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公开(公告)号：CN114933605B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210568212.4
申请日：2022-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07D519/00 , C07F7/08 , C07F9/6561 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K30/10
Abstract: 本发明公开了一种基于苝二酰亚胺‑芴结构的电子型小分子及其制备方法和应用，属于机钙钛矿太阳能电池阴极界面材料及其制备技术领域。本发明解决了现有苝二酰亚胺类小分子作为界面层的钙钛矿器件的效率低的问题。本发明通过通过对苝二酰亚胺‑芴结构的电子型小分子中引入噻吩单元和在酰胺位进行取代，有效调控分子空间构型、分子的溶解性和成膜性，并且取代基的选择具有广泛性，可以有效赋予分子不同的功能官能团和功能侧链，进而提高分子的电导率、电子迁移率、自掺杂性能，有效提高器件的短路电流密度，同时表现出良好的电子传输特性，有效提高器件的开路电压和稳定性。
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公开(公告)号：CN115633441A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211310959.6
申请日：2022-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种印制电路板主被动振动控制装置及振动控制方法，所述装置包括压电控制贴片、压电传感贴片、分流压电阻尼电路、DSP控制模块、放大器模块，其中：压电控制贴片包括主动控制压电驱动贴片和被动控制压电控制贴片；压电传感贴片包括主动控制压电传感贴片和被动控制压电传感贴片；被动控制压电控制贴片与分流压电阻尼电路相连，构成印制电路板被动振动控制部分；主动控制压电驱动贴片和主动控制压电传感贴片分别与放大器模块和DSP控制模块相连，放大器模块和DSP控制模块相连，构成印制电路板主动振动控制部分。本发明能够有效的抑制PCB的振动，显著改善印制电路板及电子设备的动力学环境，提高可靠性以及设备运行的稳定性。
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公开(公告)号：CN114933605A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210568212.4
申请日：2022-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07D519/00 , C07F7/08 , C07F9/6561 , H01L51/42 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一种基于苝二酰亚胺‑芴结构的电子型小分子及其制备方法和应用，属于机钙钛矿太阳能电池阴极界面材料及其制备技术领域。本发明解决了现有苝二酰亚胺类小分子作为界面层的钙钛矿器件的效率低的问题。本发明通过通过对苝二酰亚胺‑芴结构的电子型小分子中引入噻吩单元和在酰胺位进行取代，有效调控分子空间构型、分子的溶解性和成膜性，并且取代基的选择具有广泛性，可以有效赋予分子不同的功能官能团和功能侧链，进而提高分子的电导率、电子迁移率、自掺杂性能，有效提高器件的短路电流密度，同时表现出良好的电子传输特性，有效提高器件的开路电压和稳定性。
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公开(公告)号：CN115057857B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210568214.3
申请日：2022-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07D471/06 , C07F7/08 , C07F9/6561 , H10K30/81 , H10K30/50 , H10K85/60
Abstract: 本发明公开了一种基于苝二酰亚胺结构的电子型小分子及其制备方法和应用，属于机钙钛矿太阳能电池阴极界面材料及其制备技术领域。本发明解决了现有苝二酰亚胺类小分子作为界面层的钙钛矿器件的效率低的问题。本发明通过对苝二酰亚胺结构的酰胺位和湾位进行取代，有效赋予分子不同的功能官能团和功能侧链，有效提高器件的短路电流密度，同时通过分子结构调控还可以获得合适的LUMO能级，表现出良好的电子传输特性；且引入的功能官能团可以在金属电极界面处形成界面偶极，修正金属电极功函数，有效提高器件的开路电压。此外，苝二酰亚胺致密的骨架结构和功能官能团可以有效的抑制钙钛矿层和金属电极中的离子互相迁移扩散，有效提高器件的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115633441B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202211310959.6
申请日：2022-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种印制电路板主被动振动控制装置及振动控制方法，所述装置包括压电控制贴片、压电传感贴片、分流压电阻尼电路、DSP控制模块、放大器模块，其中：压电控制贴片包括主动控制压电驱动贴片和被动控制压电控制贴片；压电传感贴片包括主动控制压电传感贴片和被动控制压电传感贴片；被动控制压电控制贴片与分流压电阻尼电路相连，构成印制电路板被动振动控制部分；主动控制压电驱动贴片和主动控制压电传感贴片分别与放大器模块和DSP控制模块相连，放大器模块和DSP控制模块相连，构成印制电路板主动振动控制部分。本发明能够有效的抑制PCB的振动，显著改善印制电路板及电子设备的动力学环境，提高可靠性以及设备运行的稳定性。
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公开(公告)号：CN115057857A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210568214.3
申请日：2022-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07D471/06 , C07F7/08 , C07F9/6561 , H01L51/00 , H01L51/42 , H01L51/44
Abstract: 本发明公开了一种基于苝二酰亚胺结构的电子型小分子及其制备方法和应用，属于机钙钛矿太阳能电池阴极界面材料及其制备技术领域。本发明解决了现有苝二酰亚胺类小分子作为界面层的钙钛矿器件的效率低的问题。本发明通过对苝二酰亚胺结构的酰胺位和湾位进行取代，有效赋予分子不同的功能官能团和功能侧链，有效提高器件的短路电流密度，同时通过分子结构调控还可以获得合适的LUMO能级，表现出良好的电子传输特性；且引入的功能官能团可以在金属电极界面处形成界面偶极，修正金属电极功函数，有效提高器件的开路电压。此外，苝二酰亚胺致密的骨架结构和功能官能团可以有效的抑制钙钛矿层和金属电极中的离子互相迁移扩散，有效提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN116618817A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310513663.2
申请日：2023-05-09
Applicant: 河钢工业技术服务有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种实现结晶器铜板表面强化的搅拌摩擦改性处理工具与方法，涉及缺陷修复技术领域，其中，所述工具包括轴体和静止轴套，所述轴体包括轴颈、轴肩、碾压体、搅拌针，所述轴颈与所述轴肩和所述搅拌针依次连接，所述碾压体环绕所述轴体的轴颈设置并同轴转动；且所述碾压体设有连接部和碾压端，所述碾压端与所述轴肩同向设置，用于碾压并搅拌摩擦具有表面裂纹的待修复件；所述静止轴套包括轴套、定位孔、连接肋板、前置碾压体、铺粉料斗、冷却块。本发明通过搅拌摩擦修复裂纹，实现修复区局部组织的改性强化，提高修复区耐应力腐蚀和抗疲劳性能。
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公开(公告)号：CN112945995A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110155538.X
申请日：2021-02-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/207
Abstract: 一种光学晶体超精密加工亚表面损伤缺陷的解析方法，涉及光学晶体检测技术领域，本发明通过XRD仿真衍射技术可以建立起某种单一缺陷类型与衍射谱摇摆曲线变化特征规律的映射关系，从而解决实际加工过程中多种缺陷相互耦合，无法对某种缺陷特征进行单独解析的难题。本发明在XRD仿真衍射过程中可以任意设置缺陷类型与数目，也可以任意设置各种缺陷的空间与数量，从而解析出具有复杂耦合特征的光学晶体加工亚表面损伤缺陷的结构特征。采用本发明方法可以针对性地、准确地解析光学晶体实际加工后亚表面存在的缺陷类型。本发明在XRD仿真衍射过程中可以通过分析一段衍射时长内缺陷体系多组XRD仿真衍射谱的衍射信息，来对缺陷的动态演变过程进行研究。
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公开(公告)号：CN112945995B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202110155538.X
申请日：2021-02-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/207
Abstract: 一种光学晶体超精密加工亚表面损伤缺陷的解析方法，涉及光学晶体检测技术领域，本发明通过XRD仿真衍射技术可以建立起某种单一缺陷类型与衍射谱摇摆曲线变化特征规律的映射关系，从而解决实际加工过程中多种缺陷相互耦合，无法对某种缺陷特征进行单独解析的难题。本发明在XRD仿真衍射过程中可以任意设置缺陷类型与数目，也可以任意设置各种缺陷的空间与数量，从而解析出具有复杂耦合特征的光学晶体加工亚表面损伤缺陷的结构特征。采用本发明方法可以针对性地、准确地解析光学晶体实际加工后亚表面存在的缺陷类型。本发明在XRD仿真衍射过程中可以通过分析一段衍射时长内缺陷体系多组XRD仿真衍射谱的衍射信息，来对缺陷的动态演变过程进行研究。
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