公开(公告)号：CN119069444A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411100872.5

申请日：2024-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱肇玮 ,  陈威宇 ,  陈信良 ,  施浩然 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了包括第一衬底和第二衬底的封装结构。第一衬底包括具有第一横向尺寸的第一凸块和具有第二横向尺寸的第二凸块。第一凸块分布在第一衬底的第一区域中，并且第二凸块分布在第一衬底的第二区域中，其中，第一横向尺寸大于第二横向尺寸，并且第一凸块的第一凸块高度小于第二凸块的第二凸块高度。第二衬底包括电连接至第一凸块和第二凸块的导电端子。本申请的实施例还涉及封装结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN111118457A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911043735.1

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信良 ,  王文志 ,  廖家宏 ,  陈振杰 ,  叶奕铭 ,  林泓霆 ,  李永尧

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明实施例涉及用于物理气相沉积的设备以及形成膜层的方法。本发明实施例提供一种用于PVD的设备。所述设备包含：腔室；基座，其安置于所述腔室中以容纳晶片；及环。所述环包含：环主体，其具有第一顶表面及第二顶表面；及屏障结构，其安置于所述第一顶表面与所述第二顶表面之间。所述屏障结构可进一步包含彼此分离的至少第一部分及第二部分。第二垂直距离等于或大于第一垂直距离。

公开(公告)号：CN109686706A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201810026310.9

申请日：2018-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信良 ,  颜振轩 ,  罗汉棠

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L23/538

Abstract: 本揭露提供一种半导体结构。在一实施方式中，半导体结构包含：元件区域、虚拟区域以及至少一热导体。元件区域具有至少一半导体元件。虚拟区域与元件区域接触。此至少一热导体嵌入虚拟区域。

公开(公告)号：CN119517842A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411560967.5

申请日：2024-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  邱肇玮 ,  陈信良 ,  施浩然 ,  裴浩然 ,  林修任

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 在实施例中，方法包括沿着第一衬底形成器件区域；在器件区域和第一衬底上方形成互连结构；在互连结构上方形成金属柱，形成金属柱包括：在互连结构上方形成基底层；在基底层上方形成中间层；和在中间层上方形成覆盖层；在覆盖层上方形成焊料区域；以及执行蚀刻工艺以使基底层和覆盖层的侧壁从中间层和焊料区域的侧壁凹进。本公开的实施例提供了半导体器件和形成半导体封装件的方法。

公开(公告)号：CN109411358A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810921906.5

申请日：2018-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信良 ,  叶俊彥 ,  方郁歆 ,  罗汉棠

IPC: H01L21/48

Abstract: 一种半导体器件包括：第一导电结构，包括具有侧壁和底面的第一部分，其中，第一导电结构嵌入在第一介电层中；以及隔离层，包括第一部分和第二部分，其中，隔离层的第一部分加衬里于第一导电结构的第一部分的侧壁，并且隔离层的第二部分加衬里于第一导电结构的第一部分的至少部分底面。本发明的实施例还提供了有隔离层衬里的互连结构。

公开(公告)号：CN118368969A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311157595.7

申请日：2023-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭富强 ,  龚柏诚 ,  陈信良

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/48 ,  H01L27/13 ,  H01L21/768

Abstract: 本揭露提供一种集成电路结构及其制造方法，集成电路(IC)结构包含第一基板具有集成电路形成于其上；第二基板接合至第一基板；以及深沟渠电容器形成于第二基板上且电性连接集成电路。深沟渠电容器包含数个导电层与数个介电层的堆叠设于数个深沟渠中，以及数个导电插塞分别落在导电层上。每个导电插塞包含第一金属层、第二金属层设于第一金属层上、以及第三金属层设于第二金属层上。第一金属层、第二金属层、与第三金属层的成分不同。

公开(公告)号：CN112563108A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010410647.7

申请日：2020-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蒯光国 ,  刘世国 ,  王文志 ,  陈信良

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明实施例涉及制造半导体结构的设备与制造半导体结构的方法。本发明实施例提供一种用于制造半导体结构的设备，所述设备包含：卡盘；边缘环，其围绕所述卡盘，其中所述边缘环包括腔体；聚焦环，其邻近所述卡盘的边缘且在所述边缘环上方；及第一致动器，其在所述边缘环的所述腔体中且与所述聚焦环接合。

公开(公告)号：CN110658693A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910578244.0

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶展宏 ,  陈振杰 ,  蔡政谚 ,  陈立锐 ,  童宇轩 ,  王文志 ,  陈信良

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种激光产生电浆极紫外辐射源设备及其错误恢复的方法、诊断该设备的RF产生器的方法。在一种诊断激光产生电浆极紫外(LPP EUV)辐射源设备的RF产生器的方法中，将测试系统连接至该LPP EUV辐射源设备的该RF产生器。通过改变该RF产生器的输入功率由该测试系统量测输出功率。使用计算机系统分析该已量测输出功率。基于该经分析的已量测输出功率来判定该RF产生器是否正适当地操作。

公开(公告)号：CN118412291A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410400247.6

申请日：2024-04-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  邱肇玮 ,  陈信良 ,  裴浩然 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L23/488

Abstract: 实施例提供了器件结构和形成器件结构的方法，该器件结构包括填充结构，以在填充结构的开口范围内捕获焊料材料。一个器件的金属柱可以穿透非导电膜并且接触另一器件的焊料区域。不需要单独的底部填充物。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN117174698A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310970696.X

申请日：2023-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭富强 ,  陈信良 ,  郑新立 ,  许庭祯

IPC: H01L23/64

Abstract: 本公开实施例提供了方法的实施例。方法包括：图案化衬底以形成沟槽；蚀刻衬底，从而将沟槽修改为具有圆形尖端；在沟槽中形成包括导电层和介电层的堆叠件，其中，导电层和介电层在堆叠件内彼此交替；在第一沟槽中形成绝缘压缩膜，从而密封沟槽中的空隙；以及形成分别连接至导电层的导电插塞。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。