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公开(公告)号：CN103534940B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201280022992.7
申请日：2012-05-09
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/38 , H03F1/42 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/36 , H03F2203/45306 , H03F2203/45311 , H03F2203/45318 , H03F2203/45386 , H03F2203/45394 , H03F2203/45511 , H03F2203/45634 , H03F2203/45638
摘要： 一种正反馈共栅极低噪声放大器（PFCGLNA）具有属于相同导电性类型的正反馈晶体管(147,149)和输入晶体管(151,153)。使得正反馈晶体管和输入晶体管属于相同导电性类型减小了对工艺变动的敏感性。正反馈晶体管(147,149)所产生的噪声用于抵消输入晶体管(151,153)所产生的噪声。在一个实施例中，该PFCGLNA是可调谐的以对于从680MHz到980MHz的宽带频率范围中的任何频率具有基本恒定的输入阻抗，并且在整个宽带频率范围上具有小于2.2dB的噪声指数。(56)对比文件liscidini等.a 0.13/spl mu/m cmosfront-end for dcs1800/umts/802.11b-g withmulti-band positive feedback low noiseamplifier《.vlsi circuits》.2005,406-409页.si xiong等.a dual-band 2.1ghz/5.2ghzlna for reconfigurable radio《.solid-stateand integrated circuit technology》.2010,710-712页.
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公开(公告)号：CN1181547C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02149823.7
申请日：2002-11-06
申请人： 三洋电机株式会社
发明人： 椎名正弘
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： H01L27/0207 , H03F3/45089 , H03F2203/45311 , H03F2203/45392 , H03F2203/45496 , H03F2203/45696 , H03F2203/45722
摘要： 通过实现考虑了构成电路块的各半导体元件的对称性的排布配置，来获得期望的电路特性。将发射极跟随器电路(22、23)配置在差动放大器(21)的附近，并且相对于差动放大器(21)的中心线被分别配置在线对称的位置上。将构成发射极跟随器电路(22、23)的双极晶体管(Q24、Q25)配置在构成差动放大器(21)的双极晶体管(Q21、Q22)的附近，并且被配置在90度不同的方向上。由此，通过没有从差动放大器(21)输入到发射极跟随器电路(22、23)的布线间的交叉，并且可以使布线长度相等，从而可以提高包含发射极跟随器电路(22、23)的差动放大器(1)的对称性，可以实现电路特性的提高。
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公开(公告)号：CN108616261A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201711292440.9
申请日：2017-12-08
申请人： 格芯公司
CPC分类号： H03F1/523 , H03F1/22 , H03F1/307 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/265 , H03F3/3022 , H03F3/45 , H03F3/45071 , H03F3/45183 , H03F3/45188 , H03F2200/451 , H03F2203/45154 , H03F2203/45228 , H03F2203/45311 , H03F2203/45481 , H03F2203/45662 , H03F2203/45686 , H03F2203/45731
摘要： 本发明揭露涉及完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器，其一般是关于半导体结构，并且尤其是关于具有独特的偏压及电压驻波比保护的完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器及制造的方法。该结构包含伪差动共源极放大器；连接至该伪差动共源极放大器及保护该伪差动共源极放大器免于过应力的第一级串迭装置；连接至该第一级串迭装置及提供差动输出的第二级串迭装置；以及从该第二级串迭装置接收该差动输出及回馈该差动输出至该第二级串迭装置的至少一个回路。
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公开(公告)号：CN1106965A
公开(公告)日：1995-08-16
申请号：CN94116000.9
申请日：1994-07-12
申请人： 哈里斯公司
CPC分类号： H03F3/45089 , H03D7/1433 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1491 , H03D2200/0025 , H03D2200/0043 , H03F1/302 , H03F2200/453 , H03F2203/45311 , H03F2203/45374 , H03F2203/45464 , H03F2203/45508 , H03F2203/45544 , H03F2203/45596 , H03F2203/45702
摘要： 单个或多个低压RF电路的单偏置单元包括具有对温度和集成电路工艺参数进行补偿的一个以上放大器和一个以上单或双平衡混频器，电源可以是低电压而不影响放大器和/或混频器的动态范围，这是由于将整个电源电压加于负载，通过运算放大器和/或缓冲器电路将偏置施加给基极电路。对于混频器，把增益控制阻抗从发射极移到集电极电路使其具有较低的噪声系数。电路可以是分立元件或集成电路的部件。并披露了相应的方法。
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公开(公告)号：CN103534940A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280022992.7
申请日：2012-05-09
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/38 , H03F1/42 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/36 , H03F2203/45306 , H03F2203/45311 , H03F2203/45318 , H03F2203/45386 , H03F2203/45394 , H03F2203/45511 , H03F2203/45634 , H03F2203/45638
摘要： 一种正反馈共栅极低噪声放大器（PFCGLNA）具有属于相同导电性类型的正反馈晶体管(147,149)和输入晶体管(151,153)。使得正反馈晶体管和输入晶体管属于相同导电性类型减小了对工艺变动的敏感性。正反馈晶体管(147,149)所产生的噪声用于抵消输入晶体管(151,153)所产生的噪声。在一个实施例中，该PFCGLNA是可调谐的以对于从680MHz到980MHz的宽带频率范围中的任何频率具有基本恒定的输入阻抗，并且在整个宽带频率范围上具有小于2.2dB的噪声指数。
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公开(公告)号：CN101989842A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010243671.2
申请日：2010-08-02
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H03F3/505 , G09G3/3688 , H03F3/3022 , H03F3/45219 , H03F3/45475 , H03F2203/45138 , H03F2203/45302 , H03F2203/45311 , H03F2203/45396 , H03F2203/45631 , H03F2203/45722 , H03F2203/5031
摘要： 本发明提供一种运算放大器和使用运算放大器的半导体器件。该运算放大器提供有：第一MOS晶体管对，所述第一MOS晶体管对被连接至非反相输入端子和反相输入端子；中间级，所述中间级被连接至第一MOS晶体管对；第一输出晶体管，所述第一输出晶体管具有与输出端子相连接的漏极；以及第一源极跟随器。第一源极跟随器被插入在第一输出晶体管的栅极与中间级的第一输出节点之间。
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公开(公告)号：CN101647196A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010430.4
申请日：2008-03-28
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 金南秀 , 肯尼斯·查尔斯·巴尼特 , 弗拉迪米尔·阿帕林
CPC分类号： H03F1/3211 , H03F1/22 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/3205 , H03F1/3276 , H03F3/45188 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2200/456 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2203/45296 , H03F2203/45311 , H03F2203/45352 , H03F2203/45386 , H03F2203/45481 , H04B1/525
摘要： 本发明提供一种具有良好线性和噪声性能的差动放大器(300)，其包括第一侧，所述第一侧包括第一晶体管(310)、第二晶体管(320)、第三晶体管(330)和第四晶体管(340)以及电感器(350)。所述第一晶体管(310)和第二晶体管(320)被耦合为第一共发共基放大器对，且所述第三晶体管(330)和第四晶体管(340)被耦合为第二共发共基放大器对。所述第三晶体管(330)使其栅极耦合到所述第二晶体管(320)的源极，且所述第四晶体管(340)使其漏极耦合到所述第二晶体管(320)的漏极。所述第一晶体管(310)提供信号放大。所述第二晶体管(320)提供负载隔离且产生用于所述第三晶体管(330)的中间信号。所述第三晶体管(330)产生用于抵消由所述第一晶体管(310)产生的三阶失真分量的失真分量。所述电感器(350)提供用于所述第一晶体管(310)的源极退化且改进失真抵消。所述第二晶体管(320)和第三晶体管(330)的尺寸经选择以减少增益损失且实现所述放大器的良好线性。所述差动放大器还可包括第二侧，所述第二侧以类似于所述第一侧的方式起作用。
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公开(公告)号：CN1061187C
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN94116000.9
申请日：1994-07-12
申请人： 哈里斯公司
CPC分类号： H03F3/45089 , H03D7/1433 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1491 , H03D2200/0025 , H03D2200/0043 , H03F1/302 , H03F2200/453 , H03F2203/45311 , H03F2203/45374 , H03F2203/45464 , H03F2203/45508 , H03F2203/45544 , H03F2203/45596 , H03F2203/45702
摘要： 单个或多个低压RF电路的单偏置单元包括具有对温度和集成电路工艺参数进行补偿的一个以上放大器和一个以上单或双平衡混频器，电源可以是低电压而不影响放大器和/或混频器的动态范围，这是由于将整个电源电压加于负载，通过运算放大器和/或缓冲器电路将偏置施加给基极电路。对于混频器，把增益控制阻抗从发射极移到集电极电路使其具有较低的噪声系数。电路可以是分立元件或集成电路的部件。并披露了相应的方法。
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公开(公告)号：CN103270465B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201180062253.6
申请日：2011-12-20
申请人： 马维尔国际贸易有限公司
CPC分类号： H03F3/16 , G05F3/262 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F2200/555 , H03F2203/45294 , H03F2203/45301 , H03F2203/45304 , H03F2203/45311 , H03F2203/45352 , H03F2203/45544 , H03F2203/45554
摘要： 一种电流镜包括偏置支路，偏置支路包括：在电压源与接地之间串联的第一晶体管和第二晶体管；在电压源与接地之间耦合的分压器；以及运算放大器，被配置为接收分压器的分压电压和在第一晶体管与第二晶体管之间的节点的电压，并且驱动第二晶体管的栅极以将节点拉向分压电压。该电流镜还包括耦合到偏置支路的功率放大器核心。功率放大器核心包括在电压源与接地之间串联配置的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管。耦合第一晶体管和第一驱动晶体管的栅极，并且耦合第二晶体管和第二驱动晶体管的栅极。
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公开(公告)号：CN1419290A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02149823.7
申请日：2002-11-06
申请人： 三洋电机株式会社
发明人： 椎名正弘
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： H01L27/0207 , H03F3/45089 , H03F2203/45311 , H03F2203/45392 , H03F2203/45496 , H03F2203/45696 , H03F2203/45722
摘要： 通过实现考虑了构成电路块的各半导体元件的对称性的排布配置，来获得期望的电路特性。将发射极跟随器电路(22、23)配置在差动放大器(21)的附近，并且相对于差动放大器(21)的中心线被分别配置在线对称的位置上。将构成发射极跟随器电路(22、23)的双极晶体管(Q24、Q25)配置在构成差动放大器(21)的双极晶体管(Q21、Q22)的附近，并且被配置在90度不同的方向上。由此，通过没有从差动放大器(21)输入到发射极跟随器电路(22、23)的布线间的交叉，并且可以使布线长度相等，从而可以提高包含发射极跟随器电路(22、23)的差动放大器(1)的对称性，可以实现电路特性的提高。
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