公开(公告)号：CN111118471A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN202010040561.X

申请日：2020-01-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  万琳丰 ,  王旌丞 ,  成绍恒 ,  王启亮 ,  刘钧松 ,  高楠

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  C30B28/14 ,  C30B29/04 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明的一种高质量多晶金刚石膜制备方法，属于多晶金刚石膜生长的技术领域。主要步骤包括低质量自支撑化学气相沉积金刚石膜的生长、高温退火、超声清洗、MPCVD设备中二次生长等。本发明首先通过高速生长过程获得自支撑金刚石膜，然后在高温退火后，继续生长得到高质量膜。该方法可以大幅提高自支撑金刚石膜制备效率，有利于促进金刚石应用的拓展。

公开(公告)号：CN109881248A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910182374.2

申请日：2019-03-12

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  万琳丰 ,  王旌丞 ,  成绍恒 ,  王启亮 ,  刘钧松 ,  高楠

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167

Abstract: 本发明的氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法，属于半导体材料的技术领域。氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料是以HTHP或CVD方法生长的金刚石单晶为籽晶，在籽晶上生长有N-S共掺杂的金刚石单晶外延层；氮、硫掺杂浓度为1015～1017/cm3。制备中使用H2S或SO2作为S源，N2或NH3为氮源，通过CVD生长样品，制得N-S共掺杂金刚石单晶材料，该材料具有n型导电特征。本发明提出了一种新的掺杂方式，得到稳定的浅能级n型金刚石单晶材料，解决了目前n型金刚石材料施主能级深，载流子浓度低、迁移率小、电阻率高等难题，满足电子器件制作要求，实现高性能金刚石基电子器件的制备和应用。

公开(公告)号：CN109881248B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201910182374.2

申请日：2019-03-12

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  万琳丰 ,  王旌丞 ,  成绍恒 ,  王启亮 ,  刘钧松 ,  高楠

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167

Abstract: 本发明的氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法，属于半导体材料的技术领域。氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料是以HTHP或CVD方法生长的金刚石单晶为籽晶，在籽晶上生长有N‑S共掺杂的金刚石单晶外延层；氮、硫掺杂浓度为1015～1017/cm3。制备中使用H2S或SO2作为S源，N2或NH3为氮源，通过CVD生长样品，制得N‑S共掺杂金刚石单晶材料，该材料具有n型导电特征。本发明提出了一种新的掺杂方式，得到稳定的浅能级n型金刚石单晶材料，解决了目前n型金刚石材料施主能级深，载流子浓度低、迁移率小、电阻率高等难题，满足电子器件制作要求，实现高性能金刚石基电子器件的制备和应用。