一种六方氮化硼体单晶沟槽型中子探测器

    公开(公告)号:CN118210012A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202410335431.7

    申请日:2024-03-22

    IPC分类号: G01T1/24 C01B21/064

    摘要: 一种六方氮化硼体单晶沟槽型中子探测器,由大尺寸六方氮化硼体单晶组成,所述六方氮化硼体单晶的横向面积大于1cm×1cm,厚度大于100μm,既是中子转换层也是载流子收集层,无需额外使用转换层,就可以直接俘获中子,并在层中产生载流子,起到直接探测中子的效果;此外,采用侧端沟槽型横向电极,使得产生的载流子能够快速的在六方氮化硼(002)平面内进行传输,可实现载流子的有效收集。本发明所制作的半导体中子探测器体积小、重量轻、能量分辨率高、探测效率高,可应用于核反应过程监测、核能安全勘探、医疗器械、无损检测和探测、深空探测以及先进电子设备的内部结构探测领域。

    一种甲基铝氧烷及改性甲基铝氧烷的制备方法

    公开(公告)号:CN118126074A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410304493.1

    申请日:2024-03-18

    申请人: 吉林大学

    发明人: 高伟

    IPC分类号: C07F5/06

    摘要: 本发明适用于精细化工合成技术领域,提供了一种甲基铝氧烷及改性甲基铝氧烷的制备方法,包括以下步骤:步骤一、羧酸铝在溶剂中与三甲基铝在一定温度下反应,制备得到甲基铝氧烷前驱体;步骤二、将步骤一所得的甲基铝氧烷前驱体在一定温度下热解,得到甲基铝氧烷;步骤三、将步骤二得到的甲基铝氧烷与长链烷基铝进行混合,加热,然后用溶剂稀释到一定浓度,得到改性甲基铝氧烷。本发明能够有效避免现有反应需要高压、定量困难、无法较大规模生产的缺点,更加有利于实现工业上大规模生产要求,同时提高了甲基铝氧烷及改性甲基铝氧烷的生产速度和安全性。

    基于六方氮化硼纳米片-还原氧化石墨烯复合材料电催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114427103B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202210104267.X

    申请日:2022-01-28

    申请人: 吉林大学

    IPC分类号: C25B11/091 C25B1/04

    摘要: 本发明提供了一种基于六方氮化硼纳米片‑还原氧化石墨烯复合材料电催化剂及其制备方法和应用,属于新材料技术领域。本发明以六方氮化硼纳米片‑还原氧化石墨烯复合材料作为电催化材料,利用水热合成方法,使复合材料产生大量的缺陷位点,再利用冷冻干燥法,使其产生平面异质结构,通过六方氮化硼纳米片与还原氧化石墨烯层间缺陷位点耦合作用,有效降低反应过电位,提高电催化效率,且稳定性佳,可作为无金属催化剂应用在电催化氧还原反应中。(56)对比文件Hongda Li et al..“Boron nitridemodified reduced graphene oxide as solid-phase microextraction coating materialfor the extraction of seven polycyclicaromatic hydrocarbons from water and soilsamples”.Journal of SeparationScience.2021,第44卷(第7期),第1521-1528页.

    一种析氢反应催化剂含菱方(3R)相硒化铌的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116351442A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310125572.1

    申请日:2023-02-16

    申请人: 吉林大学

    摘要: 本发明为一种析氢反应催化剂含菱方(3R)相硒化铌的制备方法及应用。将铌粉、硒粉以摩尔比为0.25:1‑0.5:1的比例均匀混合后压制成片,放入直流电弧等离子体放电装置内水平放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下,将气压升至40kPa,反应电流为60‑100A,阴阳两极间起弧放电,反应完全后冷却钝化至室温。在石墨锅内收集到灰黑色粉末,为菱方(3R)相和六方(2H)相的NbSe2。将含菱方相NbSe2作为析氢反应催化剂,在5mV·s‑1的扫速下,NbSe2在‑10mA·cm‑2的电流密度下可实现302mV的过电势,表明含菱方相NbSe2具有一定的析氢催化活性。

    基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN111710750B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202010588569.X

    申请日:2020-06-24

    申请人: 吉林大学

    发明人: 殷红 李冬冬 高伟

    摘要: 一种基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法,包括衬底、紫外光敏层和叉指电极,其中紫外光敏层为高质量六方氮化硼厚膜,对日盲波段有很好的响应。所述六方氮化硼厚膜本身具有的固有性能非常卓越,通过离子束溅射沉积方法制备六方氮化硼厚膜纯度非常高,具有良好的稳定性、厚度可控、无毒无污染等优点,通过掺杂目标杂质可以调整带隙宽度,从而提高了深紫外光电探测器的光电导增益和短波段光响应,实现紫外光电探测器对日盲波段的有效探测。

    一种单、双苯硫亚胺钒烯烃聚合催化剂的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114380928A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202210002127.1

    申请日:2022-01-04

    申请人: 吉林大学

    摘要: 本发明公开了一种单、双苯硫亚胺钒烯烃聚合催化剂的制备方法和应用,该制备方法是通过将亚胺配体与nBuLi、单质S、VCl3(THF)2相互配合反应得到单、双苯硫亚胺钒烯烃聚合催化剂。本发明提供一类含特殊结构苯硫亚胺钒烯烃聚合催化剂的合成方法及应用,这种含特殊结构苯硫亚胺钒烯烃聚合催化剂合成简易,可以高活性催化乙烯均聚得到低到高分子量的聚乙烯以及高活性催化乙烯与丙烯、1‑丁烯、1‑己烯、1‑辛烯、1‑癸烯、降冰片烯等烯烃共聚,生成高共单体含量、聚烯烃弹性体等聚高性能聚烯烃产品。

    一种阵列式Z字型碳化铌微晶的制备方法

    公开(公告)号:CN109368645B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN201811598488.7

    申请日:2018-12-26

    申请人: 吉林大学

    发明人: 高伟 张晨 殷红

    IPC分类号: C01B32/914 B82Y40/00

    摘要: 此发明涉及一种阵列式Z字型碳化铌微晶的制备方法,属于无机纳米材料的制备领域。制备方法采用直流电弧等离子体放电法;制备条件是高温低压;制备过程是将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨压片,放入直流电弧反应腔室内,调整好阴阳两极距离,在特定条件(氩气、气压10‑40kPa和电流75‑85A等)下起弧、反应、冷却钝化后,既在阳极石墨锅下沿处获得阵列式Z字型碳化铌微晶。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高,同时又能保证样品产率与纯净度。此方法制备的阵列式Z字型碳化铌微晶尺寸均一、排列整齐,可用作太阳能吸收材料的辅料,具有良好应用前景。

    n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法

    公开(公告)号:CN113675261A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202110678790.9

    申请日:2019-05-09

    申请人: 吉林大学

    摘要: 本发明提供了一种n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法,属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅基底上制备氮化硼薄膜;采用共溅射手段,在位碳掺杂得到n型氮化硼薄膜;然后在n型氮化硼薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极,即制得n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过对氮化硼薄膜进行在位碳掺杂,得到电学性能优异的n型电导层,较比于未掺杂、硅掺杂的氮化硼薄膜的电学性能有显著提升;获得了整流特性良好的pn结原型器件。

    一种马鞍状碳化铌微晶的制备方法

    公开(公告)号:CN109502588B

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN201811598055.1

    申请日:2018-12-26

    申请人: 吉林大学

    IPC分类号: C01B32/914

    摘要: 此发明涉及一种马鞍状碳化铌微晶的制备方法,属于无机纳米材料的制备领域。制备方法采用直流电弧等离子体放电法;制备条件是高温低压;制备过程是将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨压片,放入直流电弧反应腔室内,调整好阴阳两极距离,在特定条件(氮气、气压10‑40kPa和电流75‑85A等)下起弧、反应、冷却钝化后,既在阳极石墨锅下沿处获得马鞍状碳化铌微晶,其结构单元为片层状碳化铌堆积而成的三棱椎体,形似马鞍状。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高,同时又能保证样品产率与纯净度。此方法制备的马鞍状碳化铌微晶形状规则、尺寸均一,具有良好应用前景。