公开(公告)号：CN109524365B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201711084865.0

申请日：2017-11-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游济阳 ,  张建国 ,  林志豪 ,  郑荣宗 ,  何冠霖

IPC: H01L23/31

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含衬底，其包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、大体上正交于所述第一表面及所述第二表面的第一侧壁；隔离层，其围绕并接触所述衬底的所述第一侧壁；裸片，其安置在所述衬底的所述第二表面上方；第一导电凸块，其安置在所述衬底的所述第一表面处；及第二导电凸块，其安置在所述衬底与所述裸片之间。

公开(公告)号：CN109524365A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201711084865.0

申请日：2017-11-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游济阳 ,  张建国 ,  林志豪 ,  郑荣宗 ,  何冠霖

IPC: H01L23/31

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含衬底，其包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、大体上正交于所述第一表面及所述第二表面的第一侧壁；隔离层，其围绕并接触所述衬底的所述第一侧壁；裸片，其安置在所述衬底的所述第二表面上方；第一导电凸块，其安置在所述衬底的所述第一表面处；及第二导电凸块，其安置在所述衬底与所述裸片之间。