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公开(公告)号：CN103579322A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310562571.X
申请日：2013-11-13
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/05552 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件及其制造方法。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本发明加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN103579322B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310562571.X
申请日：2013-11-13
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/05552 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件及其制造方法。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本发明加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN203800056U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201320713738.3
申请日：2013-11-13
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： 本实用新型涉及一种功率器件，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本实用新型通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本实用新型加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN105514154B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201410488173.2
申请日：2014-09-22
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件及制造方法，包括发射极铝引线区域、栅铝引线区域、有源区、终端P型场限环、场氧化层、栅Bus区域和终端区域。所述栅铝引线区域位于器件边角位置，发射极铝引线区域位于有源区，栅Bus区域包围着有源区，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的发射极与第一条金属场板、第一条栅极场板连接结构设计，使得IGBT器件在有源区与终端连接区场强均匀性得以改善，使IGBT器件整体场强的均匀性更好。本发明改善了IGBT的有源区与终端连接区场强均匀性，保证了栅铝引线区域铝引线完整性，提高了栅极电压的传输，从而提高了IGBT开关速度，减小开关损耗。
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公开(公告)号：CN105514154A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410488173.2
申请日：2014-09-22
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件及制造方法，包括发射极铝引线区域、栅铝引线区域、有源区、终端P型场限环、场氧化层、栅Bus区域和终端区域。所述栅铝引线区域位于器件边角位置，发射极铝引线区域位于有源区，栅Bus区域包围着有源区，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的发射极与第一条金属场板、第一条栅极场板连接结构设计，使得IGBT器件在有源区与终端连接区场强均匀性得以改善，使IGBT器件整体场强的均匀性更好。本发明改善了IGBT的有源区与终端连接区场强均匀性，保证了栅铝引线区域铝引线完整性，提高了栅极电压的传输，从而提高了IGBT开关速度，减小开关损耗。
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公开(公告)号：CN204067368U
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201420547169.4
申请日：2014-09-22
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/08
摘要： 本实用新型涉及一种改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件，IGBT器件包括发射极铝引线区域、栅铝引线区域、有源区、终端P型场限环、场氧化层、栅Bus区域和终端区域。所述栅铝引线区域位于器件边角位置，发射极铝引线区域位于有源区，栅Bus区域包围着有源区，所述终端区位于栅Bus区域外围。本实用新型通过改进传统的发射极与第一条金属场板、第一条栅极场板连接结构设计，使得IGBT器件在有源区与终端连接区场强均匀性得以改善，使IGBT器件整体场强的均匀性更好。本实用新型改善了IGBT的有源区与终端连接区场强均匀性，保证了栅铝引线区域铝引线完整性，提高了栅极电压的传输，从而提高了IGBT开关速度，减小开关损耗。
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公开(公告)号：CN106384995B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201611013759.9
申请日：2016-11-17
申请人： 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司 , 国网浙江省电力公司检修分公司 , 北京四方继保自动化股份有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： H02H7/045
摘要： 本申请提供了一种差动保护闭锁方法及装置，方法包括：通过换流变压器网侧和阀侧电流计算差动电流，当存在差动电流落入保护的动作区域时，判断落入保护动作区域的差动电流二次谐波含量是否小于预设值，如果是，则启动差动保护，否则，提取落入保护动作区域的差动电流的直流量和基波，并判断直流量和基波是否满足|Iddc(k)|＞k|Id1(k)|，若满足，则启动差动保护，否则，封锁差动保护。本申请提供的方法及装置提高了特高压换流变差动保护动作的可靠性。
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公开(公告)号：CN106384995A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201611013759.9
申请日：2016-11-17
申请人： 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司 , 国网浙江省电力公司检修分公司 , 北京四方继保自动化股份有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： H02H7/045
CPC分类号： H02H7/045
摘要： 本申请提供了一种差动保护闭锁方法及装置，方法包括：通过换流变压器网侧和阀侧电流计算差动电流，当存在差动电流落入保护的动作区域时，判断落入保护动作区域的差动电流二次谐波含量是否小于预设值，如果是，则启动差动保护，否则，提取落入保护动作区域的差动电流的直流量和基波，并判断直流量和基波是否满足|Iddc(k)|＞k|Id1(k)|，若满足，则启动差动保护，否则，封锁差动保护。本申请提供的方法及装置提高了特高压换流变差动保护动作的可靠性。
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