公开(公告)号：CN114911138A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202110732867.6

申请日：2021-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡政宏 ,  余昇刚 ,  简上傑 ,  刘恒信 ,  陈立锐

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种微影系统与其操作的方法，操作微影系统的方法包括沉积遮罩层在基材上、根据图案将反射自微影系统的组合式集光器的集光器中央区的第一辐射导向遮罩层、根据图案将反射自组合式集光器的第一集光器周边区的第二辐射导向遮罩层，其中第一集光器周边区通过第一缝隙与集光器中央区垂直隔开。操作微影系统的方法包括移除遮罩层的数个第一区域和数个第二区域以形成数个开口在此遮罩层中，其中遮罩层的第一区域暴露在第一辐射及遮罩层的第二区域暴露在第二辐射。操作微影系统的方法包括移除显露在开口中位于此遮罩层下方的层的材料。

公开(公告)号：CN110967937B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201910924598.6

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思妤 ,  许哲彰 ,  杨基 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置。本揭露的一实施方式提供一种用于产生极紫外(EUV)辐射的源，此辐射源包括围绕低气压环境的腔室。进气口经配置以在腔室中提供清洗气体。将多个排气口提供至腔室，每个排气口具有对应闸阀，闸阀包括对应于将腔室与EUV扫描器分隔的排气口的扫描器闸阀。压力感测器设置在腔室内部并邻近于扫描器闸阀。控制器经配置以基于压力感测器的输出来控制除扫描器闸阀之外的闸阀。如此一来，用于产生极紫外(EUV)辐射的源将可具有较长的寿命。

公开(公告)号：CN113759669A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110789100.7

申请日：2021-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政轩 ,  蔡明训 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 本揭露描述了一种颗粒去除装置，以及使用这种装置的方法。该装置包括具有主体的手持模块。主体中形成有一或多个第一通道及一或多个第二通道。主体包括喷嘴，并且手持模块用以通过喷嘴提供抽吸并通过喷嘴注入电离液流。主体进一步包括附接至喷嘴的手柄。

公开(公告)号：CN106483772A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510860745.X

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书豪 ,  陈家桢 ,  陈政宏 ,  高国璋 ,  简铭进 ,  简上傑 ,  严涛南 ,  黄建元

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70866 ,  G03F7/70925

Abstract: 一种微影术系统及其使用方法，微影术系统包括一负载锁定腔室，此负载锁定腔室包括配置用以接收遮罩的开口；曝光模块，其配置用以经由使用遮罩，使半导体晶圆曝露于光源；及清洗模块，其嵌入在此微影术工具内，此清洗模块配置用以自遮罩清洗碳粒子。本发明内容可提供一种用于高级微影术技术中，保持遮罩干净且无缺陷的方法。此方法所形成的干净无缺陷遮罩，可提升微影术工艺的良率与精准度。

公开(公告)号：CN113759669B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202110789100.7

申请日：2021-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政轩 ,  蔡明训 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 本揭露描述了一种颗粒去除装置，以及使用这种装置的方法。该装置包括具有主体的手持模块。主体中形成有一或多个第一通道及一或多个第二通道。主体包括喷嘴，并且手持模块用以通过喷嘴提供抽吸并通过喷嘴注入电离液流。主体进一步包括附接至喷嘴的手柄。

公开(公告)号：CN115524934A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210399898.9

申请日：2022-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙于洸 ,  蔡明训 ,  陈宇桓 ,  程薇心 ,  赖政豪 ,  陈鑫封 ,  郑乔华 ,  吴政轩 ,  罗煜发 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种操作极紫外光微影系统的方法，微影系统利用锡滴产生用于微影的极紫外辐射。微影系统用激光照射液滴。液滴经激励且发出极紫外辐射。收集器将极紫外辐射反射至微影靶。微影系统将液滴源与氧化剂隔离以防止喷嘴氧化或在喷嘴上形成金属氧化物，这两者皆会不利地影响喷嘴产生足够量的液滴及/或将液滴引导至所需方向的能力。

公开(公告)号：CN115524929A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210112285.2

申请日：2022-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡政宏 ,  余昇刚 ,  简上傑 ,  刘恒信 ,  陈立锐

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00

Abstract: 一种极紫外光源设备及其操作方法，极紫外光源设备包括金属液滴产生器、收集器反射镜、用于接收激发激光的激发激光入口、用以反射穿过激发区域的激发激光的第一反射镜，及用以反射由第一反射镜反射的激发激光的第二反射镜。

公开(公告)号：CN114975088A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210100725.2

申请日：2022-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宇桓 ,  黄昱智 ,  彭彦安 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 一种晶圆台的操作方法，包含将晶圆台移动到微影腔室的桌体上的第一站；将晶圆放置在晶圆台的顶面上；从第一激光发射器向晶圆台的第一侧壁上的第一分光镜发射第一激光，其中第一激光的第一部分被第一分光镜反射以形成第一反射激光，而第一激光的第二部分穿过第一分光镜以形成第一穿透激光；根据第一反射激光计算晶圆台在第一轴上的位置；在计算出晶圆台的位置后，将晶圆台移动到桌体上的第二站；以及当晶圆台位于第二站时，对晶圆进行微影制程。

公开(公告)号：CN114967359A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210282272.X

申请日：2022-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡政宏 ,  余昇刚 ,  简上傑 ,  刘恒信 ,  陈立锐

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外光刻设备及其方法，光刻设备的来源容器内收集导片的碎屑的微波加热用于实现均匀的温度分布，以减少在导片的内外表面上的落下污染和堵塞物的形成。

公开(公告)号：CN114815513A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210054147.3

申请日：2022-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑乔华 ,  陈鑫封 ,  罗煜发 ,  孙于洸 ,  程薇心 ,  陈宇桓 ,  蔡明训 ,  赖政豪 ,  吴政轩 ,  简上傑 ,  刘恒信 ,  陈立锐 ,  余昇刚

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00

Abstract: 提供了一种辐射源设备及其使用方法。方法包括：将第一液滴产生器组装到容器的接口上；将靶液滴从第一液滴产生器喷射到在收集器前方的激发区域；朝向激发区域发射激光，使得靶液滴由激光加热以产生极紫外(EUV)辐射；停止喷射靶液滴；在停止喷射靶液滴之后，从容器的接口拆卸第一液滴产生器；在从容器的接口拆卸第一液滴产生器之后，将清洗装置穿过接口插入容器中；以及通过使用清洗装置来清洗收集器。