公开(公告)号：CN1061187C

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN94116000.9

申请日：1994-07-12

申请人： 哈里斯公司

发明人： C·施图宾 ,  R·D·舒尔茨 ,  T·D·布罗刚 ,  S·G·李

IPC分类号： H03F3/19 ,  H03F1/08 ,  H03F1/10 ,  H03F3/45

CPC分类号： H03F3/45089 ,  H03D7/1433 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D7/1491 ,  H03D2200/0025 ,  H03D2200/0043 ,  H03F1/302 ,  H03F2200/453 ,  H03F2203/45311 ,  H03F2203/45374 ,  H03F2203/45464 ,  H03F2203/45508 ,  H03F2203/45544 ,  H03F2203/45596 ,  H03F2203/45702

摘要： 单个或多个低压RF电路的单偏置单元包括具有对温度和集成电路工艺参数进行补偿的一个以上放大器和一个以上单或双平衡混频器，电源可以是低电压而不影响放大器和/或混频器的动态范围，这是由于将整个电源电压加于负载，通过运算放大器和/或缓冲器电路将偏置施加给基极电路。对于混频器，把增益控制阻抗从发射极移到集电极电路使其具有较低的噪声系数。电路可以是分立元件或集成电路的部件。并披露了相应的方法。

公开(公告)号：CN1106965A

公开(公告)日：1995-08-16

申请号：CN94116000.9

申请日：1994-07-12

申请人： 哈里斯公司

发明人： C·施图宾 ,  R·D·舒尔茨 ,  T·D·布罗刚 ,  S·G·李

IPC分类号： H03F3/19 ,  H03D7/00

CPC分类号： H03F3/45089 ,  H03D7/1433 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D7/1491 ,  H03D2200/0025 ,  H03D2200/0043 ,  H03F1/302 ,  H03F2200/453 ,  H03F2203/45311 ,  H03F2203/45374 ,  H03F2203/45464 ,  H03F2203/45508 ,  H03F2203/45544 ,  H03F2203/45596 ,  H03F2203/45702

摘要： 单个或多个低压RF电路的单偏置单元包括具有对温度和集成电路工艺参数进行补偿的一个以上放大器和一个以上单或双平衡混频器，电源可以是低电压而不影响放大器和/或混频器的动态范围，这是由于将整个电源电压加于负载，通过运算放大器和/或缓冲器电路将偏置施加给基极电路。对于混频器，把增益控制阻抗从发射极移到集电极电路使其具有较低的噪声系数。电路可以是分立元件或集成电路的部件。并披露了相应的方法。