-
公开(公告)号：CN106442644B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610848417.2
申请日：2016-09-26
申请人： 吉林大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 一种基于Ce5Sn3/Sn3O4三维分等级结构的甲醛气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。传感器从下至上依次由Al2O3衬底、Pd金属叉指电极、在Pd金属叉指电极上采用涂覆技术制备的Ce5Sn3/Sn3O4三维分等级结构敏感层组成；Ce5Sn3/Sn3O4三维分等级结构是一种由厚度为70nm～100nm的二维纳米片自组装而成的三维分等级结构，二维纳米片为掺杂了Ce5Sn3的Sn3O4材料，锡和铈的原子质量比为100：0.5～2。本发明制备的一种基于Ce5Sn3/Sn3O4三维分等级结构的甲醛气体传感器具有制备方法简单、成本低廉、响应恢复速度快、有望大规模生产的特点，对甲醛气体具有良好的检测性能。
-
公开(公告)号：CN106024966B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610363130.0
申请日：2016-05-27
申请人： 吉林大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 一种基于多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。按紫外光线入射方向，从下至上依次为：石英片衬底、多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜、通过磁控溅射方法制备的Au叉指电极。多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜的厚度为80～110nm；在该薄膜中，Ti与Ir的摩尔比为1：0.0005～0.002，Ti与Pd的摩尔比为1：0.0005～0.002，Ir‑Pd纳米粒子体系中的Ir纳米粒子和Pd纳米粒子均为多晶面结构。制作多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜材料，可以在Ir，Pd纳米粒子和TiO2三种材料优良性质的基础之上，通过调节掺杂Ir，Pd纳米粒子的量，更好的提升复合材料性能，从而提高器件在紫外探测领域的能力，使新型紫外探测器具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN106442644A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610848417.2
申请日：2016-09-26
申请人： 吉林大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 一种基于Ce5Sn3/Sn3O4三维分等级结构的甲醛气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。传感器从下至上依次由Al2O3衬底、Pd金属插指电极、在Pd金属插指电极上采用涂覆技术制备的Ce5Sn3/Sn3O4三维分等级结构敏感层组成；Ce5Sn3/Sn3O4三维分等级结构是一种由厚度为70nm～100nm的二维纳米片自组装而成的三维分等级结构，二维纳米片为掺杂了Ce5Sn3的Sn3O4材料，锡和铈的原子质量比为100：0.5～2。本发明制备的一种基于Ce5Sn3/Sn3O4三维分等级结构的甲醛气体传感器具有制备方法简单、成本低廉、响应恢复速度快、有望大规模生产的特点，对甲醛气体具有良好的检测性能。
-
公开(公告)号：CN106356421A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610910686.7
申请日：2016-10-20
申请人： 吉林大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 一种基于垂直导电方向的TiO2-NiO异质P-N结所形成光控传输沟道的紫外探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由衬底、采用溶胶-凝胶法在衬底上制备的纳米TiO2薄膜、采用蒸镀法在纳米TiO2薄膜上制备的一对Au引线点、采用蒸镀法及控制氧化法在纳米TiO2薄膜表面和Au引线点上制备的Au/Ni叉指电极、采用蒸镀法及控制氧化法在TiO2薄膜表面和Au/Ni叉指电极上制备的NiO薄膜构成，其中NiO薄膜的厚度为20～60nm。叉指电极间形成垂直于器件导电方向的TiO2-NiO异质P-N结，在暗态下空间电荷区较宽，器件传输沟道较窄，有效限制暗电流；在紫外光照下，P-N结内建电场减弱，空间电荷区变窄，光控传输沟道变宽，实现器件的高光电流。
-
公开(公告)号：CN105928983A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610490157.6
申请日：2016-06-17
申请人： 吉林大学
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 本发明公开了一种乙炔气体传感器及其制备方法，该乙炔气体传感器由Al2O3衬底、Pd金属叉指电极和基于Au纳米粒子修饰SnO2纳米晶敏感层组成。该制备方法的步骤为：把Pd金属叉指电极的Al2O3衬底清洗干净并干燥；室温条件下得到SnO2纳米晶材料；将氯金酸溶于去离子水形成氯金酸溶液，然后将SnO2纳米晶加入到氯金酸溶液中，超声处理后加入氨水，所得产物清洗、干燥、煅烧得到Au纳米粒子修饰的SnO2纳米晶材料，研磨成微球粉末；滴入去离子水，再研磨成浆料；将浆料涂覆在Pd金属叉指电极上，烘干得到以Au纳米粒子修饰SnO2纳米晶为敏感层、以Pd为金属的Pd金属叉指电极的气体传感器。
-
公开(公告)号：CN106910751A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710129567.2
申请日：2017-03-07
申请人： 吉林大学
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L27/1446 , H01L27/1443 , H01L31/18
摘要： 一种基于自耗尽效应的TiO2/NPB异质一维纳米棒阵列紫外探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。其从下至上依次由FTO玻璃基底、感光层TiO2/NPB异质一维纳米棒阵列、Au电极构成；其中，感光层TiO2/NPB异质一维纳米棒阵列由垂直生长在FTO表面的TiO2一维纳米棒阵列、在TiO2一维纳米棒阵列的空隙间填充的NPB材料组成。在N型TiO2一维纳米棒阵列间填充了P型NPB材料后，暗态下，P‑N异质材料产生自耗尽效应并形成内建电场与耗尽区，材料的载流子浓度降低，器件表现为高电阻状态，使器件的暗电流被有效降低。在紫外光照下，光生载流子分离并积累导致耗尽区变窄并直至消失，器件的自耗尽效应被抵消，保证器件具有较高的增益和光电流。
-
公开(公告)号：CN106546637A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610977931.6
申请日：2016-11-08
申请人： 吉林大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 一种以Al掺杂的立方体结构In2O3微米颗粒为敏感层的乙酸乙酯气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。该传感器从下至上依次由Al2O3衬底、Pd金属插指电极、在带有Pd金属叉指电极的Al2O3衬底上采用涂覆技术制备的Al掺杂的立方体结构In2O3微米颗粒敏感层组成；其中Al掺杂的立方体结构In2O3微米颗粒的粒径为1～1.2μm。本发明的乙酸乙酯气体传感器，Al掺杂到立方体结构In2O3微米颗粒中引起晶格缺陷，这些晶格缺陷有利于提高气敏材料的气敏响应。同时本发明的工艺简单、制得的乙酸乙酯气体传感器体积小、适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。本发明具有制备方法简单、成本低廉、响应恢复速度快、有望大规模生产的特点，对乙酸乙酯气体具有良好的检测性能。
-
公开(公告)号：CN106024966A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610363130.0
申请日：2016-05-27
申请人： 吉林大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
摘要： 一种基于多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。按紫外光线入射方向，从下至上依次为：石英片衬底、多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜、通过磁控溅射方法制备的Au叉指电极。多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜的厚度为80～110nm；在该薄膜中，Ti与Ir的摩尔比为1：0.0005～0.002，Ti与Pd的摩尔比为1：0.0005～0.002，Ir‑Pd纳米粒子体系中的Ir纳米粒子和Pd纳米粒子均为多晶面结构。制作多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜材料，可以在Ir，Pd纳米粒子和TiO2三种材料优良性质的基础之上，通过调节掺杂Ir，Pd纳米粒子的量，更好的提升复合材料性能，从而提高器件在紫外探测领域的能力，使新型紫外探测器具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN105928983B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610490157.6
申请日：2016-06-17
申请人： 吉林大学
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 本发明公开了一种乙炔气体传感器及其制备方法，该乙炔气体传感器由Al2O3衬底、Pd金属叉指电极和基于Au纳米粒子修饰SnO2纳米晶敏感层组成。该制备方法的步骤为：把Pd金属叉指电极的Al2O3衬底清洗干净并干燥；室温条件下得到SnO2纳米晶材料；将氯金酸溶于去离子水形成氯金酸溶液，然后将SnO2纳米晶加入到氯金酸溶液中，超声处理后加入氨水，所得产物清洗、干燥、煅烧得到Au纳米粒子修饰的SnO2纳米晶材料，研磨成微球粉末；滴入去离子水，再研磨成浆料；将浆料涂覆在Pd金属叉指电极上，烘干得到以Au纳米粒子修饰SnO2纳米晶为敏感层、以Pd为金属的Pd金属叉指电极的气体传感器。
-
公开(公告)号：CN106910751B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201710129567.2
申请日：2017-03-07
申请人： 吉林大学
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种基于自耗尽效应的TiO2/NPB异质一维纳米棒阵列紫外探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。其从下至上依次由FTO玻璃基底、感光层TiO2/NPB异质一维纳米棒阵列、Au电极构成；其中，感光层TiO2/NPB异质一维纳米棒阵列由垂直生长在FTO表面的TiO2一维纳米棒阵列、在TiO2一维纳米棒阵列的空隙间填充的NPB材料组成。在N型TiO2一维纳米棒阵列间填充了P型NPB材料后，暗态下，P‑N异质材料产生自耗尽效应并形成内建电场与耗尽区，材料的载流子浓度降低，器件表现为高电阻状态，使器件的暗电流被有效降低。在紫外光照下，光生载流子分离并积累导致耗尽区变窄并直至消失，器件的自耗尽效应被抵消，保证器件具有较高的增益和光电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.026 秒)
