公开(公告)号：CN102549716A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080042886.6

申请日：2010-11-30

申请人： 国家半导体公司

发明人： 贾迈勒·拉姆达斯

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明揭示一种方法，其包含在半导体衬底(102)的第一侧上形成(302)应力补偿层(104)及在所述衬底的第二侧上形成(304)III族氮化物层(108a、108b、110、112)。所述III族氮化物层在所述衬底上产生的应力通过所述应力补偿层在所述衬底上产生的应力而至少部分地减小(306)。形成所述应力补偿层可包含从非晶或微晶材料形成应力补偿层。并且，所述方法可包含在随后在所述衬底的所述第二侧上形成一个或一个以上层(106到114)期间使所述非晶或微晶材料结晶。使所述非晶或微晶材料结晶可发生于随后形成所述III族氮化物层期间及/或退火工艺期间。所述非晶或微晶材料可在所述衬底上不产生应力或产生较小量的应力，且所述经结晶的材料可在所述衬底上产生较大量的应力。

公开(公告)号：CN102549716B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080042886.6

申请日：2010-11-30

申请人： 国家半导体公司

发明人： 贾迈勒·拉姆达斯

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明揭示一种方法，其包含在半导体衬底(102)的第一侧上形成(302)应力补偿层(104)及在所述衬底的第二侧上形成(304)III族氮化物层(108a、108b、110、112)。所述III族氮化物层在所述衬底上产生的应力通过所述应力补偿层在所述衬底上产生的应力而至少部分地减小(306)。形成所述应力补偿层可包含从非晶或微晶材料形成应力补偿层。并且，所述方法可包含在随后在所述衬底的所述第二侧上形成一个或一个以上层(106到114)期间使所述非晶或微晶材料结晶。使所述非晶或微晶材料结晶可发生于随后形成所述III族氮化物层期间及/或退火工艺期间。所述非晶或微晶材料可在所述衬底上不产生应力或产生较小量的应力，且所述经结晶的材料可在所述衬底上产生较大量的应力。

公开(公告)号：CN102549729A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080042887.0

申请日：2010-11-30

申请人： 国家半导体公司

发明人： 贾迈勒·拉姆达斯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/2003

摘要： 本发明涉及一种方法，其包括在衬底(102)上形成(402)应力补偿堆叠(104)，其中所述应力补偿堆叠具有所述衬底上的压应力。所述方法还包括在所述衬底上形成(406)一个或一个以上III族氮化物岛状物(106)，其中所述一个或一个以上III族氮化物岛状物具有所述衬底上的张应力。所述方法进一步包括使用来自所述应力补偿堆叠的所述压应力来至少部分地抵消(408)来自所述一个或一个以上III族氮化物岛状物的张应力。形成所述应力补偿堆叠可包括在所述衬底上形成一个或一个以上氧化物层(202、206)及一个或一个以上氮化物层(204)。所述一个或一个以上氧化物层可具有压应力，所述一个或一个以上氮化物层可具有张应力，且所述氧化物及氮化物层可共同地具有压应力。所述氧化物层及氮化物层的厚度可经选择以提供所要量的应力补偿。

公开(公告)号：CN102549729B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201080042887.0

申请日：2010-11-30

申请人： 国家半导体公司

发明人： 贾迈勒·拉姆达斯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/2003

摘要： 本发明涉及一种方法，其包括在衬底(102)上形成(402)应力补偿堆叠(104)，其中所述应力补偿堆叠具有所述衬底上的压应力。所述方法还包括在所述衬底上形成(406)一个或一个以上III族氮化物岛状物(106)，其中所述一个或一个以上III族氮化物岛状物具有所述衬底上的张应力。所述方法进一步包括使用来自所述应力补偿堆叠的所述压应力来至少部分地抵消(408)来自所述一个或一个以上III族氮化物岛状物的张应力。形成所述应力补偿堆叠可包括在所述衬底上形成一个或一个以上氧化物层(202、206)及一个或一个以上氮化物层(204)。所述一个或一个以上氧化物层可具有压应力，所述一个或一个以上氮化物层可具有张应力，且所述氧化物及氮化物层可共同地具有压应力。所述氧化物层及氮化物层的厚度可经选择以提供所要量的应力补偿。

公开(公告)号：CN102576729A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080042889.X

申请日：2010-11-30

申请人： 国家半导体公司

发明人： 贾迈勒·拉姆达斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

摘要： 本发明涉及一种设备，其包括衬底(120)、所述衬底上的III族氮化物层(102、104、106)及所述III族氮化物层上的电触点(108a、108b)。所述电触点包括具有多个导电材料层(110到116)的堆叠，且所述堆叠中的所述层中的至少一者包括锗。所述堆叠中的所述层可包括接触层(116)，其中所述接触层包括铝铜。所述堆叠可包括钛或钛合金层、铝或铝合金层，以及锗或锗合金层。所述堆叠中的所述层中的至少一者可包括具有在约1％与约5％之间的锗含量的铝或钛合金。