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公开(公告)号：CN102315201A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010594455.2
申请日：2010-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/367 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/20 , H01L23/3677 , H01L23/5228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体结构及其制造方法、电阻结构，该半导体结构用以将一具有相邻元件和内连线的电阻的热量消散，包括：一半导体基底；一电阻，设置于半导体基底上；及一热保护结构，设置于电阻上。热保护结构具有多个散热单元，上述散热单元具有与热保护结构热导接触的一末端，和与半导体基底热导接触的另一末端。热保护结构接收电阻产生的热量，且上述散热单元将电阻产生的热量消散至半导体基底。本发明可减少电阻周围元件和内连线的热冲击。
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公开(公告)号：CN1901170A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610057343.7
申请日：2006-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置具有：一熔丝位于一半导体基底上的一元件之上；一密封环围绕上述熔丝，上述密封环位于上述元件与上述熔丝之间的至少一金属层中，用以局限熔断上述熔丝时所使用的能量，避免上述能量对上述半导体装置造成损害；以及至少一保护层位于上述密封环内，并位于上述元件与上述熔丝之间，以避免上述元件曝露于上述能量下。本发明所述半导体装置，可以增加半导体基底的可用面积，并使设计于此的元件不会受到熔断熔丝制程的影响而失效。
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公开(公告)号：CN115440803A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210797685.1
申请日：2022-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构包括第一界面氧化物(IO)层、设置在第一界面氧化物层上的第一高K(HK)介电层、以及设置在第一IO层与第一HK介电层之间的界面处的第一偶极子层。HK介电层包括稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。第二栅极结构包括第二IO层、设置在第二IO层上的第二HK介电层、以及设置在第二IO层与第二HK介电层之间的界面处的第二偶极子层。第二HK介电层包括过渡金属掺杂剂和稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。
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公开(公告)号：CN101325172A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200710198722.2
申请日：2007-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02063 , H01L21/31138
Abstract: 一种降低阻容迟滞(RC delay)以改善集成电路的性能的方法性能。根据本发明的实施例，在蚀刻低介电常数电介质之后，在灰化(ash)/冲洗(flush)等离子体工艺中添加反应性蚀刻气体，以去除在蚀刻低介电常数电介质期间所形成的变质层。
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公开(公告)号：CN113113316A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110203587.6
申请日：2021-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种聚合物保护层的形成方法，其包含形成互连结构于基板之上。焊垫可耦合至互连结构，且聚合物材料可沉积于焊垫之上。在一些实施例中，方法进一步包含执行图案化制程来移除部分的聚合物材料以形成开口于聚合物材料中。上述开口直接在焊垫上并暴露该焊垫。另外，方法包含第一清洁制程。固化聚合物材料以形成聚合物保护层以及执行第二清洁制程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101110386B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710109623.2
申请日：2007-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L2221/1047
Abstract: 本发明提供一种高可靠度的集成电路内连线结构，以及形成此内连线结构的方法。此方法包括提供衬底；形成介电层于所述衬底之上，其中所述介电层的材料为具有缩小与弯曲能力的材料；执行第一缩小工艺，其中该第一缩小工艺使该介电层的孔隙不完全形成并使所述介电层缩小且具有第一缩小率；于执行第一缩小工艺之后，形成导电结构于所述介电层中；以及于形成导电结构之后，执行第二缩小工艺，其中所述介电层实质上缩小形成一弯曲部分且具有第二缩小率。本发明的优点包括当形成扩散阻障层时，具有较低的孔隙度而改善扩散阻障层，以及较长的电迁移路径而减少了电迁移。
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公开(公告)号：CN103777470A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310046337.1
申请日：2013-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2002 , G03F7/20 , G03F7/70916 , G03F7/70933
Abstract: 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。
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公开(公告)号：CN101325172B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710198722.2
申请日：2007-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02063 , H01L21/31138
Abstract: 一种降低阻容迟滞(RC delay)以改善集成电路的性能的方法性能。根据本发明的实施例，在蚀刻低介电常数电介质之后，在灰化(ash)/冲洗(flush)等离子体工艺中添加反应性蚀刻气体，以去除在蚀刻低介电常数电介质期间所形成的变质层。
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公开(公告)号：CN100452364C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610057343.7
申请日：2006-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置具有：一熔丝位于一半导体基底上的一元件之上；一密封环围绕上述熔丝，上述密封环位于上述元件与上述熔丝之间的至少一金属层中，用以局限熔断上述熔丝时所使用的能量，避免上述能量对上述半导体装置造成损害；以及至少一保护层位于上述密封环内，并位于上述元件与上述熔丝之间，以避免上述元件曝露于上述能量下。本发明所述半导体装置，可以增加半导体基底的可用面积，并使设计于此的元件不会受到熔断熔丝工艺的影响而失效。
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公开(公告)号：CN114300416A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011392694.X
申请日：2020-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括形成鳍结构，该鳍结构包括在衬底之上交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层。跨鳍结构形成虚设栅极结构。去除鳍结构的暴露的第二部分。使用包括含氢气体和含氟气体的气体混合物执行选择性蚀刻工艺，以使第一半导体层横向凹陷。在经横向凹陷的第一半导体层的相反端面形成内部间隔件。在第二半导体层的相反端面形成源极/漏极外延结构。去除虚设栅极结构以暴露鳍结构的第一部分。去除经横向凹陷的第一半导体层。形成栅极结构以围绕每个第二半导体层。
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