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公开(公告)号：CN109659292B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201810031594.0
申请日：2018-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/00
Abstract: 一种集成扇出型封装包括管芯、包封体、重布线结构、多个导电柱、晶种层、及多个导电凸块。所述包封体包封所述管芯。所述重布线结构位于所述管芯及所述包封体上。所述重布线结构与所述管芯电连接且包括依序堆叠的多个介电层以及夹置在所述介电层之间的多个导电图案。距所述管芯最远的所述介电层的杨氏模量高于所述介电层中其余介电层中的每一者的杨氏模量。所述导电图案彼此电连接。所述导电柱设置在所述重布线结构上且与所述重布线结构电连接。所述晶种层位于所述导电柱与所述重布线结构之间。所述导电凸块设置在所述多个导电柱上。
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公开(公告)号：CN114121856A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111361247.2
申请日：2017-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L21/98 , H01L21/56
Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包含衬底；重布线层RDL，包含放置在所述衬底上方的介电层以及被所述介电层环绕的多个导电件；第一导电柱，放置在所述导电件的一者上方且与其电连接；第二导电柱，放置在所述导电件的一者上方且与其电连接；第一裸片，放置在所述RDL上方且与所述第一导电柱电连接；以及第二裸片，放置在所述RDL上方且与所述第二导电柱电连接，其中所述第二导电柱的高度为基本上大于所述第一导电柱的高度，且所述第一裸片的厚度为基本上大于所述第二裸片的厚度。
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公开(公告)号：CN107564846A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710451130.0
申请日：2017-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本揭露涉及一种半导体结构和其制造方法。本揭露提供一种半导体装置。半导体封装装置包含具有第一表面的第一半导体裸片。所述半导体封装装置还包含环绕所述第一半导体裸片的介电材料，其中所述介电材料包括与所述第一表面基本上齐平的表面。所述半导体封装装置另包含覆盖层，覆盖所述第一半导体裸片的所述第一表面与所述介电材料的所述表面。所述覆盖层与切割胶带之间的粘着性小于所述介电材料与所述切割胶带之间的粘着性。
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公开(公告)号：CN104733329A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410068916.0
申请日：2014-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/50 , H01L23/373 , H01L25/00 , H01L25/16
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/4871 , H01L21/4882 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/04 , H01L23/16 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/3737 , H01L23/40 , H01L23/4012 , H01L23/42 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2224/26175 , H01L2224/27312 , H01L2224/27334 , H01L2224/29109 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32237 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81 , H01L2224/83104 , H01L2224/8321 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83493 , H01L2224/83862 , H01L2224/92122 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/0103 , H01L2924/05032 , H01L2924/0532 , H01L2924/0542 , H01L2924/05432 , H01L2924/15311 , H01L2924/1616 , H01L2924/16195 , H01L2924/1631 , H01L2924/16315 , H01L2924/014 , H01L2924/0715 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/05442 , H01L2924/01006 , H01L2224/83 , H01L25/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于封装半导体器件的方法和结构。在实施例中，将第一衬底接合至第二衬底，将第二衬底接合至第三衬底。在应用底部填充材料之前将热界面材料放置在第二衬底上。可以将环形件放置在热界面材料上，以及在第二衬底和第三衬底之间分配底部填充材料。通过在放置底部填充材料之前放置热界面材料和环形件，使得底部填充材料不能干扰热界面材料和第二衬底之间的界面，并且热界面材料和环形件可以用作底部填充材料的物理屏障，从而防止溢流。本发明还包括半导体封装结构和工艺。
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公开(公告)号：CN109524365B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201711084865.0
申请日：2017-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含衬底，其包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、大体上正交于所述第一表面及所述第二表面的第一侧壁；隔离层，其围绕并接触所述衬底的所述第一侧壁；裸片，其安置在所述衬底的所述第二表面上方；第一导电凸块，其安置在所述衬底的所述第一表面处；及第二导电凸块，其安置在所述衬底与所述裸片之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112750810A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011173331.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供一种半导体封装件包括：没有任何有源器件的插件结构。插件结构包括：互连器件；介电膜，围绕互连器件；以及第一金属化图案，接合至互连器件。封装件还包括：第一器件管芯，接合至第一金属化图案的与互连器件相反的一侧；以及第二器件管芯，接合至第一金属化图案的与第一器件管芯相同的一侧。互连器件将第一器件管芯电连接至第二器件管芯。本申请的实施例还提供一种制造半导体封装件的方法。
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公开(公告)号：CN109524365A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201711084865.0
申请日：2017-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含衬底，其包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、大体上正交于所述第一表面及所述第二表面的第一侧壁；隔离层，其围绕并接触所述衬底的所述第一侧壁；裸片，其安置在所述衬底的所述第二表面上方；第一导电凸块，其安置在所述衬底的所述第一表面处；及第二导电凸块，其安置在所述衬底与所述裸片之间。
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公开(公告)号：CN107564823A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710454238.5
申请日：2017-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/54 , H01L21/683 , H01L21/02
CPC classification number: H01L23/3736 , H01L21/4846 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/3731 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/29099 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一些实施例揭露一种用于制造半导体结构的方法。所述方法包含：提供上面具有多个裸片的半导体衬底；分注底胶材料及模塑料以填充在所述裸片之下与在所述裸片之间的空间；设置暂时载体在所述裸片上方；薄化所述半导体衬底的厚度；在所述经薄化半导体衬底上执行背侧金属化；移除所述暂时载体；以及附接板材在所述裸片上方。本发明的一些实施例也揭露一种相关的半导体结构。
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公开(公告)号：CN107564823B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710454238.5
申请日：2017-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/54 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 本发明的一些实施例揭露一种用于制造半导体结构的方法。所述方法包含：提供上面具有多个裸片的半导体衬底；分注底胶材料及模塑料以填充在所述裸片之下与在所述裸片之间的空间；设置暂时载体在所述裸片上方；薄化所述半导体衬底的厚度；在所述经薄化半导体衬底上执行背侧金属化；移除所述暂时载体；以及附接板材在所述裸片上方。本发明的一些实施例也揭露一种相关的半导体结构。
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公开(公告)号：CN107527901A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710342284.6
申请日：2017-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/98
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L21/4853 , H01L21/4882 , H01L21/54 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/3178 , H01L23/36 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/15162 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L25/18 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L2224/1703
Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体结构，其包含衬底；重布线层RDL，包含放置在所述衬底上方的介电层以及被所述介电层环绕的多个导电件；第一导电柱，放置在所述导电件的一者上方且与其电连接；第二导电柱，放置在所述导电件的一者上方且与其电连接；第一裸片，放置在所述RDL上方且与所述第一导电柱电连接；以及第二裸片，放置在所述RDL上方且与所述第二导电柱电连接，其中所述第二导电柱的高度为基本上大于所述第一导电柱的高度，且所述第一裸片的厚度为基本上大于所述第二裸片的厚度。本发明实施例揭示的半导体结构，其可靠度及性能能够得到有效的改善。
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