一种Ce-Ga-Ni系大块非晶合金

    公开(公告)号:CN104862617A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201510346146.6

    申请日:2015-06-19

    发明人: 张博 朱振西 李宁

    IPC分类号: C22C45/00

    摘要: 本发明公开了一种Ce-Ga-Ni系大块非晶合金,其特征在于Ce-Ga-Ni系大块非晶合金的成分为:Ce60GaxNi40-x(10≤x≤19)、Ce65GaxNi35-x(9≤x≤19)或Ce70GaxNi30-x(11≤x≤17),其中x为Ga元素的原子百分数。本发明的Ce-Ga-Ni系大块非晶合金在较宽的成分范围内均表现出优异的玻璃化形成能力和热稳定性。本发明进一步拓宽了Ce基大块非晶合金的成分体系,有助于Ce基非晶合金的更广泛应用。

    一种Cu-Ti非晶合金薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105002467B

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201510509138.9

    申请日:2015-08-18

    发明人: 张博 朱振西 杨宇

    摘要: 本发明公开了一种Cu‑Ti非晶合金薄膜及其制备方法,其特征在于:非晶合金薄膜的结构式为CuxTi100‑x(54≤x≤66),其中x为Cu元素的原子百分数;与通常的制备工艺不同的是,该非晶合金薄膜通过电子束+电阻蒸发复合镀膜的技术,在制备过程中,金属Ti和金属Cu分别采用电子束和电阻蒸发源蒸镀,衬底基板不需要加冷却装置,简化了制备工艺,降低了生产成本。本发明制备的非晶薄膜,非晶结构明显,可以通过调节蒸镀电流和蒸镀时间,控制非晶薄膜的成分和尺寸。

    Ce-Ga-Cu-Al系大块非晶合金
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104178705B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201410457568.6

    申请日:2014-09-10

    发明人: 张博 周友 朱振西

    IPC分类号: C22C45/00

    摘要: 本发明公开了一种Ce-Ga-Cu-Al系大块非晶合金,该Ce-Ga-Cu-Al系大块非晶合金的结构式为:Ce70-xGa8Cu22Alx,其中x为Al元素的原子百分数,1≦x≦6。与对应的三元Ce-Ga-Cu大块非晶合金相比,该系大块非晶合金的玻璃形成能力、热稳定性能均有所提高,同时依然保持了三元Ce-Ga-Cu合金较低的玻璃化转变温度的优良特性,本发明有助于促进Ce非晶合金的更广泛应用。

    一种Cu-Ti非晶合金薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105002467A

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201510509138.9

    申请日:2015-08-18

    发明人: 张博 朱振西 杨宇

    摘要: 本发明公开了一种Cu-Ti非晶合金薄膜及其制备方法,其特征在于:非晶合金薄膜的结构式为CuxTi100-x(54≤x≤66),其中x为Cu元素的原子百分数;与通常的制备工艺不同的是,该非晶合金薄膜通过电子束+电阻蒸发复合镀膜的技术,在制备过程中,金属Ti和金属Cu分别采用电子束和电阻蒸发源蒸镀,衬底基板不需要加冷却装置,简化了制备工艺,降低了生产成本。本发明制备的非晶薄膜,非晶结构明显,可以通过调节蒸镀电流和蒸镀时间,控制非晶薄膜的成分和尺寸。

    一种Cu‑Ag非晶合金薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105177468B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201510528837.8

    申请日:2015-08-24

    IPC分类号: C22C45/00 C23C14/14 C23C14/24

    摘要: 本发明公开了一种Cu‑Ag非晶合金薄膜及其制备方法,其特征在于非晶合金薄膜的结构式为Cu68Ag32;该非晶合金薄膜是采用真空镀膜法获得,蒸镀方式是最简单的电阻蒸发;在蒸镀实验过程中,将Cu、Ag块料分别置入两个蒸发舟内,抽真空到5×10‑4Pa时,开始镀膜,分别将Cu块和Ag块的蒸发电流调节到125A和100A,整个蒸镀过程采用水冷系统防止靶材温度过高。本发明获得的Cu68Ag32非晶合金薄膜非晶结构明晰,表面致密平整,并且本发明的方法操作简单,成本较低。

    一种Cu-Ag非晶合金薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105177468A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510528837.8

    申请日:2015-08-24

    IPC分类号: C22C45/00 C23C14/14 C23C14/24

    摘要: 本发明公开了一种Cu-Ag非晶合金薄膜及其制备方法,其特征在于非晶合金薄膜的结构式为Cu68Ag32;该非晶合金薄膜是采用真空镀膜法获得,蒸镀方式是最简单的电阻蒸发;在蒸镀实验过程中,将Cu、Ag块料分别置入两个蒸发舟内,抽真空到5×10-4Pa时,开始镀膜,分别将Cu块和Ag块的蒸发电流调节到125A和100A,整个蒸镀过程采用水冷系统防止靶材温度过高。本发明获得的Cu68Ag32非晶合金薄膜非晶结构明晰,表面致密平整,并且本发明的方法操作简单,成本较低。

    一种提高Ce-Ga-Cu系大块非晶合金力学性能的方法

    公开(公告)号:CN105112818A

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201510600547.X

    申请日:2015-09-18

    发明人: 张博 朱振西 吴林

    IPC分类号: C22C45/00 C22C1/03

    摘要: 本发明公开了一种提高Ce-Ga-Cu系大块非晶合金力学性能的方法,其特征在于:是在Ce-Ga-Cu系大块非晶合金中添加微量Fe元素,形成Ce-Ga-Cu-Fe系大块非晶合金,结构式为Ce70-xGa8Cu22Fex,x=1、2或3。与对应的Ce-Ga-Cu块体非晶合金相比,该系大块非晶合金在保持良好的热稳定性和低的玻璃化转变温度这些优良特性的同时,非晶合金的硬度、断裂强度和塑性变形能力有所提高,当x=2时,非晶合金棒材不仅具有最高的断裂强度和显微硬度,并且具有约1%的室温压缩塑性,有助于Ce基非晶合金作为功能材料的应用。

    一种提高Ce‑Ga‑Cu系大块非晶合金力学性能的方法

    公开(公告)号:CN105112818B

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201510600547.X

    申请日:2015-09-18

    发明人: 张博 朱振西 吴林

    IPC分类号: C22C45/00 C22C1/03

    摘要: 本发明公开了一种提高Ce‑Ga‑Cu系大块非晶合金力学性能的方法,其特征在于:是在Ce‑Ga‑Cu系大块非晶合金中添加微量Fe元素,形成Ce‑Ga‑Cu‑Fe系大块非晶合金,结构式为Ce70‑xGa8Cu22Fex,x=1、2或3。与对应的Ce‑Ga‑Cu块体非晶合金相比,该系大块非晶合金在保持良好的热稳定性和低的玻璃化转变温度这些优良特性的同时,非晶合金的硬度、断裂强度和塑性变形能力有所提高,当x=2时,非晶合金棒材不仅具有最高的断裂强度和显微硬度,并且具有约1%的室温压缩塑性,有助于Ce基非晶合金作为功能材料的应用。

    一种厘米级尺寸的Ce‑Ga‑Cu‑Ni系大块非晶合金

    公开(公告)号:CN105002446B

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201510509650.3

    申请日:2015-08-18

    IPC分类号: C22C45/00

    摘要: 本发明公开了一种厘米级尺寸的Ce‑Ga‑Cu‑Ni系大块非晶合金,其结构式为Ce70Ga8.5Cu21.5‑xNix(1.5≤x≤8.5),其中x为Ni元素的原子百分数。与对应的Ce‑Ga‑Cu块体非晶合金相比,该系大块非晶合金在保持良好的热稳定性和低的玻璃化转变温度这些优良特性的同时,非晶合金的玻璃形成能力有大幅提高,当x=3时,甚至能获得20mm的完全非晶棒材。该系大块非晶合金较大的尺寸和近100℃的超塑性成型能力,有助于其在精密零部件和微纳米加工方面的广泛应用。

    一种厘米级尺寸的Ce-Ga-Cu-Ni系大块非晶合金

    公开(公告)号:CN105002446A

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201510509650.3

    申请日:2015-08-18

    IPC分类号: C22C45/00

    摘要: 本发明公开了一种厘米级尺寸的Ce-Ga-Cu-Ni系大块非晶合金,其结构式为Ce70Ga8.5Cu21.5-xNix(1.5≤x≤8.5),其中x为Ni元素的原子百分数。与对应的Ce-Ga-Cu块体非晶合金相比,该系大块非晶合金在保持良好的热稳定性和低的玻璃化转变温度这些优良特性的同时,非晶合金的玻璃形成能力有大幅提高,当x=3时,甚至能获得20mm的完全非晶棒材。该系大块非晶合金较大的尺寸和近100℃的超塑性成型能力,有助于其在精密零部件和微纳米加工方面的广泛应用。