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公开(公告)号：CN111863156A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010722596.1
申请日：2020-07-24
申请人： 四川永祥硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅材料工艺过程的控制方法及系统，所述方法包括：获取硅材料的生产产品属性信息；基于所述生产产品属性信息确定生产工艺流转流程；获取与所述生产工艺流程相匹配的控制信息，所述数据库包括针对所述生产工艺流程的各个阶段的产品控制数据；依据所述控制信息对所述硅材料的生产工艺流转流程进行控制，并记录所述硅材料的生产工艺过程的关联数据。可以对硅材料生产工艺各个环节的自动控制，实现了稳定监控生产及降低生产成本的目的。
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公开(公告)号：CN111805781A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010723936.2
申请日：2020-07-24
申请人： 四川永祥硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅料切割工艺，其通过依次进行的粘接、装机以及切割等操作步骤，利用树脂板作为粘接结构的基材，在将工件板和硅料分别可靠粘接固定于树脂板的两侧以形成结构稳定的硅料组件的基础上，有效避免了后续金刚线切割过程中，因采用玻璃作为粘接基材导致的玻璃碎裂现象，避免了玻璃碎渣对硅料及工件板等主体结构的不利影响，保证了硅料切割的成型效果和产品质量，且该种树脂板在切割过程中产生的树脂粉末极易清理，不会对环境造成污染，能够进一步提高整个硅料切割工艺的环保效果，并使其工艺实施效率得以相应提高。
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公开(公告)号：CN112775089A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011608724.6
申请日：2020-12-30
申请人： 四川永祥硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅片清洗废水处理系统，包括连通于清洗机下游的溢流槽组，所述溢流槽组包括若干漂洗槽、药洗槽和超声槽，所述漂洗槽的下游连通有中转槽，所述中转槽的下游连通有泵送管路，所述泵送管路上设置有供水泵，所述泵送管路的下游分别连通有与脱胶机连通的第一主管路和与插片机连通的第二主管路，所述第一主管路与所述第二主管路相并联。该系统能够充分回收利用清洗机排放的废水，有效避免资源浪费并降低废水排放压力，同时能够为脱胶机供水，且其水温能够满足脱胶机的工作需求。
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公开(公告)号：CN111673625A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010722606.1
申请日：2020-07-24
申请人： 四川永祥硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅料清洗工艺，其通过依次进行的送料、喷砂以及清理等操作步骤，利用碳化硅粉将硅料的表层全部打磨掉，从而能够彻底去除附着于硅料表层的金属杂质，由于采用碳化硅作为喷砂介质，使得喷砂作业完成后仅需纯水即可将残留于硅料表面的碳化硅粉清洗干净，无需酸洗或碱洗等化学清洗操作，从而大大降低了整个工艺流程的污水处理压力，避免发生水体污染现象，降低了工艺成本和操作难度，简化了工艺流程，并显著提高了硅料清洗效果和清洗处理效率。
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公开(公告)号：CN112853475A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011609370.7
申请日：2020-12-30
申请人： 四川永祥硅材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种三元掺杂半导体制备工艺，包括：硅原料、掺杂剂和籽晶混合，清洗，烘干，在真空条件下，熔融、引晶、放肩、转肩、等径、收尾得到；所述掺杂剂包括B、P和Ga；所述掺杂剂的添加量按照如下计算：硼：(硅原料投量重量的75％*头部电阻率原子浓度)/(B原子浓度*B的分凝系数)；磷：(硅原料投量重量的45％*头部电阻率原子浓度)/(P原子浓度*P的分凝系数)；镓：(硅原料投量重量30％*头部电阻率原子浓度*Ga的原子质量)/(阿伏伽德罗常数*硅的比重*Ga的分凝系数。本发明B、P和Ga元素按照上述特定配比掺杂，可以有效减低硅片硼氧浓度，可以解决光衰高的技术问题，同时提高转换效率。
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公开(公告)号：CN213925134U
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202023173305.2
申请日：2020-12-25
申请人： 四川永祥硅材料有限公司
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本实用新型提供了一种单晶炉预埋式安装结构,涉及单晶炉设备技术领域。该单晶炉预埋式安装结构包括单晶炉、基架和基座。单晶炉安装在基架上，基架固定在基座的顶部。基座的一侧沿其高度方向开设有容纳口，回水管和进水管横向嵌设在容纳口内，主抽空管竖直地嵌设在容纳口内，回水管和进水管分别位于主抽空管的左右两侧。基座内预置有电源控制箱，电源控制箱的输入端电性连接有电源线和信号线路，电源控制箱的输出端电性连接有电源柜接口、真空泵接口、过滤罐接口和液压站接口。优化后的管路和线路的布局可以提高设备的维修效率，减少管路的弯折现象，杜绝因管路引起的炉台故障和安全事故隐患。
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公开(公告)号：CN213653511U
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202021498010.X
申请日：2020-07-24
申请人： 四川永祥硅材料有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种单晶炉防震结构，包括多台单晶炉本体和设置于单晶炉本体上的设备基础，还包括连接板，其中连接板将任意两台单晶炉本体上的设备基础连接为一个整体。如此设置，增加了单台单晶炉的配重，减少了一台设备转动时对另一台设备所造成的震动，从而避免了单晶棒细颈断裂，加长了单晶棒的拉制长度，减少了单晶棒的更换时间，减少了单晶棒更换出炉的次数，进而提高了单晶炉设备的生产效率。
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公开(公告)号：CN213546328U
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202022617751.1
申请日：2020-11-12
申请人： 四川永祥硅材料有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L21/66 , H01L21/677
摘要： 本实用新型公开了一种硅片及硅片的检测装置，硅片为方形薄片，其厚度≤180μm，宽度≥166mm，四个角为倒角或直角。检测装置包括：传输线；红外成像检测箱，设于传输线上，对硅片进行红外线检测；下料机构，位于红外成像检测箱下游，用于抓取、下料；及控制器；其中，下料机构包括导轨、滑座、抓手、第一驱动件和第二驱动件，滑座装于导轨上，由第一驱动件驱动沿导轨往复移动；第二驱动件装于滑座上，与抓手连接，驱动抓手上下运动；控制器与传输线、红外成像检测箱、第一驱动件和第二驱动件电性连接。该硅片出片率高、成本低、转化率高，其电池片产品功率趋于一致，可减少产品品类；采用红外线无接触检测，保证产品质量，避免二次损伤。
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公开(公告)号：CN212794578U
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202021492397.8
申请日：2020-07-24
申请人： 四川永祥硅材料有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种喷砂打磨设备，包括：压缩空气源装置，所述压缩空气源装置内储存有压缩空气；喷枪，所述压缩空气源装置中的压缩空气能够将砂料驱入所述喷枪内，所述喷枪能够在驱动装置的驱动下运动。本实用新型中的喷砂打磨设备包括压缩空气源装置和喷枪，压缩空气源装置与喷枪相通。压缩空气源装置中的压缩空气能够将砂料驱入喷枪内。喷枪能够边运动，边向待处理件的表面喷射砂料。如此，就能够将待处理件表面的杂质层或氧化层去除掉。与手动打磨的方式相比，本实用新型中的喷砂打磨设备能够高效地去除待处理件表面的杂质层和氧化层，且所需的人工成本较低。
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