公开(公告)号：CN107039531A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710057352.4

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘书豪 ,  蔡彦明 ,  魏仲廷 ,  方子韦 ,  张志维 ,  陈建豪 ,  张惠政

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种形成半导体结构的方法，该方法包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在半导体衬底上的第一区域内形成第一栅极以及在第二区域内形成第二栅极；在第一区域内的半导体衬底中形成具有N型掺杂剂的第一半导体材料的第一源极/漏极部件；在第二区域内的半导体衬底中形成具有P型掺杂剂的第二半导体材料的第二源极/漏极部件。该方法进一步包括为第一源极/漏极部件形成第一硅化物部件以及为第二源极/漏极部件形成第二硅化物部件；以及对第一区域和第二区域实施核素的离子注入工艺，从而将该核素引入第一硅化物部件和第二源极/漏极部件。本发明还提供一种半导体结构。

公开(公告)号：CN107039531B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201710057352.4

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘书豪 ,  蔡彦明 ,  魏仲廷 ,  方子韦 ,  张志维 ,  陈建豪 ,  张惠政

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种形成半导体结构的方法，该方法包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在半导体衬底上的第一区域内形成第一栅极以及在第二区域内形成第二栅极；在第一区域内的半导体衬底中形成具有N型掺杂剂的第一半导体材料的第一源极/漏极部件；在第二区域内的半导体衬底中形成具有P型掺杂剂的第二半导体材料的第二源极/漏极部件。该方法进一步包括为第一源极/漏极部件形成第一硅化物部件以及为第二源极/漏极部件形成第二硅化物部件；以及对第一区域和第二区域实施核素的离子注入工艺，从而将该核素引入第一硅化物部件和第二源极/漏极部件。本发明还提供一种半导体结构。