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公开(公告)号：CN109427831A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711224959.3
申请日：2017-11-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685
摘要： 本发明实施例涉及一种影像感测器装置，影像感测器装置包括半导体基板、隔离结构、反射栅、第一滤色器及第二滤色器。半导体基板具有第一感光区及第二感光区，第二感光区邻近第一感光区；隔离结构位于半导体基板中且围绕第一感光区及第二感光区，其中隔离结构隔开第一感光区及第二感光区；反射栅位于隔离结构上且围绕第一感光区及第二感光区，其中反射栅的第一部分位于第一感光区及第二感光区间，且第一部分具有第一沟槽；第一滤色器位于第一感光区上且延伸进入第一沟槽中；第二滤色器位于第二感光区上且延伸进入第一沟槽中，以在第一沟槽中直接接触第一滤色器。
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公开(公告)号：CN104377183B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410341703.0
申请日：2014-07-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5226 , G06F17/5077 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/03616 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05022 , H01L2224/05085 , H01L2224/05092 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/16145 , H01L2224/29006 , H01L2224/29186 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体器件，包括第一层、第二层和通孔，其中，第一层包括多个第一层金属焊盘；第二层形成在第一层的顶部上，该第二层包括多个第二层金属焊盘；并且通孔将第一层金属焊盘连接至第二层金属焊盘。第一层金属焊盘和第二层金属焊盘之间的表面区域重叠低于规定的阈值。本发明涉及用于多层金属布局的金属焊盘偏移。
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公开(公告)号：CN113078177B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110201416.X
申请日：2021-02-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01R29/08
摘要： 本发明的实施例提供了一种IC结构，包括：具有第一掺杂类型以及包括上表面的衬底区域；在该衬底区域内的第一和第二区域，第一和第二区域中的每一个均具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；以及栅极导体，包括在垂直于上表面的平面的方向上延伸到衬底区域中的多个导电突起部。导电突起部彼此电连接，并且每个导电突起部的至少一部分位于第一与第二区域之间。本发明的实施例还提供了一种检测电磁辐射的方法。
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公开(公告)号：CN113725240B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110177764.8
申请日：2021-02-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成图像传感器；从半导体衬底的背侧减薄半导体衬底；在半导体衬底的背侧上形成介电层；以及在半导体衬底的背侧上形成聚合物栅格。该聚合物栅格具有第一折射率值。该方法还包括在聚合物栅格中形成滤色器，其中，滤色器具有高于第一折射率值的第二折射率值；以及在滤色器上形成微透镜。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN104377183A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410341703.0
申请日：2014-07-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5226 , G06F17/5077 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/03616 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05022 , H01L2224/05085 , H01L2224/05092 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/16145 , H01L2224/29006 , H01L2224/29186 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体器件，包括第一层、第二层和通孔，其中，第一层包括多个第一层金属焊盘；第二层形成在第一层的顶部上，该第二层包括多个第二层金属焊盘；并且通孔将第一层金属焊盘连接至第二层金属焊盘。第一层金属焊盘和第二层金属焊盘之间的表面区域重叠低于规定的阈值。本发明涉及用于多层金属布局的金属焊盘偏移。
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公开(公告)号：CN117133781A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310495342.4
申请日：2023-05-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请提供了图像传感器结构及其形成方法。公开了一种半导体结构。该半导体结构包括被深沟槽隔离结构隔离的多个像素和相邻像素。在实施例中，一种形成半导体结构的方法包括：在衬底上外延生长p型半导体层；在p型半导体层之上外延生长n型半导体层；在n型半导体层的外延生长之后，在n型半导体层中形成p型阱；在n型半导体层中形成n型掺杂区域，该n型掺杂区域被p型阱围绕；形成第一沟槽，该第一沟槽延伸穿过n型半导体层和p型半导体层并围绕p型阱；以及在第一沟槽中形成第一隔离结构。
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公开(公告)号：CN113725240A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110177764.8
申请日：2021-02-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成图像传感器；从半导体衬底的背侧减薄半导体衬底；在半导体衬底的背侧上形成介电层；以及在半导体衬底的背侧上形成聚合物栅格。该聚合物栅格具有第一折射率值。该方法还包括在聚合物栅格中形成滤色器，其中，滤色器具有高于第一折射率值的第二折射率值；以及在滤色器上形成微透镜。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN113078177A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110201416.X
申请日：2021-02-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01R29/08
摘要： 本发明的实施例提供了一种IC结构，包括：具有第一掺杂类型以及包括上表面的衬底区域；在该衬底区域内的第一和第二区域，第一和第二区域中的每一个均具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；以及栅极导体，包括在垂直于上表面的平面的方向上延伸到衬底区域中的多个导电突起部。导电突起部彼此电连接，并且每个导电突起部的至少一部分位于第一与第二区域之间。本发明的实施例还提供了一种检测电磁辐射的方法。
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