-
公开(公告)号：CN110010698B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201910281442.0
申请日：2019-04-09
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/08 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域。本发明的一种薄膜晶体管，包括设置在基底上的有源层，所述有源层包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源极接触区、漏极接触区；所述有源层的所述源极接触区和所述漏极接触区的靠近所述沟道区的部分为波浪结构。
-
公开(公告)号：CN109727973B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910002207.5
申请日：2019-01-02
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板，属于显示技术领域。本发明的阵列基板的制备方法包括：在基底上形成多层导电层；其中，形成每层所述导电层的步骤包括：通过构图工艺形成包括导电图案和防静电图案的图形，所述导电图案与所述防静电图案电连接；不同层中的所述防静电图案电连接。
-
公开(公告)号：CN109037146A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810836745.X
申请日：2018-07-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/12 , H01L27/32
摘要： 本发明涉及显示技术领域，提出一种阵列基板的制作方法。该方法包括：在基板上形成金属图案层；在所述金属图案层的接触孔位置形成局部光刻胶层，所述接触孔用于连接所述金属图案层与氧化薄膜晶体管的源极或漏极；对所述局部光刻胶层进行离子注入；在所述金属图案层上形成多层功能层；利用第一浓度的刻蚀气体对所述多层功能层的接触孔位置进行刻蚀；利用第二浓度的刻蚀气体对所述局部光刻胶层进行刻蚀，其中，所述第一浓度大于所述第二浓度。本公开提供的阵列基板的制作方法可以避免高浓度刻蚀气体对金属图案层的损坏。
-
公开(公告)号：CN110111712B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201910463495.4
申请日：2019-05-30
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/00
摘要： 本发明提供一种阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置。所述阈值电压漂移检测方法，应用于像素驱动电路，所述像素驱动电路分别与控制线、电压线和检测节点电连接；检测周期包括置位阶段和检测阶段；所述阈值电压漂移检测方法包括：在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态；在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态。本发明可以直接进行偏压温度应力测试，并可以检测出所述像素驱动电路包括的晶体管的阈值电压漂移状态。
-
公开(公告)号：CN109887976B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910173499.9
申请日：2019-03-07
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置。能够对遮光层中可能会发生异常突起的部分进行阻挡，从而能够防止发生短路，提高成品良率。本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底、设置在所述衬底上的遮光层以及设置在所述遮光层远离所述衬底一侧的阻挡层；所述遮光层包括第一遮光图案；所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。本发明实施例用于防止遮光层在后续的薄膜制备工艺的加热作用下发生异常突起而刺穿有源层。
-
公开(公告)号：CN111584427A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010449847.3
申请日：2020-05-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，所述制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上依次形成有源层和栅绝缘层；形成栅极和辅助图形；去除辅助图形上方的掩膜图形，对有源层未被栅绝缘层覆盖的部分采用导体化工艺处理；在栅极上依次形成层间绝缘层、源漏极图形、钝化层和阳极，源漏极图形中的源极通过层间绝缘层上开设的第一过孔与辅助图形连接，源漏极图形中的漏极通过层间绝缘层上开设的第二过孔与第一导体化区连接，阳极通过钝化层上开设的第三过孔与源极连接。根据本发明实施例的制作方法，可以增强有源层部分区域的导体化效果，从而减少导体化的有源层部分与源漏极金属的接触不良，降低信号输入的受阻程度。
-
公开(公告)号：CN110111712A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910463495.4
申请日：2019-05-30
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/00
摘要： 本发明提供一种阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置。所述阈值电压漂移检测方法，应用于像素驱动电路，所述像素驱动电路分别与控制线、电压线和检测节点电连接；检测周期包括置位阶段和检测阶段；所述阈值电压漂移检测方法包括：在所述置位阶段，控制所述像素驱动电路包括的一晶体管处于偏置状态；在所述检测阶段，通过向所述控制线提供预定的控制电压信号，向所述电压线提供预定的电压信号，根据所述检测节点的电位判断该晶体管的阈值电压漂移状态。本发明可以直接进行偏压温度应力测试，并可以检测出所述像素驱动电路包括的晶体管的阈值电压漂移状态。
-
公开(公告)号：CN109004032A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810862119.8
申请日：2018-08-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/34
摘要： 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板。该薄膜晶体管包括衬底以及位于所述衬底上的有源层、源电极、漏电极、栅电极和遮光部，源电极和漏电极分别与所述有源层电连接，栅电极和遮光部位于所述有源层的远离所述衬底的一侧，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部位于所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。遮光部可以对射向有源层的光线进行遮挡，提高薄膜晶体管的电学性能。
-
公开(公告)号：CN111584427B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010449847.3
申请日：2020-05-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，所述制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上依次形成有源层和栅绝缘层；形成栅极和辅助图形；去除辅助图形上方的掩膜图形，对有源层未被栅绝缘层覆盖的部分采用导体化工艺处理；在栅极上依次形成层间绝缘层、源漏极图形、钝化层和阳极，源漏极图形中的源极通过层间绝缘层上开设的第一过孔与辅助图形连接，源漏极图形中的漏极通过层间绝缘层上开设的第二过孔与第一导体化区连接，阳极通过钝化层上开设的第三过孔与源极连接。根据本发明实施例的制作方法，可以增强有源层部分区域的导体化效果，从而减少导体化的有源层部分与源漏极金属的接触不良，降低信号输入的受阻程度。
-
公开(公告)号：CN109037146B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810836745.X
申请日：2018-07-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/12 , H01L27/32
摘要： 本发明涉及显示技术领域，提出一种阵列基板的制作方法。该方法包括：在基板上形成金属图案层；在所述金属图案层的接触孔位置形成局部光刻胶层，所述接触孔用于连接所述金属图案层与氧化薄膜晶体管的源极或漏极；对所述局部光刻胶层进行离子注入；在所述金属图案层上形成多层功能层；利用第一浓度的刻蚀气体对所述多层功能层的接触孔位置进行刻蚀；利用第二浓度的刻蚀气体对所述局部光刻胶层进行刻蚀，其中，所述第一浓度大于所述第二浓度。本公开提供的阵列基板的制作方法可以避免高浓度刻蚀气体对金属图案层的损坏。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.047 秒)
