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公开(公告)号：CN109148492B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201710864165.7
申请日：2017-09-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供一种光传感装置的结构及制造方法。此光传感装置包含半导体基底和在半导体基底中的光感测区域。光传感装置也包含在半导体基底上方且与光感测区域对齐的滤光元件。滤光元件具有第一部分及第二部分，且第一部分位于第二部分与光感测区域之间。光传感装置还包含在半导体基底上方且在滤光元件的第一部分旁边的遮光元件。此外，光传感装置包含在遮光元件上且在滤光元件的第二部分旁边的介电元件。遮光元件的顶部宽度大于介电元件的底部宽度。
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公开(公告)号：CN109427831A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711224959.3
申请日：2017-11-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685
摘要： 本发明实施例涉及一种影像感测器装置，影像感测器装置包括半导体基板、隔离结构、反射栅、第一滤色器及第二滤色器。半导体基板具有第一感光区及第二感光区，第二感光区邻近第一感光区；隔离结构位于半导体基板中且围绕第一感光区及第二感光区，其中隔离结构隔开第一感光区及第二感光区；反射栅位于隔离结构上且围绕第一感光区及第二感光区，其中反射栅的第一部分位于第一感光区及第二感光区间，且第一部分具有第一沟槽；第一滤色器位于第一感光区上且延伸进入第一沟槽中；第二滤色器位于第二感光区上且延伸进入第一沟槽中，以在第一沟槽中直接接触第一滤色器。
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公开(公告)号：CN104299976B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201310488049.1
申请日：2013-10-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0232 , H01L27/14621 , H01L27/14667 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种集成电路器件，其中，光电二极管阵列形成在半导体衬底的表面处。包括多层电介质的介电结构形成在光电二极管上方。滤色器阵列形成在光电二极管上方及介电结构内。滤色器的底部沿介电结构的两层之间的界面对准。界面提供允许良好的控制沟槽深度的蚀刻停止，沟槽用于在其中形成滤色器。
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公开(公告)号：CN109841640A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810434110.7
申请日：2018-05-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例涉及一种具有在前段制程工艺期间形成的焊盘结构的图像传感器及其形成方法。可以在形成背侧深沟槽隔离结构和金属栅格结构之前形成焊盘结构。在图像传感器件的背侧上形成开口以暴露嵌入式焊盘结构并形成电连接。
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公开(公告)号：CN109841640B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810434110.7
申请日：2018-05-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例涉及一种具有在前段制程工艺期间形成的焊盘结构的图像传感器及其形成方法。可以在形成背侧深沟槽隔离结构和金属栅格结构之前形成焊盘结构。在图像传感器件的背侧上形成开口以暴露嵌入式焊盘结构并形成电连接。
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公开(公告)号：CN109786404B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810805771.6
申请日：2018-07-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开实施例涉及图像传感器器件、图像传感器系统及其形成方法。本公开实施例涉及一种用于减小在图像传感器器件中的烘干工艺之后滤色器的表面变形的方法。可通过在烘干之前增大滤色器的表面面积来减小表面变形。例如，在图像传感器器件的半导体层的上方形成栅极结构，其中栅极结构包括具有一个或多个单元的第一区域，其中一个或多个单元具有共同侧壁；在栅极结构的第二区域中设置一个或多个滤色器；使栅极结构的第一区域中的共同侧壁凹陷以形成具有凹陷的共同侧壁的单元组；以及在该组单元中设置另一滤色器。
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公开(公告)号：CN109786404A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810805771.6
申请日：2018-07-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开实施例涉及图像传感器器件、图像传感器系统及其形成方法。本公开实施例涉及一种用于减小在图像传感器器件中的烘干工艺之后滤色器的表面变形的方法。可通过在烘干之前增大滤色器的表面面积来减小表面变形。例如，在图像传感器器件的半导体层的上方形成栅极结构，其中栅极结构包括具有一个或多个单元的第一区域，其中一个或多个单元具有共同侧壁；在栅极结构的第二区域中设置一个或多个滤色器；使栅极结构的第一区域中的共同侧壁凹陷以形成具有凹陷的共同侧壁的单元组；以及在该组单元中设置另一滤色器。
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公开(公告)号：CN109148492A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710864165.7
申请日：2017-09-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14629 , H01L27/14685 , H01L27/14625
摘要： 提供一种光传感装置的结构及制造方法。此光传感装置包含半导体基底和在半导体基底中的光感测区域。光传感装置也包含在半导体基底上方且与光感测区域对齐的滤光元件。滤光元件具有第一部分及第二部分，且第一部分位于第二部分与光感测区域之间。光传感装置还包含在半导体基底上方且在滤光元件的第一部分旁边的遮光元件。此外，光传感装置包含在遮光元件上且在滤光元件的第二部分旁边的介电元件。遮光元件的顶部宽度大于介电元件的底部宽度。
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公开(公告)号：CN104299976A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310488049.1
申请日：2013-10-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0232 , H01L27/14621 , H01L27/14667 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种集成电路器件，其中，光电二极管阵列形成在半导体衬底的表面处。包括多层电介质的介电结构形成在光电二极管上方。滤色器阵列形成在光电二极管上方及介电结构内。滤色器的底部沿介电结构的两层之间的界面对准。界面提供允许良好的控制沟槽深度的蚀刻停止，沟槽用于在其中形成滤色器。
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