公开(公告)号：CN1622305A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410095882.0

申请日：2004-11-26

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： G·埃格斯 ,  N·沃思 ,  H·本辛格 ,  T·胡伯

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC分类号： G01K7/01 ,  G01K7/226

摘要： 本发明涉及一种用以检测半导体装置过热的装置(1，11，21)及方法，其包含一种温度测量装置(3，13，23)，而当半导体装置的温度变化时，该温度测量装置(3，13，23)会改变其导电性。

公开(公告)号：CN100388452C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200410095882.0

申请日：2004-11-26

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： G·埃格斯 ,  N·沃思 ,  H·本辛格 ,  T·胡伯

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC分类号： G01K7/01 ,  G01K7/226

摘要： 本发明涉及一种用以检测半导体装置过热的装置(1，11，21)及方法，其包含一种温度测量装置(3，13，23)，而当半导体装置的温度变化时，该温度测量装置(3，13，23)会改变其导电性。

公开(公告)号：CN1519904A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410001977.1

申请日：2004-01-16

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： C·斯托肯 ,  M·多布勒 ,  G·埃格斯

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/3426 ,  H05K2201/10689 ,  H05K2201/10909 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明关于一壳体(11a)，特别是用于半导体装置(3a)，一半导体装置脚(4e)，以及一种用以制造脚(4a，4e)的方法，其中至少一只脚(4e)系从一基本主体(14)被刺出，特别是一导线架(14)，并系以一或复数的刺孔步骤的方法，其中脚(4e)系以一个别金属层(9)仅在脚(4e)之最终刺出之后涂布。