注入掩膜及对齐
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106688088A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201580047528.7

    申请日:2015-08-05

    IPC分类号: H01L21/68

    摘要: 在荫罩下面对齐基板的系统和方法。基板保持器具有对齐机构,例如辊子,辊子被制成紧靠对齐直边的辊子。基板随后相对直边被对齐并且被卡紧至基板保持器。基板保持器随后被输送进入真空加工室,其中基板保持器被制成紧靠荫罩被附接并对齐至的掩膜直边。由于基板被对齐至对齐直边,并且掩膜被对齐至被精密地对齐至对齐直边的掩膜直边,基板完美地被对齐至掩膜。

    基板处理系统和方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106847736A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710017381.8

    申请日:2012-11-08

    摘要: 本发明涉及一种基板处理系统和方法。具体地,一种用于处理基板的系统具有真空外壳和定位成处理在真空外壳内部的处理区中的晶片的处理室。提供两个轨道组件,一个轨道组件在处理区的每侧上。两个卡盘阵列每个在轨道组件之一骑行上,使得每个卡盘阵列在一个轨道组件上悬臂式伸展并支撑多个卡盘。轨道组件耦合到升高机构,其将轨道放置在用于处理的较高的位置上以及放置在用于返回卡盘组件的较低的位置处用于装载新晶片。拾取头组件将晶片从输送机装载到卡盘组件上。拾取头具有从晶片的正侧拾取晶片的多个静电卡盘。在处理卡盘中的冷却通道用于产生气垫以在由拾取头输送时帮助使晶片对齐。

    基板处理系统和方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106847736B

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN201710017381.8

    申请日:2012-11-08

    摘要: 本发明涉及一种基板处理系统和方法。具体地,一种用于处理基板的系统具有真空外壳和定位成处理在真空外壳内部的处理区中的晶片的处理室。提供两个轨道组件,一个轨道组件在处理区的每侧上。两个卡盘阵列每个在轨道组件之一骑行上,使得每个卡盘阵列在一个轨道组件上悬臂式伸展并支撑多个卡盘。轨道组件耦合到升高机构,其将轨道放置在用于处理的较高的位置上以及放置在用于返回卡盘组件的较低的位置处用于装载新晶片。拾取头组件将晶片从输送机装载到卡盘组件上。拾取头具有从晶片的正侧拾取晶片的多个静电卡盘。在处理卡盘中的冷却通道用于产生气垫以在由拾取头输送时帮助使晶片对齐。

    注入掩膜及对齐
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106688088B

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201580047528.7

    申请日:2015-08-05

    IPC分类号: H01L21/68

    摘要: 在荫罩下面对齐基板的系统和方法。基板保持器具有对齐机构,例如辊子,辊子被制成紧靠对齐直边的辊子。基板随后相对直边被对齐并且被卡紧至基板保持器。基板保持器随后被输送进入真空加工室,其中基板保持器被制成紧靠荫罩被附接并对齐至的掩膜直边。由于基板被对齐至对齐直边,并且掩膜被对齐至被精密地对齐至对齐直边的掩膜直边,基板完美地被对齐至掩膜。