公开(公告)号：CN118712053A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410739926.6

申请日：2024-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张宏宾 ,  谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  叶德强

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/78 ,  H01L23/485 ,  B23K26/364

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括蚀刻晶圆的部分以在晶圆的划线中形成第一沟槽，其中划线位于晶圆的第一器件管芯和第二器件管芯之间。在蚀刻之后，划线中的晶圆的部分的顶面位于第一沟槽下面并且暴露于第一沟槽，并且第一沟槽位于晶圆的相对侧壁之间。然后执行激光开槽工艺以形成第二沟槽，第二沟槽从顶面进一步向下延伸到晶圆中，并且第二沟槽横向地位于晶圆的相对侧壁之间。然后执行管芯锯切工艺以锯切晶圆。管芯锯切工艺从第二沟槽的底部执行，并且管芯锯切工艺导致第一器件管芯与第二器件管芯分离。根据本申请的其他实施例，还提供了封装件。

公开(公告)号：CN116825716A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310696395.2

申请日：2023-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾建富 ,  吴伟诚 ,  袁玉洁 ,  叶德强 ,  张宏宾 ,  谢正贤 ,  许立翰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535

Abstract: 本发明提供一种通过结构以及其形成方法获得制造灵活性和效率，其中可以形成RDL接触特征并与硅通孔(TSV)对齐，而不管用于形成TSV的制造过程和形成接触特征的制造过程之间的相应关键尺寸(CD)存在任何潜在不匹配。提供了用于底层TSV的自对准曝光的各种工艺，而不需要额外的微影步骤。

公开(公告)号：CN106952885B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201611116319.6

申请日：2016-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/115 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/111 ,  H05K1/113 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/0183 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09136 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/0969 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种封装件包括导电焊盘，其中多个开口穿透该导电焊盘。介电层环绕导电焊盘。介电层具有填充多个开口的部分。凸块下金属(UBM)包括延伸进入介电层中以接触导电焊盘的孔部分。焊料区域在UBM上面并且接触UBM。集成无源器件通过焊料区域接合至UBM。

公开(公告)号：CN106409797B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201610084454.0

申请日：2016-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  陈宪伟 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  叶德强 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明实施例描述了封装结构及其形成方法。在一个实施例中，封装结构包括嵌入在密封件中的集成电路管芯和在密封件上的再分布结构。再分布结构包括在密封件和集成电路管芯远端的金属化层，以及在密封件和集成电路管芯远端以及在金属化层上的介电层。封装结构还包括在介电层上的第一底部金属化结构以及附接至第一底部金属化结构的表面安装器件和/或集成无源器件(“SMD/IPD”)。第一底部金属化结构包括第一至第四延伸部分，第一至第四延伸部分分别穿过介电层的第一至第四开口延伸至金属化层的第一至第四图案。第一开口、第二开口、第三开口和第四开口彼此物理隔开。本发明实施例涉及封装件或器件结构上的SMD/IPD及其形成方法。

公开(公告)号：CN106549000A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610670878.5

申请日：2016-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  谢正贤

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/024 ,  H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49838

Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底，位于半导体衬底上方并且配置为接收凸块的重分布层(RDL)。半导体器件还包括位于RDL上方的聚合物材料，和聚合物材料包括开口以暴露RDL的部分。在半导体器件中，阻挡件覆盖聚合物材料和RD L之间的接合点。本发明涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN106548996A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610609240.0

申请日：2016-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  陈宪伟 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  叶德强 ,  许立翰 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/10338 ,  H01L2924/10339 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/10351 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明涉及一种结构，包括：金属焊盘、具有覆盖金属焊盘的边缘部分的部分的钝化层和在钝化层上方的伪金属板。伪金属板中具有多个贯穿开口。伪金属板具有锯齿形边缘。介电层具有在伪金属板上面的第一部分、填充多个第一贯穿开口的第二部分和接触第一锯齿形边缘的第三部分。本发明的实施例还涉及具有锯齿形边缘的伪金属。

公开(公告)号：CN106409797A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610084454.0

申请日：2016-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  陈宪伟 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  叶德强 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/18162 ,  H01L24/06 ,  H01L24/03 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明实施例描述了封装结构及其形成方法。在一个实施例中，封装结构包括嵌入在密封件中的集成电路管芯和在密封件上的再分布结构。再分布结构包括在密封件和集成电路管芯远端的金属化层，以及在密封件和集成电路管芯远端以及在金属化层上的介电层。封装结构还包括在介电层上的第一底部金属化结构以及附接至第一底部金属化结构的表面安装器件和/或集成无源器件(“SMD/IPD”)。第一底部金属化结构包括第一至第四延伸部分，第一至第四延伸部分分别穿过介电层的第一至第四开口延伸至金属化层的第一至第四图案。第一开口、第二开口、第三开口和第四开口彼此物理隔开。本发明实施例涉及封装件或器件结构上的SMD/IPD及其形成方法。

公开(公告)号：CN118782548A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410747453.4

申请日：2024-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张宏宾 ,  谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  叶德强

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 在实施例中，封装件包括：集成电路管芯，包括第一绝缘接合层和第一半导体衬底；以及中介层，包括第二绝缘接合层、第一密封环和第二半导体衬底。第二绝缘接合层以电介质对电介质接合而直接接合至第一绝缘接合层，并且其中集成电路管芯与第一密封环重叠。集成电路管芯的侧壁暴露在封装件的外侧壁处。本公开的实施例还涉及形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN107808870B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201710534227.8

申请日：2017-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  许立翰 ,  吴伟诚 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 实施例封装件包括第一集成电路管芯，围绕第一集成电路管芯的密封剂以及将第一导电通孔电连接到第二导电通孔的导线。该导线包括位于第一集成电路管芯上方并且具有沿第一方向延伸的第一长度方向尺寸的第一段，以及具有沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸的第二段。第二段在第一集成电路管芯和密封剂之间的边界上方延伸。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106558559B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201610765751.1

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢正贤 ,  陈宪伟 ,  余振华 ,  林宗澍 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及制造方法。一种具有接合焊盘的再分布层形成在衬底上方，其中一个或多个网孔延伸穿过接合焊盘。网孔可以布置为圆形形状，并且钝化层可以形成在接合焊盘和网孔上方。开口形成为穿过钝化层以及凸块下金属形成为与接合焊盘的暴露部分接触且在网孔上方延伸。通过利用网孔，可以减小或消除可能发生的侧壁分层和剥离。