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公开(公告)号：CN112372177A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011211060.X
申请日：2020-11-03
申请人： 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨焊接研究院有限公司
摘要： 本发明涉及钎焊材料技术领域，尤其是涉及一种高润湿性钎料及其制备方法。高润湿性钎料，由按质量百分比计的如下组分组成：Ag 0.2％～1％、Sb 0.8％～1.5％、Sn 41％～43％和余量Bi。本发明通过严格限定Sb的添加量，配合其余各元素的含量，能够保证钎料体系其他各方面性能不受影响，同时提高钎料铺展系数，改善其润湿性能。
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公开(公告)号：CN112372176B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202011207113.0
申请日：2020-11-03
申请人： 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨焊接研究院有限公司
摘要： 本发明涉及钎焊材料技术领域，尤其是涉及一种具有高界面可靠性的多元无铅钎料及其制备方法和应用。具有高界面可靠性的多元无铅钎料，主要由按质量百分数计的如下组分组成：Ag 0.2％～1.5％、Zn 0.2％～1.5％、Sn 40％～44％和Bi 55％～58％。本发明的无铅钎料，在Sn‑Bi系无铅钎料Sn58Bi‑Ag中，加入了Zn元素，改变了原有Sn58Bi‑Ag的合金体系，使得到的多元无铅钎料能够提升对界面IMC层生长的抑制作用，从而增强接头的强度。
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公开(公告)号：CN112372176A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011207113.0
申请日：2020-11-03
申请人： 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨焊接研究院有限公司
摘要： 本发明涉及钎焊材料技术领域，尤其是涉及一种具有高界面可靠性的多元无铅钎料及其制备方法和应用。具有高界面可靠性的多元无铅钎料，主要由按质量百分数计的如下组分组成：Ag 0.2％～1.5％、Zn 0.2％～1.5％、Sn 40％～44％和Bi 55％～58％。本发明的无铅钎料，在Sn‑Bi系无铅钎料Sn58Bi‑Ag中，加入了Zn元素，改变了原有Sn58Bi‑Ag的合金体系，使得到的多元无铅钎料能够提升对界面IMC层生长的抑制作用，从而增强接头的强度。
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公开(公告)号：CN112372177B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202011211060.X
申请日：2020-11-03
申请人： 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨焊接研究院有限公司
摘要： 本发明涉及钎焊材料技术领域，尤其是涉及一种高润湿性钎料及其制备方法。高润湿性钎料，由按质量百分比计的如下组分组成：Ag 0.2％～1％、Sb 0.8％～1.5％、Sn 41％～43％和余量Bi。本发明通过严格限定Sb的添加量，配合其余各元素的含量，能够保证钎料体系其他各方面性能不受影响，同时提高钎料铺展系数，改善其润湿性能。
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公开(公告)号：CN110052735A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201811398845.5
申请日：2018-11-22
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 本发明涉及一种用于二级和三级封装的高导热低成本复合焊膏及其制备方法。其特征是：将市场上已有的Sn-Bi基钎料颗粒与高导热颗粒进行混合制备复合焊膏，通过焊接使其在产品（例如LED，光伏组件）与基板之间形成可靠连接。本发明中的高导热低成本复合焊膏，可以实现市售LED产品对应焊盘尺寸及微小尺寸的连接，与Sn-Bi基钎料相比，复合焊膏具有更高的热导率，同时兼具良好的机械性能，成本低廉，并满足大批量使用要求，可广泛应用于二级和三级封装领域中。
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公开(公告)号：CN107096988A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710330929.4
申请日：2017-05-11
申请人： 哈尔滨理工大学 , 常州市武进区半导体照明应用技术研究院
CPC分类号： B23K20/023 , B23K13/01 , B23K28/02
摘要： 一种快速制备电子封装材料Cu3Sn金属间化合物的方法，本发明属于电子封装技术领域，它要解决现有高温功率器件中获得Cu3Sn金属间化合物的耐高温材料所需的整体加热互连工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、Cu/Sn/Cu结构箔片置于线圈中，在箔片的表面用重物压上，控制加热温度为240℃～530℃，钎焊时间为20s～300s，持续施加0.007MPa～0.05MPa压力进行封装。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接，连接时间短。
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公开(公告)号：CN104826672A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510274786.0
申请日：2015-05-26
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： B01L1/00
摘要： 一种密封带式冷热冲击箱，涉及冷热冲击试验箱。它为了解决现有技术冲击过程中试样易碰撞或移位、密封性差、冲击效果差、控制精度差等问题。试样箱的四个侧壁的外表面、密封带的内外两侧、两个蓄热箱和两个蓄冷箱的外表面、以及四根转轴的侧面均设置有多条相间排列的凸起和凹槽，密封效果好。当光电接收器接收到光信号后，通过控制器来控制电机停止，开始制冷或制热，实现冷热冲击。本发明在冲击过程中不需移动试样，消除了碰撞移位等不利因素，采用控制器控制精确，成本低廉，结构简单，操作方便，冲击效率高，密封效果好，并且使用寿命也大大延长。本发明适用于对器件进行冷热冲击测试。
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公开(公告)号：CN102962599B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210472289.8
申请日：2012-11-20
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： B23K35/26
摘要： 电子封装用无铅钎料，它涉及一种电子封装用无铅钎料。本发明解决了现有高银钎料成本较高，低银钎料力学性能差的技术问题。电子封装用无铅钎料按照质量百分含量由Ag，Cu，Ni，Bi，Sb，Ti，其余为Sn组成。本发明通过钎料成分的设计和优化得到了性能优异，成本低廉的电子封装用无铅钎料。多种元素添加考虑其相互弥补作用，减小了某一元素在改善性能的同时所带来其他的不利影响，有效提升了钎料的综合性能。
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公开(公告)号：CN102148215A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110023941.3
申请日：2011-01-21
申请人： 哈尔滨理工大学
CPC分类号： H01L2224/11
摘要： 提高CCGA器件软钎焊焊点可靠性的互连结构及实现方法，属于微电子封装技术领域。本发明为了解决现有面阵列封装器件可靠性普遍低于周边引脚封装器件以及高频率、高功率的大芯片面阵列封装器件可靠性低、使用寿命短的问题。所述互连结构中的Cu柱由制成一体的圆柱体和两个端头构成，每个端头呈以直线或圆弧线为母线的回转体状，圆柱体位于呈背对设置的两个端头之间且三者同轴，圆柱体与端头之间平滑过渡；钎焊圆角的高度小于端头的高度。先采用高熔点的焊锡膏，将Cu柱一端钎焊到芯片载体基板一侧的金属膜焊盘上、然后再采用较低熔点的焊锡膏，将Cu柱的另一端钎焊到印刷电路板一侧的金属膜焊盘上。本发明所述互连结构可靠性高、使用寿命长，可用于大芯片的封装。
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公开(公告)号：CN110315161B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910619082.0
申请日：2019-07-10
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 本发明涉及一种高温封装用Cu3Sn/泡沫铜复合接头的制备方法。其特征是：将泡沫铜作为骨架，锡合金作为填充材料，按一定的比例制作复合焊片，通过焊接使其在产品（例如IGBT，LED，光伏组件）与基板之间形成可靠连接，快速获得由原位生成的IMC与反应后剩余的泡沫铜复合而成的微焊点。本发明中生成的复合接头与全化合物接头相比，具有更高的导电率、导热率，同时具有良好的力学性能、抗高温蠕变、抗电迁移的性能，成本低廉，可以满足大批量使用要求，可广泛应用于三代半导体封装。
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