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公开(公告)号：CN110967937A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910924598.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置。本揭露的一实施方式提供一种用于产生极紫外(EUV)辐射的源，此辐射源包括围绕低气压环境的腔室。进气口经配置以在腔室中提供清洗气体。将多个排气口提供至腔室，每个排气口具有对应闸阀，闸阀包括对应于将腔室与EUV扫描器分隔的排气口的扫描器闸阀。压力感测器设置在腔室内部并邻近于扫描器闸阀。控制器经配置以基于压力感测器的输出来控制除扫描器闸阀之外的闸阀。如此一来，用于产生极紫外(EUV)辐射的源将可具有较长的寿命。
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公开(公告)号：CN110967937B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201910924598.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置。本揭露的一实施方式提供一种用于产生极紫外(EUV)辐射的源，此辐射源包括围绕低气压环境的腔室。进气口经配置以在腔室中提供清洗气体。将多个排气口提供至腔室，每个排气口具有对应闸阀，闸阀包括对应于将腔室与EUV扫描器分隔的排气口的扫描器闸阀。压力感测器设置在腔室内部并邻近于扫描器闸阀。控制器经配置以基于压力感测器的输出来控制除扫描器闸阀之外的闸阀。如此一来，用于产生极紫外(EUV)辐射的源将可具有较长的寿命。
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公开(公告)号：CN109581819A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811094242.6
申请日：2018-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例提供一种放射源设备。上述放射源设备包括一腔室、一标靶液滴产生器、一排气模块、一测量装置以及一控制器。标靶液滴产生器配置以提供多个标靶液滴至腔室。排气模块配置以根据一第一气体流量而将对应于上述标靶液滴的碎屑抽出上述腔室。测量装置配置以测量在腔室中碎屑的浓度。控制器耦接于测量装置与排气模块，并配置以根据碎屑的所测量的浓度而调整第一气体流量。
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公开(公告)号：CN109581822A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811124986.8
申请日：2018-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了极紫外光辐射的光源及其产生方法、极紫外光微影系统。提供了一种用于极紫外光辐射的光源。光源包括目标液滴产生器、激光产生器、测量装置、以及控制器。目标液滴产生器配置成提供目标液滴至源槽。激光产生器配置成根据控制信号，提供第一激光脉冲，以照射源槽中的目标液滴，进而产生作为极紫外光辐射的等离子体。测量装置配置成测量工艺参数，工艺参数包括源槽的温度、目标液滴的液滴位置、以及第一激光脉冲的光束尺寸以及焦点。控制器配置成根据至少两个工艺参数，提供控制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109581819B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201811094242.6
申请日：2018-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例提供一种放射源设备。上述放射源设备包括一腔室、一标靶液滴产生器、一排气模块、一测量装置以及一控制器。标靶液滴产生器配置以提供多个标靶液滴至腔室。排气模块配置以根据一第一气体流量而将对应于上述标靶液滴的碎屑抽出上述腔室。测量装置配置以测量在腔室中碎屑的浓度。控制器耦接于测量装置与排气模块，并配置以根据碎屑的所测量的浓度而调整第一气体流量。
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公开(公告)号：CN109581822B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201811124986.8
申请日：2018-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了极紫外光辐射的光源及其产生方法、极紫外光微影系统。提供了一种用于极紫外光辐射的光源。光源包括目标液滴产生器、激光产生器、测量装置、以及控制器。目标液滴产生器配置成提供目标液滴至源槽。激光产生器配置成根据控制信号，提供第一激光脉冲，以照射源槽中的目标液滴，进而产生作为极紫外光辐射的等离子体。测量装置配置成测量工艺参数，工艺参数包括源槽的温度、目标液滴的液滴位置、以及第一激光脉冲的光束尺寸以及焦点。控制器配置成根据至少两个工艺参数，提供控制信号。
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公开(公告)号：CN113267962A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110176336.3
申请日：2021-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光蚀刻系统，用于控制极紫外光微影光源中的电浆位置，此系统可包括真空腔室；液滴产生器，用以将液滴流分配至真空腔室中，其中液滴是由金属材料形成；激光光源，用以将包括至少第一脉冲及第二脉冲的多个激光脉冲发射至真空腔室中；感测器，用以侦测腔室内的已观察到的电浆位置，其中已观察到的电浆位置包括多个激光脉冲将液滴流的液滴汽化以产生发出极紫外光辐射的电浆的位置；及第一反馈回路，将感测器连接至激光光源，其中第一反馈回路调整第一及第二脉冲之间的时间延迟以最小化已观察到的电浆位置与目标电浆位置之间的差。
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公开(公告)号：CN113253573A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110069440.2
申请日：2021-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种极紫外光源以及使用极紫外光源图案化基材上的光阻层的方法。举例来说，此极紫外光源包含一容积(Volume)，以收集电浆生成制程后所残留的液态锡碎屑，耦接至此容积的一外盖，其中此外盖包含至少一开口，以容许液态锡碎屑穿过此至少一个开口而掉落至此容积中，以及耦接至此外盖的一加热器，其中此加热器是用以熔化固态锡，此固态锡是由位于外盖表面的开口周围的液态锡碎屑冷却而成。
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