公开(公告)号：CN115394747A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210877879.2

申请日：2022-07-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡维欣 ,  庄惠中 ,  陈志良 ,  田丽钧

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/02

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法及系统，半导体装置包括第一金属层、第二金属层、及至少一导电通孔。第一金属层具有沿第一方向延伸的第一导体及沿第一方向延伸的第二导体，其中第二导体直接相邻于第一导体。第二金属层具有沿第二方向延伸的第三导体，其中第二方向相交于第一方向。该至少一导电通孔经由第三导体连接第一导体与第二导体。

公开(公告)号：CN113540079A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202011309834.2

申请日：2020-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡维欣 ,  杨荣展 ,  陈庭榆 ,  田丽钧

IPC: H01L27/088

Abstract: 半导体元件包括以第一鳍片至鳍片间距配置的第一组半导体鳍片和以第二鳍片至鳍片间距配置的第二组半导体鳍片。第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片被无鳍片区域分开，此无鳍片区域大于第一鳍片至鳍片间距和第二鳍片至鳍片间距。半导体元件还包括在第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片上延伸的栅极结构、在栅极结构上延伸的Vdd线和Vss线。从上视图来看，第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片在Vdd线和Vss线之间，并且从上视图看，Vdd线和第一组半导体鳍片之间的重叠面积不同于Vss线和第二组半导体鳍片之间的重叠面积。

公开(公告)号：CN113363258A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110530280.7

申请日：2021-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴国晖 ,  王柏钧 ,  蔡维欣 ,  陈志良 ,  田丽钧

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明的实施例公开了集成电路及其形成方法。集成电路包括第一电源轨、第二电源轨、信号线和第一组晶体管的第一有源区。第一电源轨在衬底的背侧上，并且在第一方向上延伸。第二电源轨在衬底的背侧上，在第一方向上延伸，并且在不同于第一方向的第二方向上与第一电源轨分离。信号线在衬底的背侧上，并且在第一方向上延伸，并且在第一电源轨和第二电源轨之间。第一组晶体管的第一有源区在第一方向上延伸，并且在衬底的与背侧相对的前侧的第一层级上。