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公开(公告)号：CN209088495U
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201821414611.0
申请日：2018-08-30
申请人： 国家电网公司 , 国网山西省电力公司长治供电公司
IPC分类号： H02G7/16
摘要： 本实用新型公开了一种变电站带电除冰装置，属于变电站安全领域；所要解决的技术问题是提供了一种安全系数高，绝缘性能好，不会损坏瓷瓶的带电除冰装置；解决该技术问题采用的技术方案为：一种变电站带电除冰装置，包括电机，绝缘传动杆，除冰装置，绝缘传动杆一端与电机相连，一端与除冰装置相连，绝缘传动杆包括绝缘外套筒和传动轴，传动轴位于绝缘外套筒内，传动轴与电机的输出轴连接，除冰装置包括绝缘旋转盘和除冰棒，传动轴与绝缘旋转盘相连，绝缘旋转盘上设置有除冰棒；本实用新型可广泛应用于变电站安全领域。
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公开(公告)号：CN207766888U
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201721906673.9
申请日：2017-12-29
申请人： 国家电网公司 , 国网山西省电力公司长治供电公司
摘要： 一种变电站电容器设备带电除草装置，属于除草装置技术领域；所要解决的技术问题是提供一种无需停电即可清理变电站电容区内杂草的除草装置；采用的技术方案为：绝缘传动杆的一端与电机连接，另一端与旋转打草装置连接，固定滚轮安装在旋转打草装置上；绝缘传动杆的结构为：传动轴位于绝缘外套筒内，传动轴与电机的输出轴连接；旋转打草装置的结构为：传动连接装置的输入端与所述传动轴连接，传动连接装置通过内部的锥齿轮传动将传动轴的水平旋转转变为垂直旋转，传动连接装置的输出端与绝缘旋转盘固定在一起，绝缘旋转盘为重叠设置的两个转盘，绝缘线条由两个转盘夹紧且两端均露出转盘外；本实用新型适用于变电站电容器设备带电除草。
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公开(公告)号：CN105609481B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201510967719.7
申请日：2015-12-21
摘要： 本发明提供一种新型封装及其制造方法，所述封装包括同平面设置的pad区域(11)、以所述pad区域(11)为中心的发射状压焊条(12)和所述pad区域(11)外的环状压焊条(13)，以及所述pad区域(11)、所述发射状压焊条(12)和所述环状压焊条(13)的拉线。所述制造方法包括：1)制作含有pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的压焊模型；2)螺旋缠绕pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的拉线形成引线。本发明新型封装的网状压焊结构有助于电流的扩展，大大缓解由于电流扩展延迟造成的中心pad区电流聚集问题，有助于提高器件性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN108257858B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201611231185.2
申请日：2016-12-28
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网江苏省电力公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/762 , H01L29/78
摘要： 本发明提供了一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件，所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，在其外延层的上表面形成牺牲氧化层；对牺牲氧化层进行腐蚀，直至完全去除外延层上的牺牲氧化层；对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理，形成光滑的钝化表面；在光滑的钝化表面上依次淀积Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层，并对Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层构成的叠层结构进行退火，形成高k栅介质层。与现有技术相比，本发明提供的一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件，能够减少SiC/SiO2界面处的因杂质和/或表面晶格缺陷造成的界面缺陷，提高栅介质层的耐压能力。
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公开(公告)号：CN108257859B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201611238004.9
申请日：2016-12-28
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网江苏省电力公司
摘要： 本发明提供了一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件，所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，在其外延层的上表面形成牺牲氧化层；对牺牲氧化层进行腐蚀，直至完全去除外延层上的牺牲氧化层；对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理，形成光滑的钝化表面；对碳化硅外延片依次进行高温干氧氧化和磷气氛下退火，在光滑的钝化表面上形成栅氧化层。与现有技术相比，本发明提供的一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件，能够减少SiC/SiO2界面处的因杂质和/或表面晶格缺陷造成的界面缺陷。
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公开(公告)号：CN105486985B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610024797.8
申请日：2016-01-14
申请人： 国网山东省电力公司青岛供电公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G01R31/08
摘要： 本发明公开了一种电网故障点定位方法及装置，其中该方法包括如下步骤：获取发生故障时故障线路的基准电压、流经保护装置的短路电流一次值和故障相数；根据基准电压和短路电流一次值，计算发生故障时短路容量S故障；判断S故障是否小于预设值；当S故障小于预设值时，根据故障相数，计算线路故障点短路阻抗；根据线路故障点短路阻抗获得故障点位置。本发明可快速定位故障点区间范围，帮助抢修人员快速锁定故障点范围，有效缩短中压电网故障查找时间，确保故障得到快速处置。
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公开(公告)号：CN107368115A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710559672.X
申请日：2017-07-01
申请人： 国网山东省电力公司德州市陵城区供电公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G05D23/19
CPC分类号： G05D23/1931
摘要： 本发明公开了一种电力调度室室内智能管理系统，包括液晶屏、输入模块、电源模块、温度检测模块、气体检测模块、电子开关、核心控制器、换气扇、物联网网关、继电器模块、加热管、制冷器和声光报警器，所述温度检测模块连接第一A/D转换器的信号输入端。本发明电力调度室室内智能管理系统能够对配电机房的温度和有害气体浓度信息进行实时采集，并采取相应的设备对气体参数和温度数值进行控制，同时还具有定时换气和远程报警的功能，还设有稳定的供电模块，因此具有稳定性强、智能程度高和功能多样的优点。
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公开(公告)号：CN106298469A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510240443.2
申请日：2015-05-13
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/872
摘要： 一种SiC JBS器件的离子注入方法，该法包括：在第二种导电类型碳化硅衬底的上表面淀积注入掩膜；用光刻胶保护不进行离子注入的区域，刻蚀注入掩膜，曝露出衬底上需要进行离子注入的区域；继续刻蚀碳化硅衬底，形成刻蚀凹槽；去除光刻胶；注入第一种导电类型离子，形成SiC JBS器件电极下的第一种导电类型离子注入区。该方法在离子注入能量相同的情况下，增大了SiC JBS器件电极下离子注入的深度，提高了器件的反向击穿电压，同时使注入的第一种导电类型区与第二种导电类型SiC衬底的接触面积增大，一定程度上增大了电流密度，提高了器件性能，且工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN106298468A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510240413.1
申请日：2015-05-13
申请人： 国网智能电网研究院 , 国家电网公司国网浙江省电力公司
IPC分类号： H01L21/04
CPC分类号： H01L21/046 , H01L21/0475
摘要： 本发明公开了一种SiC器件终端结构的制作方法，该法包括：在第一种导电类型离子3注入时，首先刻蚀注入掩膜2，形成刻蚀窗口，再刻蚀第二种导电类型的SiC衬底1，形成刻蚀凹槽，接着进行第一种导电类型离子3注入，形成SiC器件终端结构中第一种导电类型注入区4，该方法在采用较低离子注入能量的情况下，增大了SiC器件终端结构中离子注入区的深度，提高了器件的反向击穿电压，提高了器件性能，且工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN106291264A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510240582.5
申请日：2015-05-13
摘要： 本发明提供了一种电力电子芯片的高压检测装置和高压检测方法，该装置的探针台的台面上放置有导电盘，导电盘内盛装有高度高于电子电力芯片的厚度的隔离剂；该方法包括烘烤待测的电力电子芯片，并将其放置在检测用仪器的探针台上浸入到隔离剂中，然后施加高电压进行高压检测，检测完成后将电力电子芯片从隔离剂中取出并烘烤。本发明提供的技术方案简单且易于实现，其避免了高压检测过程中打火现象的发生，同时也有效的保护了待测的电力电子芯片，使其不被损毁；同时保证了高压检测的顺利开展；该检测装置及检测方法有效且可靠，提高了电力电子芯片的检测结果的准确性。
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