组件包含第一侧、与所述第一侧相对的第二侧及位于所述第一侧上方的多个凹陷拐角。所述半导体封装结构包含置于所述凹陷拐角处的多个第一应力缓冲结构，且各所述第一应力缓冲结构具有弯曲表面。所述半导体封装结构包含连接到所述第一封装结构组件的第二封装结构组件及放置于之间的多个连接件。所述半导体封装结构包含位于所述第一封装结构组件与所述第二封装结构组件之间的底胶材料，且所述第一应力缓冲结构的所述弯曲表面的至少一部分与所述底胶材料接触且嵌入于所述底胶材料中。

公开(公告)号：CN120015715A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510119105.7

申请日：2025-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘志坚 ,  王卜 ,  郑礼辉

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了封装结构。封装结构包括：衬底；封装组件，接合至衬底；盖，设置在封装组件和衬底上方；以及界面结构，夹置在封装组件之间。封装组件包括：第一管芯；第二管芯，通过底部填充物与第一管芯横向间隔开；以及模塑料，邻近第一管芯和第二管芯。界面结构包括：粘合层，设置在底部填充物和模塑料上方；以及热界面材料(TIM)层，位于粘合层、第一管芯和第二管芯上方。本申请的实施例还涉及封装结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN119833486A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411906025.8

申请日：2024-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蓝竣彦 ,  王裕勋 ,  王卜 ,  郑礼辉 ,  施应庆 ,  林育蔚

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种封装结构。封装结构包括衬底、接合到衬底的管芯、设置在所述封装组件和所述衬底上方的盖、以及夹在所述封装组件和所述盖之间的界面结构，该界面结构包括设置在所述至少一个管芯的顶面的拐角处的第一热界面材料和设置在所述至少一个管芯的所述顶面的其余部分上的第二热界面材料。第一热界面材料的杨氏模量小于第二热界面材料的杨氏模量。本申请的实施例还涉及制造封装结构的方法。

公开(公告)号：CN115295507A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210501233.4

申请日：2022-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志豪 ,  郑博元 ,  王卜 ,  郑礼辉

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明的实施例提供一种集成电路器件和其形成方法，器件包括：封装组件，包括集成电路管芯和连接到集成电路管芯的导电连接件，导电连接件设置在封装组件的前侧，集成电路管芯暴露在封装组件的背侧；散热层，位于封装组件的背侧和封装组件的侧壁上；粘合剂层，位于散热层的背侧上，散热层的侧壁的部分不存在粘合剂层；和封装衬底，连接到导电连接件。

公开(公告)号：CN115064508A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210294683.0

申请日：2022-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢秉颖 ,  王卜 ,  郑礼辉 ,  卢思维

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开涉及多TIM封装及其形成方法。一种方法包括放置封装，该封装包括第一封装组件、第二封装组件以及将第一封装组件和第二封装组件密封在其中的密封剂。该方法还包括在第一封装组件上方附接第一热界面材料，在第二封装组件上方附接不同于第一热界面材料的第二热界面材料，以及在第一热界面材料和第二热界面材料两者上方附接散热器。

公开(公告)号：CN114765124A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110563389.0

申请日：2021-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志豪 ,  潘志坚 ,  王卜 ,  郑礼辉 ,  卢思维

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/50

Abstract: 用于制造半导体封装件的夹具包括底部件和上部件。底部件包括基底、支撑板和至少一个弹性连接件。支撑板位于基底的中心区域中。至少一个弹性连接件介于支撑板和基底之间。上部件包括帽和外法兰。当上部件设置在底部件上时，帽位于支撑板上面。外法兰设置在帽的边缘处，与帽连接。当上部件设置在底部件上时，外法兰接触底部件的基底。帽包括开口，该开口是通孔。当上部件设置在底部件上时，开口的垂直投影完全落在支撑板上。本申请的实施例还涉及半导体封装件的制造方法。