公开(公告)号：CN112331648A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011188497.6

申请日：2015-11-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖政杰 ,  陈光鑫 ,  范士凯 ,  巫勇贤 ,  陈昱勋

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了半导体部件及其制造方法。本发明提供了一种半导体部件，该半导体部件包括衬底、设置在衬底上的界面层、设置在衬底上的第一金属栅极结构和第二金属栅极结构。第一金属栅极结构包括设置在界面层上的第一高k介电层和设置在第一高k介电层上的第一金属栅极层。第二金属栅极结构包括设置在界面层上的第二高k介电层、设置在第二高k介电层上的第三高k介电层，以及设置在第三高k介电层上的第二金属栅极层。

公开(公告)号：CN106206575A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510783719.1

申请日：2015-11-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖政杰 ,  陈光鑫 ,  范士凯 ,  巫勇贤 ,  陈昱勋

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 本发明提供了半导体部件及其制造方法。本发明提供了一种半导体部件，该半导体部件包括衬底、设置在衬底上的界面层、设置在衬底上的第一金属栅极结构和第二金属栅极结构。第一金属栅极结构包括设置在界面层上的第一高k介电层和设置在第一高k介电层上的第一金属栅极层。第二金属栅极结构包括设置在界面层上的第二高k介电层、设置在第二高k介电层上的第三高k介电层，以及设置在第三高k介电层上的第二金属栅极层。