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公开(公告)号：CN103546102A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310288540.X
申请日：2013-07-10
申请人： 晨星半导体股份有限公司
IPC分类号： H03F1/26
CPC分类号： H03F1/26 , H03F3/211 , H03F3/45179 , H03F2200/111 , H03F2203/45464
摘要： 本发明揭示多重无线电标准的低噪声放大器及相关控制方法。本发明的示范低噪声放大器包含数个输入端、一输出端、数个放大级以及一退化电感器。每个放大器具有串联连接的一增益级及一缓冲级。缓冲级选择性地将增益级的一输出引流至输出端或一电源供应部。退化电感器共同连接至每一个放大级中的增益级。
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公开(公告)号：CN100521510C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200580004146.2
申请日：2005-01-17
申请人： 英飞凌科技股份公司
IPC分类号： H03F1/22
CPC分类号： H03F1/223 , H03F3/45188 , H03F2203/45464
摘要： 本发明涉及一种共射共基射频功率放大器，包括形成在共同衬底上的至少两个级联MOS晶体管(T1，T2，Tn)，其中所述晶体管(T1，T2，Tn)的体节点(B1，B2，Bn)彼此隔离并且与每个晶体管的相应源极(S1，S2，Sn)连接。本发明还教导了最上面晶体管(Tn)的漏极(Dn)通过电感负载(Ld)与电源(vdd)连接，并且使每个上部晶体管(T2、Tn)的栅极(G2、Gn)配备有至少连接在各上部晶体管(T2、Tn)的漏极(D2、Dn)和栅极(G2、Gn)之间的自偏置电路(SB2，SBn)。
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公开(公告)号：CN1918790A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004622.0
申请日：2005-02-02
申请人： 硅实验室股份有限公司
发明人： A·W·克朗
CPC分类号： H03G1/0023 , H03F1/26 , H03F3/193 , H03F3/45179 , H03F2200/06 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2203/45024 , H03F2203/45464 , H03F2203/45638 , H03G1/0035 , H03G7/001
摘要： 一种低噪声放大器(500)包括：第一跨导设备(326)，具有用于接收第一输入信号的控制电极以及第一电流电极；第一负载设备(322)，具有耦合到第一电源电压端子的第一端子以及耦合到第一跨导设备(326)第一电流电极并在其上形成第一输出电压信号的第二端子；第二跨导设备(336)，具有用于接收第二输入信号的控制电极以及第二电流电极；第二负载设备(332)，具有耦合到第一电源电压端子的第一端子以及耦合到第二跨导设备(336)第一电流电极并在其上形成第二输出信号的第二端子；以及衰减设备(340)，耦合在第一(326)与第二跨导设备(336)的第一电流电极之间，并具有用于在其上接收所述控制电压的控制输入端子。
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公开(公告)号：CN105577133A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510526611.4
申请日：2015-08-25
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H03F3/193 , H03F3/45188 , H03F2200/213 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/546 , H03F2203/45464 , H03F2203/45466 , H03F2203/45548
摘要： 提供一种用于载波聚合和非载波聚合的低噪声放大器。所述低噪声放大器包括：多个对称半电路；多个偏置电路，其中所述多个偏置电路中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个；多个电容，其中所述多个电容中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个以便交流AC耦合包含至少一个分量载波的RF信号；以及控制逻辑电路，连接到所述多个对称半电路中的每一个以便将低噪声放大器配置为处理一个分量载波或多个分量载波。
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公开(公告)号：CN101527542B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910128136.X
申请日：2009-03-04
申请人： 雷凌科技股份有限公司
发明人： 姚卫军
CPC分类号： H03F3/195 , H03F3/45188 , H03F2200/54 , H03F2203/45464 , H03F2203/45638 , H03F2203/45652
摘要： 本发明是一种用于最小化一共模振荡的多级放大器电路、方法及集成电路，该多级放大器电路是于一无线局域网通讯系统中放大用以通讯的射频信号的多级射频放大器。该多级射频放大器包含一第一放大器电路以及一第二放大器电路。该第一放大器电路耦合至该第二放大器电路，以最大化放大率。该第一放大器电路的一共模节点耦合至该第二放大器电路的一共模节点，以提供一电压偏移。该电压偏移用以抵消来自该第一放大器电路的振荡所产生的电压变化，进而减少多级射频放大器的干扰。
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公开(公告)号：CN100490309C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200410045640.0
申请日：2004-05-21
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H03F3/45094 , H03F3/45089 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2203/45386 , H03F2203/45464 , H03F2203/45546 , H03F2203/45638
摘要： 为了增强用作例如RF放大器或移动电话的本地放大器的差分放大器的反向绝缘特性，本发明提供了一种差分放大器，它包括差分放大电路10，用于放大输入到端口1和端口2的两个相互反相的输入信号之间的电位差，并用于从端口3和端口4输出两个相互反相的输出信号；连接在端口1和端口4之间的反馈电容7a；以及连接在端口2和端口3之间的反馈电容7b。用于抵消反馈信号的信号被分别通过反馈电容7a和7b输入到输入终端，借此可以增强差分放大器的反向绝缘特性。
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公开(公告)号：CN1061187C
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN94116000.9
申请日：1994-07-12
申请人： 哈里斯公司
CPC分类号： H03F3/45089 , H03D7/1433 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1491 , H03D2200/0025 , H03D2200/0043 , H03F1/302 , H03F2200/453 , H03F2203/45311 , H03F2203/45374 , H03F2203/45464 , H03F2203/45508 , H03F2203/45544 , H03F2203/45596 , H03F2203/45702
摘要： 单个或多个低压RF电路的单偏置单元包括具有对温度和集成电路工艺参数进行补偿的一个以上放大器和一个以上单或双平衡混频器，电源可以是低电压而不影响放大器和/或混频器的动态范围，这是由于将整个电源电压加于负载，通过运算放大器和/或缓冲器电路将偏置施加给基极电路。对于混频器，把增益控制阻抗从发射极移到集电极电路使其具有较低的噪声系数。电路可以是分立元件或集成电路的部件。并披露了相应的方法。
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公开(公告)号：CN105577133B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201510526611.4
申请日：2015-08-25
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H03F3/193 , H03F3/45188 , H03F2200/213 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/546 , H03F2203/45464 , H03F2203/45466 , H03F2203/45548
摘要： 提供一种用于载波聚合和非载波聚合的低噪声放大器。所述低噪声放大器包括：多个对称半电路；多个偏置电路，其中所述多个偏置电路中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个；多个电容，其中所述多个电容中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个以便交流AC耦合包含至少一个分量载波的RF信号；以及控制逻辑电路，连接到所述多个对称半电路中的每一个以便将低噪声放大器配置为处理一个分量载波或多个分量载波。
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公开(公告)号：CN101325403B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810110695.3
申请日：2008-06-13
申请人： 三星电机株式会社
CPC分类号： H03F3/19 , H03F1/0283 , H03F3/211 , H03F3/45188 , H03F3/45237 , H03F2200/06 , H03F2200/534 , H03F2203/45008 , H03F2203/45134 , H03F2203/45336 , H03F2203/45352 , H03F2203/45464 , H03F2203/45638
摘要： 本发明提供了一种耗能较少并能在PA驱动放大设备中以高电压运行的射频(RF)信号放大装置，该PA驱动放大装置可应用于放大RF信号的功率的PA放大电路。RF信号放大装置包括：平衡-不平衡变压器，将不平衡RF信号转换为平衡射频信号；主放大器，差分地放大来自平衡-不平衡变压器的平衡射频信号；至少一个次级放大器，次级并差分地放大经主放大器放大后的平衡射频信号。
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公开(公告)号：CN1918790B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200580004622.0
申请日：2005-02-02
申请人： 硅实验室股份有限公司
发明人： A·W·克朗
CPC分类号： H03G1/0023 , H03F1/26 , H03F3/193 , H03F3/45179 , H03F2200/06 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2203/45024 , H03F2203/45464 , H03F2203/45638 , H03G1/0035 , H03G7/001
摘要： 一种低噪声放大器(500)包括：第一跨导设备(326)，具有用于接收第一输入信号的控制电极以及第一电流电极；第一负载设备(322)，具有耦合到第一电源电压端子的第一端子以及耦合到第一跨导设备(326)第一电流电极并在其上形成第一输出电压信号的第二端子；第二跨导设备(336)，具有用于接收第二输入信号的控制电极以及第二电流电极；第二负载设备(332)，具有耦合到第一电源电压端子的第一端子以及耦合到第二跨导设备(336)第一电流电极并在其上形成第二输出信号的第二端子；以及衰减设备(340)，耦合在第一(326)与第二跨导设备(336)的第一电流电极之间，并具有用于在其上接收所述控制电压的控制输入端子。
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