一种新型封装及其制造方法

    公开(公告)号:CN105609481B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN201510967719.7

    申请日:2015-12-21

    IPC分类号: H01L23/49 H01L21/48

    摘要: 本发明提供一种新型封装及其制造方法,所述封装包括同平面设置的pad区域(11)、以所述pad区域(11)为中心的发射状压焊条(12)和所述pad区域(11)外的环状压焊条(13),以及所述pad区域(11)、所述发射状压焊条(12)和所述环状压焊条(13)的拉线。所述制造方法包括:1)制作含有pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的压焊模型;2)螺旋缠绕pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的拉线形成引线。本发明新型封装的网状压焊结构有助于电流的扩展,大大缓解由于电流扩展延迟造成的中心pad区电流聚集问题,有助于提高器件性能的稳定性。

    一种新型封装及其制造方法

    公开(公告)号:CN105609481A

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201510967719.7

    申请日:2015-12-21

    IPC分类号: H01L23/49 H01L21/48

    CPC分类号: H01L23/49 H01L21/4889

    摘要: 本发明提供一种新型封装及其制造方法,所述封装包括同平面设置的pad区域(11)、以所述pad区域(11)为中心的发射状压焊条(12)和所述pad区域(11)外的环状压焊条(13),以及所述pad区域(11)、所述发射状压焊条(12)和所述环状压焊条(13)的拉线。所述制造方法包括:1)制作含有pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的压焊模型;2)螺旋缠绕pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的拉线形成引线。本发明新型封装的网状压焊结构有助于电流的扩展,大大缓解由于电流扩展延迟造成的中心pad区电流聚集问题,有助于提高器件性能的稳定性。

    一种新型封装
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205595324U

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201521074868.2

    申请日:2015-12-21

    IPC分类号: H01L23/49 H01L23/482

    摘要: 本实用新型提供一种新型封装,所述封装包括同平面设置的pad区域(11)、以所述pad区域(11)为中心的发射状压焊条(12)和所述pad区域(11)外的环状压焊条(13),以及所述pad区域(11)、所述发射状压焊条(12)和所述环状压焊条(13)的拉线。本实用新型的新型封装的网状压焊结构有助于电流的扩展,大大缓解由于电流扩展延迟造成的中心pad区电流聚集问题,有助于提高器件性能的稳定性。

    一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用

    公开(公告)号:CN105260517A

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201510622970.X

    申请日:2015-09-25

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明提供一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构,晶胞参数为:α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成,碳硅键长为所述模型上表面沿(0001)面向偏4°;所述模型以计算机辅助构建而成,方法步骤简单易行,其制作完全按照实际生产过程中对碳化硅表面的处理方法;本发明的4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型可应用于碳化硅氧化原理、碳化硅欧姆接触、碳化硅外延等碳化硅材料与其他材料界面研究中,较通常使用的无偏角原子模型更接近于实际应用,研究结果与实际情况更接近,更具有参考价值。