公开(公告)号：CN119604016A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411647145.0

申请日：2024-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡毓晋 ,  曾华伟 ,  吴伟诚 ,  江永平 ,  苏安治 ,  叶德强

IPC: H10D80/30 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 封装件包括：第一管芯，位于封装组件的第一侧上方并且接合至封装组件的第一侧，其中，第一管芯和封装组件之间的第一接合包括第一管芯的第一接合层和封装组件上的第二接合层之间的电介质至电介质接合，并且第一管芯和封装组件之间的第二接合包括第一管芯的第一接合焊盘和封装组件上的第二接合焊盘之间的金属至金属接合；再分布结构的第一部分，与第一管芯相邻并且位于第二接合层上方；以及第二管芯，位于再分布结构的第一部分上方并且使用第一导电连接件耦合至再分布结构的第一部分，其中，第一导电连接件电连接至第二接合层中的第一导电焊盘。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN219575611U

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202222620506.5

申请日：2022-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立贤 ,  庄曜群 ,  曾华伟 ,  胡毓晋 ,  何军

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76 ,  H01L21/764

Abstract: 本实用新型实施例涉及一种用于集成电路芯片的边缘轮廓控制的装置。一种用于集成电路芯片封装的结构包含：衬底；装置层，其放置于所述衬底上；互连结构，其放置于所述装置层上；绝缘层，其放置于所述互连结构上；导电垫，其位于所述互连结构上，其中所述导电垫的部分在所述绝缘层上方延伸；导电通路，其放置于所述导电垫上；及应力缓冲层，其具有锥形侧轮廓，放置于所述导电通路上，其中所述应力缓冲层的侧壁与所述绝缘层的顶面形成大于约50度且小于约90度的角度。

公开(公告)号：CN222851438U

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202421468759.8

申请日：2024-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾明鸿 ,  黄子松 ,  江宗宪 ,  苏安治 ,  胡毓晋 ,  曾华伟 ,  谢正贤 ,  吴伟诚 ,  叶德强

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种半导体装置包括并排设置的第一集成电路管芯、与第一集成电路管芯交叠并电性耦接到第一集成电路管芯的第二集成电路管芯和第一导电特征。每个第一集成电路管芯包括第一和第二管芯连接件。第一管芯连接件的第一间距小于第二管芯连接件的第二间距且大体上等于第二集成电路管芯的第三管芯连接件的第三间距。第一导电特征插设在第一和第三管芯连接件之间并电性耦接到第一和第三管芯连接件。每个第一导电特征包括至少一第一导电凸块和至少一第一导电接点。通过省略在堆叠集成电路管芯之间的重布线层可降低制造成本。