公开(公告)号：CN102315201A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010594455.2

申请日：2010-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建宏 ,  彭锦权 ,  李慈莉 ,  林碧玲 ,  魏伯州 ,  蔡建世

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/367 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法、电阻结构，该半导体结构用以将一具有相邻元件和内连线的电阻的热量消散，包括：一半导体基底；一电阻，设置于半导体基底上；及一热保护结构，设置于电阻上。热保护结构具有多个散热单元，上述散热单元具有与热保护结构热导接触的一末端，和与半导体基底热导接触的另一末端。热保护结构接收电阻产生的热量，且上述散热单元将电阻产生的热量消散至半导体基底。本发明可减少电阻周围元件和内连线的热冲击。