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公开(公告)号：CN113529166A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110748010.3
申请日：2021-07-02
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/04 , B82Y40/00 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/56 , C23C28/00
摘要： 本发明的一种生长大面积金刚石单晶的方法，属于大面积金刚石单晶制备技术领域。在清洗过的衬底表面先生长一层(100)取向金刚石织构层；对生长的(100)金刚石织构层进行抛光，用磁控溅射或者真空镀膜方法在抛光的金刚石织构层上沉积铱纳米膜，然后在沉积了铱纳米膜的金刚石织构层上继续生长，利用金刚石生长过程中的横向生长，得到金刚石单晶外延层。本发明提出了一种生长大面积金刚石单晶的新方法，解决了金刚石单晶生长面积小的问题，具有较高的发展前景跟经济价值。
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公开(公告)号：CN113529166B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110748010.3
申请日：2021-07-02
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/04 , B82Y40/00 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/56 , C23C28/00
摘要： 本发明的一种生长大面积金刚石单晶的方法，属于大面积金刚石单晶制备技术领域。在清洗过的衬底表面先生长一层(100)取向金刚石织构层；对生长的(100)金刚石织构层进行抛光，用磁控溅射或者真空镀膜方法在抛光的金刚石织构层上沉积铱纳米膜，然后在沉积了铱纳米膜的金刚石织构层上继续生长，利用金刚石生长过程中的横向生长，得到金刚石单晶外延层。本发明提出了一种生长大面积金刚石单晶的新方法，解决了金刚石单晶生长面积小的问题，具有较高的发展前景跟经济价值。
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公开(公告)号：CN113463192A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110748142.6
申请日：2021-07-02
摘要： 本发明的一种拼接生长金刚石单晶的方法属于金刚石单晶制备技术领域。以金刚石单晶作为籽晶，将2～25片籽晶拼接在一起得到金刚石单晶衬底，在拼接缝处通过磁控溅射或者真空镀膜溅射一层铱膜；利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备在溅射铱膜的金刚石单晶衬底的表面外延生长完整的金刚石单晶外延层，得到金刚石单晶材料，生长面为(100)晶面。本发明提出了一种拼接生长金刚石单晶的新方法，得到高质量的大面积金刚石单晶片。
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公开(公告)号：CN113463192B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110748142.6
申请日：2021-07-02
摘要： 本发明的一种拼接生长金刚石单晶的方法属于金刚石单晶制备技术领域。以金刚石单晶作为籽晶，将2～25片籽晶拼接在一起得到金刚石单晶衬底，在拼接缝处通过磁控溅射或者真空镀膜溅射一层铱膜；利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备在溅射铱膜的金刚石单晶衬底的表面外延生长完整的金刚石单晶外延层，得到金刚石单晶材料，生长面为(100)晶面。本发明提出了一种拼接生长金刚石单晶的新方法，得到高质量的大面积金刚石单晶片。
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公开(公告)号：CN114156482A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111456005.1
申请日：2021-12-02
申请人： 吉林大学
IPC分类号： H01M4/62 , H01M4/66 , H01M10/0562 , H01M10/058
摘要： 本发明公开了一种纳米金刚石电解液和纳米金刚石固体电解质界面的制备方法。本方法具体是通过紫外UV处理纳米金刚石得到氧终端纳米金刚石颗粒，并均匀分散至商用LiPF6电解液制备纳米金刚石电解液。以石墨为负极，锂片为正极，使用纳米金刚石电解液在无水无氧的环境中制得锂离子电池，并在蓝电测试系统上进行充放电循环。在充放电循环过程中，纳米金刚石电解液中的纳米金刚石颗粒在电场力作用下与锂离子一起移动至石墨负极，最终在石墨阳极表面构建纳米金刚石界面。本发明可抑制锂枝晶和负极材料体积膨胀，而且具有较低的界面电阻，利于锂离子的固相扩散，展示出了比容量高、循环性能好、充放电库伦效率高等优良的性能。
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公开(公告)号：CN110632156A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911063770.X
申请日：2019-11-04
申请人： 吉林大学
IPC分类号： G01N27/416
摘要： 本发明的一种用于检测黄曲霉毒素B1的适体传感器及其制备方法属于电化学生物传感器的技术领域，所述的传感器是以硼掺杂金刚石薄膜为基底，由适配体/金纳米颗粒/硼掺杂金刚石复合，且由6-巯基己-1-醇占据金纳米颗粒上空白活性位点构成的复合材料；制备方法包括在P型硅上生长硼掺杂多晶金刚石薄膜、溅射金膜、退火、修饰等步骤。本发明制备的传感器具有很高灵敏度、特异性和实用性，且工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN118539007A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410742584.3
申请日：2024-06-11
申请人： 吉林大学
IPC分类号： H01M10/058 , H01M4/133 , H01M10/0525
摘要： 本发明的一种改性双离子电池的制备方法属于双离子电池制备技术领域。利用超声波作用环境中，超硬纳米金刚石使石墨层剥离并形成寡层卷曲石墨烯，作为双离子电池正极或负极，提升阴阳离子的储存能力。应用表面氟化纳米金刚石作为电解液添加剂，在石墨电极表面形成均匀致密的固态电解质界面，提升电池的长循环稳定性和离子传输效率。将纳米金刚石同时应用于双离子电池电极和电解液的修饰，组装的双碳全电池容量和长循环性能均显著提升。本发明的双离子电池利用金刚石对组件结构的改性和对阴阳离子的强吸附性，提高双离子电池容量，具有良好的成本效益和工业前景。
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公开(公告)号：CN114045555B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111330072.9
申请日：2021-11-11
申请人： 吉林大学
IPC分类号： C30B29/04 , C30B28/14 , C30B33/08 , C23C14/34 , C23C14/16 , C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/56
摘要： 本发明的一种超疏水氧终端多晶硼掺杂金刚石膜的制备方法属于多晶金刚石膜制备的技术领域，步骤包括沉积硼掺杂多晶金刚石薄膜、沉积Au和Cu薄膜、管式炉中高温刻蚀等。本发明首次实现氧终端金刚石膜具有超疏水性，且制备过程以一种简便、易操作、成本较低的方式，本研究将在开发坚硬的超疏水材料领域中具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116864781A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311023107.3
申请日：2023-08-15
申请人： 吉林大学
IPC分类号： H01M10/052 , H01M10/054 , H01M10/0563 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M10/058 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明的锂‑钠混合离子电池及其制备方法，属于离子电池的正极、负极、隔膜和电解液设计与改性技术领域。半电池采用锂‑钠合金对电极，全电池采用以三维多孔Li1.5Na1.5V2(PO4)3‑C为活性材料铝箔为集流体的锂‑钠混合盐正极；负极是以商用石墨为负极极活性材料铜箔为集流体制得；电解液采用主要成分是NaPF6和LiPF6的锂‑钠混合基电解液。隔膜和电解液还可以用纳米金刚石粉进行修饰以提高电池的性能。本发明的锂‑钠混合离子电池实现了锂‑钠离子在同一电池中共存储的概念，具有良好的电化学性能，制备与现有的LIBs生产线兼容，具有成本效益和工业前景。
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