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公开(公告)号：CN109860144B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201811128377.X
申请日：2018-09-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522
摘要： 本发明实施例涉及一种具有多边形电感元件的半导体装置，其包括：多边形电感元件，其安置于衬底上的第一层上，所述多边形电感元件包括第一线部分；第一导线，其安置于所述衬底上的第二层上；第二导线，其安置于所述衬底上的第三层上；及第导电通路，其经布置以将所述第二导线电耦合到所述第一导线；其中所述第一层不同于所述第二层及所述第三层，所述第一导线电连接到参考电压，且从所述半导体装置的顶部观看，所述第一导线与所述第一线部分交叉。
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公开(公告)号：CN108962876A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810603222.0
申请日：2013-05-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L25/03 , H01L25/10 , H01L25/16 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/683 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/76885 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68372 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2224/82 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： POP结构及其形成方法。一种器件包括与底部封装件接合的顶部封装件。底部封装件包括模塑材料；在模塑材料中模制的器件管芯；穿透模塑材料的组件通孔(TAV)；以及位于器件管芯上方的再分配线。顶部封装件包括封装在其中的分立无源器件。分立无源器件与再分配线电连接。
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公开(公告)号：CN104037157A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310226499.3
申请日：2013-06-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01P1/2007 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H03H7/0138 , H03H2001/0092 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了用于集成电路的扼流器以及用于选择性过滤一个或多个RF频率带宽内的RF信号的一种或多种技术及系统。具体地，提供了被配置为选择性过滤这种RF信号的诸如3D RF扼流器或半集总RF扼流器的RF扼流器。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电感元件的金属连线。在一个实例中，诸如金属开路枝节的一条或多条金属线被形成为RF扼流器的电容元件。在另一个实例中，一个或多个通孔被形成为RF扼流器的电容元件。以这种方式，RF扼流器允许DC电源信号通过金属连线而阻止一个或多个RF频带内的RF信号通过金属连线。
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公开(公告)号：CN109860144A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811128377.X
申请日：2018-09-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522
摘要： 本发明实施例涉及一种具有多边形电感元件的半导体装置，其包括：多边形电感元件，其安置于衬底上的第一层上，所述多边形电感元件包括第一线部分；第一导线，其安置于所述衬底上的第二层上；第二导线，其安置于所述衬底上的第三层上；及第导电通路，其经布置以将所述第二导线电耦合到所述第一导线；其中所述第一层不同于所述第二层及所述第三层，所述第一导线电连接到参考电压，且从所述半导体装置的顶部观看，所述第一导线与所述第一线部分交叉。
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公开(公告)号：CN108023550A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710661606.3
申请日：2017-08-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H03F1/342 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2203/45018 , H03F2203/45306 , H03F1/26 , H03F3/45076 , H03F3/45479 , H04B1/40
摘要： 本揭露涉及无线接收器。本发明实施例揭露一种低噪声放大器LNA，其包含：一对n型晶体管，其各经配置以提供第一跨导；一对p型晶体管，其各经配置以提供第二跨导；第一对耦合电容器，其交叉耦合在所述对n型晶体管之间且经配置以对所述第一跨导提供第一提升系数；及第二对耦合电容器，其交叉耦合在所述对p型晶体管之间且经配置以对所述第二跨导提供第二提升系数，其中所述LNA经配置以使用基于所述第一提升系数及所述第二提升系数以及所述第一跨导及所述第二跨导的经提升有效跨导来放大输入信号。
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公开(公告)号：CN103872012A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310087533.3
申请日：2013-03-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/48 , H01L25/16 , H01Q1/22
CPC分类号： H01Q1/2283 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2223/6677 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01Q1/36 , H01Q9/0407 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种天线装置，包括具有多个有源电路的半导体管芯；形成在半导体管芯上方的模塑料层，其中半导体管芯和模塑料层形成扇出封装件；形成在模塑料层上方且在半导体管芯的第一侧上的第一介电层；形成在第一介电层中的第一再分配层；以及形成在半导体管芯上方并且通过第一再分配层连接至多个有源电路的天线结构。本发明还公开了一种形成天线装置的方法。
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公开(公告)号：CN108304020A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711038188.9
申请日：2017-10-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： H03F1/301 , H03F3/193 , H03F3/45183 , H03F3/45246 , H03F3/45475 , H03F3/45632 , H03F3/45928 , H03F2200/135 , H03F2200/294 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/462 , H03F2200/471 , H03F2203/45116 , H03F2203/45512 , G05F1/56
摘要： 本发明实施例涉及低耗电的半导体装置。本发明实施例涉及一种放大单元，其包含转换器及反馈机构。所述转换器具有耦合到供应节点的供应输入。所述转换器进一步具有经配置以接收输入信号的输入端子。所述转换器经配置以放大来自所述输入端子的所述输入信号以产生输出信号。所述反馈机构耦合到所述转换器的所述输入端子，且经配置以基于所述输入信号而引起恒定偏压电流从所述供应节点流动通过所述转换器。
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公开(公告)号：CN103872012B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310087533.3
申请日：2013-03-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/48 , H01L25/16 , H01Q1/22
CPC分类号： H01Q1/2283 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2223/6677 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01Q1/36 , H01Q9/0407 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种天线装置，包括具有多个有源电路的半导体管芯；形成在半导体管芯上方的模塑料层，其中半导体管芯和模塑料层形成扇出封装件；形成在模塑料层上方且在半导体管芯的第一侧上的第一介电层；形成在第一介电层中的第一再分配层；以及形成在半导体管芯上方并且通过第一再分配层连接至多个有源电路的天线结构。本发明还公开了一种形成天线装置的方法。
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公开(公告)号：CN103915421A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310084632.6
申请日：2013-03-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/3185 , H01L25/0652 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105
摘要： 本文公开了用于封装件或者堆叠封装(PoP)器件的方法和装置。一种IC封装件或者PoP器件可以包括连接管芯和去耦电容器的电气通路，其中该电气通路可以具有约8μm至约44μm范围内的宽度和约10μm至约650μm范围内的长度。去耦电容器和管芯可以包含同一封装件中或者位于PoP器件内的不同封装件中，并且通过接触焊盘、再分配层(RDL)和连接件来连接。
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