公开(公告)号：CN111448026A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201880079862.4

申请日：2018-12-03

申请人： 同和控股(集团)有限公司 ,  顾德系统有限公司

发明人： 青山智胤 ,  成枝宏人 ,  金逸镐 ,  曹明焕

IPC分类号： B23K20/00 ,  H01L23/36 ,  C22C9/00 ,  C22C27/04

摘要： 提供一种包层材料及其制造方法，所述包层材料即使通过加压加工进行冲裁(施加比热冲击更高的剪切力)，也能够防止发生开裂或剥离。在将表面形成有Cu皮膜的石墨粉末烧结而得的Cu-石墨层(12)的各面上，放置至少一个面上形成有由选自Co、Ti、Pd、Pt以及Ni的一种金属构成的金属膜(10a)的Mo-Cu层(10)，以使该金属膜(10a)与其抵接，然后一边在Cu-石墨层(12)和Mo-Cu层(10)之间施加压力一边加热。

公开(公告)号：CN101180420B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200680010759.1

申请日：2006-03-31

申请人： 东北技术使者株式会社 ,  古河机械金属株式会社 ,  三菱化学株式会社 ,  同和控股(集团)有限公司 ,  株式会社EpiValley ,  伟方亮有限公司

发明人： 八百隆文 ,  曹明焕

IPC分类号： C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02614 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： 使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮化物层212。(c)在氮化处理过的金属缓冲层210、212上，生长GaN缓冲层222。(d)最后生长GaN单晶层220。该GaN单晶层220可以根据需要生长为各种厚度。通过上述工序制备的基板，通过选择性化学蚀刻可制备自支撑基板，还可以作为用于制备GaN系发光二极管、激光二极管的GaN模板基板来使用。

公开(公告)号：CN101248221B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200680030873.0

申请日：2006-08-24

申请人： 东北技术使者株式会社 ,  古河机械金属株式会社 ,  三菱化学株式会社 ,  同和控股(集团)有限公司 ,  株式会社EpiValley ,  伟方亮有限公司

发明人： 八百隆文 ,  曹明焕

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0079 ,  H01S5/32341

摘要： 本发明提供一种半导体基板制造方法，本发明的第1技术方案的半导体基板制造方法，其特征在于，该半导体基板制造方法包含：准备基底基板的准备工序；在上述基底基板上叠层至少2层多重层的叠层工序，该多重层包含剥离层及半导体层；分离上述半导体层的分离工序。