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公开(公告)号：CN115513189A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210041865.7
申请日：2022-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/16 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本公开的各种实施例涉及半导体封装和其制造方法。半导体封装至少包括电路衬底、半导体管芯和填充材料。电路衬底有第一表面、与所述第一表面相反的第二表面和从所述第一表面凹进去的凹穴。电路衬底包括介电材料和埋设在介电材料中并位于凹穴下方的金属底板。金属底板的位置对应于凹穴的位置。金属底板是电性浮置的并被介电材料隔离。半导体管芯设置在凹穴中，且与电路衬底电连接。填充材料设置在半导体管芯和电路衬底之间。填充材料填充凹穴且封装半导体管芯，而连接半导体管芯和电路衬底。
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公开(公告)号：CN111755344A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010084354.4
申请日：2020-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L25/18
Abstract: 本公开一些实施例提供一种封装结构及一种形成封装结构的方法。所述方法包括在承载基板之上形成重分布结构以及将半导体晶粒放置在重分布结构之上。所述方法还包括将中介层基板堆叠在重分布结构之上。中介层基板延伸跨越半导体晶粒的边缘。所述方法还包括将一或多个装置元件放置在中介层基板之上。此外，所述方法还包括形成包围半导体晶粒的保护层。
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公开(公告)号：CN103872000A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310247742.X
申请日：2013-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/06102 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装结构包括通过将位于第一衬底上的金属柱连接至位于第二衬底上的连接件从而将第一衬底接合至第二衬底。在位于第一衬底的第一区上的金属焊盘上方形成第一金属柱并且第一金属柱电连接至金属焊盘，并且在第一衬底的第二区中的钝化层上方形成第二金属柱。在金属柱和第一连接件之间形成第一焊接区，并且在第二金属柱和第二连接件之间形成第二焊接区。第一金属柱的横向尺寸大于第二金属柱的横向尺寸。本发明还提供了一种用于半导体封装件的凸块结构。
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公开(公告)号：CN113539844B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110635733.2
申请日：2021-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。可使用异相装置以及不对称的双面成型封装技术，在多层重分布结构上制造半导体装置。半导体装置可形成为具有小的轮廓的异相三维扇出晶粒封装结构，且可使用单个承载基板来形成半导体装置。
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公开(公告)号：CN116631956A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310384524.4
申请日：2023-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L23/48 , H01L21/56
Abstract: 一种实施例半导体封装组件可包括：中介层；集成被动装置，电性耦接到中介层的第一侧；底部填充材料部分，形成于集成被动装置与中介层的第一侧之间；以及坝，从中介层的第一侧突出，且配置用于约束底部填充材料部分的空间范围。坝可包括在中介层的第一侧的表面之上延伸的第一部分及嵌入中介层的第一侧的表面下方的第二部分。坝可形成于介电层中，介电层也包括重分布互连结构的构件。坝可进一步与重分布互连结构电性隔离，且可配置为形成中介层的第一侧的二维区域的连接或不连接的边界。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113206072A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110110456.3
申请日：2021-01-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 提供一种半导体封装及一种制造半导体封装的方法。所述半导体封装包括半导体管芯、包封体及重布线结构。包封体在侧向上包封半导体管芯。重布线结构设置在包封体上且与半导体管芯电连接，其中重布线结构包括沿堆叠方向堆叠的第一导通孔、第一导电配线层及第二导通孔，第一导通孔具有接触第一导电配线层的第一末端表面，第二导通孔具有接触第一导电配线层的第二末端表面，第一导通孔的第一横截面的面积大于第一导通孔的第一末端表面的面积，且第二导通孔的第二横截面的面积大于第二导通孔的第二末端表面的面积。
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公开(公告)号：CN112670195A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010894054.2
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本公开涉及封装结构及其形成方法，此方法包含设置半导体晶粒于重布线结构的第一表面之上。此方法还包含形成第一保护层以围绕半导体晶粒的一部分。此方法还包含设置装置元件于重布线结构的第二表面之上。重布线结构介于装置元件与半导体晶粒之间。此外，此方法包含形成第二保护层以围绕装置元件的一部分。第二保护层比第一保护层厚，且第二保护层与第一保护层具有不同的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN110660725B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910023923.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 方法包括形成中介层，形成中介层包括形成刚性介电层；以及去除部分刚性介电层。该方法还包括将封装组件接合至互连结构，以及将中介层接合至互连结构。中介层中的间隔件具有接触封装组件的顶面的底面，并且间隔件包括选自由金属部件、刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件。对互连结构实施管芯锯切。本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。
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公开(公告)号：CN110970312B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910917900.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/522
Abstract: 实施例包括形成中介层，该中介层具有设置在中介层的核心层中的增强结构。中介层可以通过电连接件附接到封装器件。增强结构为封装器件提供刚性和散热。一些实施例可以包括中介层，该中介层在中介层的上部核心层中具有到凹陷接合焊盘的开口。一些实施例还可以在中介层和封装器件之间使用连接件，其中连接到中介层的焊料材料围绕连接到封装器件的金属柱。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110970312A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910917900.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/522
Abstract: 实施例包括形成中介层，该中介层具有设置在中介层的核心层中的增强结构。中介层可以通过电连接件附接到封装器件。增强结构为封装器件提供刚性和散热。一些实施例可以包括中介层，该中介层在中介层的上部核心层中具有到凹陷接合焊盘的开口。一些实施例还可以在中介层和封装器件之间使用连接件，其中连接到中介层的焊料材料围绕连接到封装器件的金属柱。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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