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公开(公告)号：CN113005412A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201911316635.1
申请日：2019-12-19
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L31/0445 , H01L31/074 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了用于硅异质结电池的ITO薄膜的制备方法。该方法包括：通过磁控溅射法沉积透明导电氧化物ITO薄膜，所述磁控溅射法中采用的工艺气体包括氩气、氧气和氢气。该方法通过在磁控溅射法沉积ITO薄膜工艺中引入氢气作为反应气体，可以显著降低薄膜产品中散射中心密度，提高载流子迁移率，从而在保持薄膜良好透过率的同时，获得电学性能的提高。
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公开(公告)号：CN113943920B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110887924.8
申请日：2021-08-03
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法，包括：a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积；b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积；c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1/铜种子层/TCO2结构，并且采用真空退火处理，沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行，有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量，从而提高了电池性能。
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公开(公告)号：CN113035995A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911350645.7
申请日：2019-12-24
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 本发明提供了用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括：提供基底，基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对设置的表面上的非晶硅薄膜；在第一特定环境中，在非晶硅薄膜的表面上沉积形成第一ITO薄膜，第一特定环境中包括水汽。由此，非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面以及第一ITO薄膜内部形成大量的氢原子，氢原子的还原能力能够阻止非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面形成氧化硅，进而提高非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面质量和界面性能，提高界面之间的载流子的输运。
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公开(公告)号：CN110634990A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910807485.8
申请日：2019-08-29
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： 本发明提供了硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括：提供基底，所述基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对的表面上的非晶硅薄膜；在基底远离晶硅衬底的至少一个表面上溅射沉积缓冲ITO薄膜；在缓冲ITO薄膜远离晶硅衬底的表面上溅射沉积导电ITO薄膜；沉积导电ITO薄膜的功率密度和靶电压两参数中至少一个高于沉积缓冲ITO薄膜的对应参数。由此，上述方法可以制备性能良好的硅异质结太阳电池的ITO薄膜。
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公开(公告)号：CN211828779U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201922326551.8
申请日：2019-12-20
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 本实用新型提供了用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜。用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜包括：氢掺杂氧化铟层；TCO接触层，TCO接触层设置在氢掺杂氧化铟层的一个表面上。由此，氢掺杂氧化铟层具有较高的载流子迁移率，其可以大大提高叠层透明导电氧化物薄膜的整体载流子迁移率，进而降低叠层透明导电氧化物薄膜的电阻率，提升硅异质结太阳电池的使用性能；而且，在硅异质结太阳电池中，TCO接触层的设置可以保证叠层透明导电氧化物薄膜与硅异质结太阳电池中的金属电极良好的接触，以降低两者之间的接触电阻；再者，轻掺杂氧化铟层具有较高的透光率，故而不会影响叠层透明导电氧化物薄膜的透光效果。
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公开(公告)号：CN114242805A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111432647.8
申请日：2021-11-29
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种叠层TCO薄膜，依次包括第一TCO薄膜层、第二TCO薄膜层和第三TCO薄膜层，其中，所述第一TCO薄膜层和第三TCO薄膜层为ITO薄膜层，第二TCO薄膜层为IWO或ICO薄膜层。本发明的叠层TCO薄膜，采用三叠层膜结构，近非晶硅与近金属电极端的TCO薄膜利用了不同ITO薄膜与非晶硅及金属电极能够形成良好接触的优势，中间主体TCO层利用了IWO或ICO薄膜低载流子浓度高载流子迁移率的优势，将该叠层TCO薄膜作为硅异质结电池的透明导电层，有利于降低电池电学和光学损失，提高电池短路电流密度和填充因子。
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公开(公告)号：CN113948592A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111062515.0
申请日：2021-09-10
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0747
摘要： 本发明涉及太阳电池技术领域，公开了一种具有分区差异化TCO薄膜的硅异质结太阳电池，包括硅异质结主体、第一TCO层、第二TCO层和栅线，第一TCO层设在硅异质结主体的上表面，第二TCO层设在硅异质结主体的下表面，栅线分别设在第一TCO层的上表面和第二TCO层的下表面，第一TCO层包括相连的高透TCO薄膜和低阻TCO薄膜，栅线与低阻TCO薄膜相对设置；和/或，第二TCO层包括相连的高透TCO薄膜和低阻TCO薄膜，栅线与低阻TCO薄膜相对设置。本发明有利于电池获得高的短路电流密度，还有利于提高填充因子，在不同区域弱化光学性能与电学性能的关联性，拓宽工艺窗口，进一步提高电池性能。
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公开(公告)号：CN113943920A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110887924.8
申请日：2021-08-03
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法，包括：a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积；b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积；c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1/铜种子层/TCO2结构，并且采用真空退火处理，沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行，有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量，从而提高了电池性能。
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公开(公告)号：CN116169197A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310070859.9
申请日：2023-02-07
申请人： 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明提出一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法，该晶硅异质结太阳电池包括硅片；在所述硅片的正面依次层叠的本征非晶硅层、磷掺杂的n型非晶硅层、第一透明氧化层，所述第一透明氧化层包括依次层叠于所述磷掺杂的n型非晶硅层上的第一ITO子层、第二ITO子层以及第三ITO子层；在所述硅片的背面依次层叠的所述本征非晶硅层、硼掺杂的p型非晶硅层、第二透明氧化层、过渡层、金属导电层、抗氧化层以及焊接层，所述第二透明氧化层包括第四ITO子层、第五AZO子层以及第六ITO子层。本发明提出的硅基异质结太阳电池，能够降低传统异质结太阳电池的制作成本，同时提高其发电转化效率。
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公开(公告)号：CN116581200A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310748784.5
申请日：2023-06-25
申请人： 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0725 , H01L31/0236
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿异质结叠层电池中底电池的制备方法，具体包括以下步骤：将硅片正背面制绒，沉积硼掺杂硅薄膜层，抛光处理，清洗处理和镀膜。本发明通过采用化学气相沉积的方式在硅片的其中一面沉积一层硼掺杂硅薄膜层，添加了抛光添加剂的碱溶液将未沉积硼掺杂硅薄膜层的硅片金字塔绒面进行抛光处理，形成一面抛光一面制绒的硅片结构，大大的降低了的硅片单面抛光的制备成本，之后采用氢氟酸加氧化剂溶液对硅片进行清洗，以去除硼掺杂硅薄膜层，避免硼掺杂硅薄膜层由于具有非常高的缺陷密度而导致后续电池效率降低。
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