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公开(公告)号:CN101383308A
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200810211802.1
申请日:2008-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
CPC classification number: G01R31/2858 , G01R31/2853 , G01R31/2884 , H01L22/14 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种测量互连特性的方法。此方法包含下列步骤:提供多个互连测试图案。在多个互连测试图案平行连接处形成垫。在多个互连测试图案中的至少一个与垫之间形成至少一个电阻。通过施加电流、电压、和/或机构应力至此垫以测量所述多个互连测试图案的特性。
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公开(公告)号:CN102315201A
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN201010594455.2
申请日:2010-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/367 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/20 , H01L23/3677 , H01L23/5228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体结构及其制造方法、电阻结构,该半导体结构用以将一具有相邻元件和内连线的电阻的热量消散,包括:一半导体基底;一电阻,设置于半导体基底上;及一热保护结构,设置于电阻上。热保护结构具有多个散热单元,上述散热单元具有与热保护结构热导接触的一末端,和与半导体基底热导接触的另一末端。热保护结构接收电阻产生的热量,且上述散热单元将电阻产生的热量消散至半导体基底。本发明可减少电阻周围元件和内连线的热冲击。
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