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    功率放大器结构及其形成方法、电子设备
    3.
    发明公开
    功率放大器结构及其形成方法、电子设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN115913153A

    公开(公告)日：2023-04-04

    申请号：CN202210760103.2

    申请日：2022-06-29

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 陈文生 ,  叶恩祥 ,  叶子祯

    IPC分类号： H03F3/21 ,  H03F1/30 ,  H03F1/02 ,  H03F1/32

    摘要： 功率放大器结构包括至少一个功率放大器电路。功率放大器电路包括第一类型的晶体管，第一类型的晶体管与第二类型的晶体管串联连接在相同的电源之间。在非限制性非排他性示例中，n型晶体管与p型晶体管串联连接在Vdd之间。功率放大器结构可以包括配置在差分放大器结构中的两个放大器电路。差分放大器结构包括可操作地并联连接在相同的电源之间的两个放大器电路。本发明的实施例还涉及形成功率放大器结构的方法和电子设备。

    具有切换模式的无线发射器
    4.
    发明公开
    具有切换模式的无线发射器 无效

    公开(公告)号：CN107968664A

    公开(公告)日：2018-04-27

    申请号：CN201710662821.5

    申请日：2017-08-04

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 陈文生 ,  罗安训 ,  叶恩祥 ,  叶子祯

    IPC分类号： H04B1/04

    摘要： 本发明实施例揭露一种具有切换模式的无线发射器。具体而言，本发明实施例提供一种无线发射器，其包含：放大器；及可切换变压器，其耦合到所述放大器，其中所述放大器经配置以在第一配置及第二配置中耦合到所述可切换变压器，其中所述第一配置引起所述放大器将第一输出阻抗提供到所述可切换变压器，且其中所述第二配置引起所述放大器将第二输出阻抗提供到所述可切换变压器，所述第一输出阻抗及所述第二输出阻抗彼此不同。

    具有多边形电感元件的半导体装置
    5.
    发明授权
    具有多边形电感元件的半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN109860144B

    公开(公告)日：2022-06-14

    申请号：CN201811128377.X

    申请日：2018-09-27

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 陈文生 ,  罗安训 ,  叶恩祥 ,  叶子祯

    IPC分类号： H01L23/522

    摘要： 本发明实施例涉及一种具有多边形电感元件的半导体装置，其包括：多边形电感元件，其安置于衬底上的第一层上，所述多边形电感元件包括第一线部分；第一导线，其安置于所述衬底上的第二层上；第二导线，其安置于所述衬底上的第三层上；及第导电通路，其经布置以将所述第二导线电耦合到所述第一导线；其中所述第一层不同于所述第二层及所述第三层，所述第一导线电连接到参考电压，且从所述半导体装置的顶部观看，所述第一导线与所述第一线部分交叉。

    具有多边形电感元件的半导体装置
    6.
    发明公开
    具有多边形电感元件的半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN109860144A

    公开(公告)日：2019-06-07

    申请号：CN201811128377.X

    申请日：2018-09-27

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 陈文生 ,  罗安训 ,  叶恩祥 ,  叶子祯

    IPC分类号： H01L23/522

    摘要： 本发明实施例涉及一种具有多边形电感元件的半导体装置，其包括：多边形电感元件，其安置于衬底上的第一层上，所述多边形电感元件包括第一线部分；第一导线，其安置于所述衬底上的第二层上；第二导线，其安置于所述衬底上的第三层上；及第导电通路，其经布置以将所述第二导线电耦合到所述第一导线；其中所述第一层不同于所述第二层及所述第三层，所述第一导线电连接到参考电压，且从所述半导体装置的顶部观看，所述第一导线与所述第一线部分交叉。