-
公开(公告)号：CN115775787A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210797626.4
申请日：2022-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L25/18
Abstract: 一种形成封装件的方法包括在载体上方形成第一金属网；在第一金属网上方形成第一介电层；以及在第一介电层上方形成第二金属网。第一金属网和第二金属网交错。该方法还包括在第二金属网上方形成第二介电层，将器件管芯附接在第二介电层上方，其中，器件管芯与第一金属网和第二金属网重叠，将器件管芯密封在密封剂中，以及在器件管芯上方形成再分布线，并且将再分布线电连接至器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件。
-
公开(公告)号：CN112018061A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010155641.X
申请日：2020-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN115579341A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211175220.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN112018061B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202010155641.X
申请日：2020-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN107342268B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201710165705.2
申请日：2017-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/58
Abstract: 本公开部分实施例提供一种半导体装置封装。半导体装置封装包括一半导体装置。半导体装置封装也包括配置用于在磁流通过时产生电流的一线圈。半导体装置封装还包括环绕半导体装置以及线圈的一成型材料。并且，半导体装置封装包括位于成型材料之上的一导电金属件。一开口形成于导电金属件之上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687634B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202010093038.3
申请日：2020-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L25/16 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/488 , H10B80/00
Abstract: 提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述封装包括管芯、层间穿孔、介电膜、后侧膜及焊料膏部分。所述层间穿孔设置在半导体管芯旁边且模塑化合物在横向上环绕管芯及层间穿孔。所述介电膜设置在半导体管芯的后侧上，且所述后侧膜设置在介电膜上。后侧膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者比介电膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者大。所述焊料膏部分设置在层间穿孔上且位于穿透过介电膜及后侧膜的开口内。具有在开口内位于介电膜与后侧膜之间的界面处的凹槽。本公开提供的结构及方法与包含对已知良好管芯进行中间验证的测试方法结合使用以提高良率。
-
公开(公告)号：CN109585309B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810979949.9
申请日：2018-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：在第一介电层上的导电屏蔽件；在第一介电层和导电屏蔽件上的第二介电层，第一和第二介电层围绕导电屏蔽件，第二介电层包括：沿着导电屏蔽件的外围设置的第一部分；延伸穿过导电屏蔽件的中心区域的第二部分；以及延伸穿过导电屏蔽件的通道区的第三部分，第三部分将第一部分连接至第二部分；在第二介电层上的线圈，线圈设置在导电屏蔽件上方；在第二介电层上的集成电路管芯，集成电路管芯设置在线圈的外部；以及围绕线圈和集成电路管芯的密封剂，密封剂、集成电路管芯和线圈的顶表面是平齐的。
-
公开(公告)号：CN109786267A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810609924.X
申请日：2018-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/528
Abstract: 在实施例中，器件包括：背侧再分布结构，背侧再分布结构包括：金属化图案，位于第一介电层上；以及第二介电层，位于金属化图案上；通孔，穿过第一介电层延伸以接触金属化图案；集成电路管芯，邻近第一介电层上的通孔；模塑料，位于第一介电层上，模塑料密封通孔和集成电路管芯；导电连接件，穿过第二介电层延伸以接触金属化图案，导电连接件电连接至通孔；以及金属间化合物，位于导电连接件和金属化图案的界面处，金属间化合物仅部分地延伸至金属化图案内。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。
-
公开(公告)号：CN107706171A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610954883.9
申请日：2016-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F38/14
Abstract: 一种线圈结构的形成方法。线圈结构包括衬底。多个线圈设置在衬底上，且每一线圈包括形成连续螺旋结构的导电元件。连续螺旋结构在线圈结构的上视图中呈六边形。线圈排列成蜂窝状图案，且每一导电元件与外部电路电连接。
-
公开(公告)号：CN113097184B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202011521563.7
申请日：2020-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D80/30 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 在一个实施例中，一种结构包括：第一集成电路管芯，包括第一管芯连接器；第一介电层，位于第一管芯连接器上；第一导电过孔，延伸穿过第一介电层，第一导电过孔连接至第一管芯连接器的第一子集；第二集成电路管芯，利用第一可回流连接器接合至第一管芯连接器的第二子集；第一密封剂，围绕第二集成电路管芯和第一导电过孔，第一密封剂和第一集成电路管芯横向地相邻；第二导电过孔，与第一集成电路管芯相邻；第二密封剂，围绕第二导电过孔、第一密封剂、和第一集成电路管芯；以及第一再分布结构，包括第一再分布线，第一再分布线连接至第一导电过孔和第二导电过孔。本申请的实施例还提供一种形成半导体结构的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.043 seconds)
