公开(公告)号：CN112242381B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202010690879.2

申请日：2020-07-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  黄子芸 ,  何明哲 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

Abstract: 在实施例中，集成电路器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂；以及再分布结构，再分布结构包括：位于密封剂和集成电路管芯上方的多个介电层；以及位于介电层中的多个金属化图案，该金属化图案电连接至集成电路管芯；以及位于介电层中的密封环，该密封环围绕金属化图案延伸，该密封环与金属化图案和集成电路管芯电隔离，该密封环包括多个密封环层，每个密封环层包括延伸穿过相应的一个介电层的通孔部分，每个密封环层的通孔部分沿着同一共用轴线对准。本发明的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN109727953A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810045170.X

申请日：2018-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子芸 ,  何明哲

IPC: H01L23/538

Abstract: 提供一种重布线路结构，所述重布线路结构电连接到位于所述重布线路结构之下的管芯。所述重布线路结构包括介电层及导电层。所述介电层局部地覆盖所述管芯，使得所述管芯的导电柱被所述介电层暴露出。所述导电层设置在所述介电层之上且通过所述导电柱电连接到所述管芯。所述导电层包括多层式结构，其中所述多层式结构的一个层的平均粒径小于或等于2μm。还提供一种制作重布线路结构及集成扇出型封装体的方法。

公开(公告)号：CN112242381A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010690879.2

申请日：2020-07-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  黄子芸 ,  何明哲 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

Abstract: 在实施例中，集成电路器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂；以及再分布结构，再分布结构包括：位于密封剂和集成电路管芯上方的多个介电层；以及位于介电层中的多个金属化图案，该金属化图案电连接至集成电路管芯；以及位于介电层中的密封环，该密封环围绕金属化图案延伸，该密封环与金属化图案和集成电路管芯电隔离，该密封环包括多个密封环层，每个密封环层包括延伸穿过相应的一个介电层的通孔部分，每个密封环层的通孔部分沿着同一共用轴线对准。本发明的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN107195618B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201610757064.5

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗徽 ,  郭宏瑞 ,  何明哲 ,  黄子芸

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 一种重布线路结构，电性连接于位于其下方的至少一导体。重布线路结构包括介电层、对位标记及重布导电层。介电层覆盖导体且包括用来暴露该导体的至少一接触开口。对位标记配置在介电层上，对位标记包括位于介电层上的基部及位于基部上的凸出部，其中凸出部的最大厚度与基部的厚度的比值小于25％。重布导电层配置在介电层上，重布导电层包括导通孔，且导通孔通过接触开口电性连接至导体。

公开(公告)号：CN107195618A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201610757064.5

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗徽 ,  郭宏瑞 ,  何明哲 ,  黄子芸

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 一种重布线路结构，电性连接于位于其下方的至少一导体。重布线路结构包括介电层、对位标记及重布导电层。介电层覆盖导体且包括用来暴露该导体的至少一接触开口。对位标记配置在介电层上，对位标记包括位于介电层上的基部及位于基部上的凸出部，其中凸出部的最大厚度与基部的厚度的比值小于25％。重布导电层配置在介电层上，重布导电层包括导通孔，且导通孔通过接触开口电性连接至导体。