针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法

    公开(公告)号:CN108365847B

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201711483390.2

    申请日:2017-12-29

    IPC分类号: H03M1/14

    摘要: 本发明公开了一种针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法,所述电荷型SAR‑ADC包括LSB电容阵列,将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连,第一补偿电路的另一端接任意恒定电位,第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cdl'并联组成,通过调节第一补偿电路来调节SAR‑ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu,共L位,从低位到高位分别以2倍的关系递增,最高位电容值为2L‑1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时,则如下关系式成立:CLt=(2L‑1)·Cu+Cdl+Cdl'。所述针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度,特别适合高精度ADC的设计。

    针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法

    公开(公告)号:CN108365847A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201711483390.2

    申请日:2017-12-29

    IPC分类号: H03M1/14

    摘要: 本发明公开了一种针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法,所述电荷型SAR-ADC包括LSB电容阵列,将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连,第一补偿电路的另一端接任意恒定电位,第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cd'l并联组成,通过调节第一补偿电路来调节SAR-ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu,共L位,从低位到高位分别以2倍的关系递增,最高位电容值为2L-1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时,则如下关系式成立:CLt=(2L-1)·Cu+Cdl+Cd'l。所述针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度,特别适合高精度ADC的设计。

    RTC时钟频率温度补偿芯片

    公开(公告)号:CN110380724B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN201910682065.1

    申请日:2019-07-26

    IPC分类号: H03L1/02 G06F1/14

    摘要: 本发明公开了一种RTC时钟频率温度补偿芯片,用于对晶体振荡器由于温度变化所引起的频率漂移进行补偿,RTC时钟频率温度补偿芯片包括:温度传感器、随机存储器、RTC电路。温度传感器用于检测环境温度,生成温度信号;随机存储器与温度传感器相连,其用于存储修调数据表,该修调数据表中存储了多个温度信号下所对应的频率校正值,随机存储器还用于根据温度传感器的温度信号索引出相应的频率校正值;RTC电路与晶体振荡器以及随机存储器均相连,用于根据随机存储器输出的频率校正值对晶体振荡器的频率进行校正。该RTC时钟频率温度补偿芯片能够降低对晶体振荡器的选型要求,以及降低片上的温度传感器的测温误差精度要求。

    多功能网线剥线装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113809693A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202110889506.2

    申请日:2021-08-04

    IPC分类号: H02G1/12

    摘要: 本发明涉及网络安装施工辅助设备技术领域,是一种多功能网线剥线装置,其包括上把手、下把手、铰接轴、第一刀片、第二刀片和理线模块、第三刀片、第四刀片、上止过台和下止过台;上把手和下把手的左部通过铰接轴铰接在一起。本发明结构合理而紧凑,利用第一刀片和网线槽剥除网线外皮,经理线模块和第二刀片修剪出来的线芯长度一致整齐且与水晶头内安装线芯位置的长度相匹配,能保证线芯被水晶头压制牢固避免接触不良;同时位于水晶头内的网线外皮也能够被水晶头内的卡口卡住,从而使网线外皮能承受绝大部分拉力,延长网线的使用寿命,避免浪费材料,第三刀片、第四刀片用于剥除电话线的外皮,便于安装时需要处理电话线的情况。

    低温漂基准源的实现装置

    公开(公告)号:CN110515417A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910882730.1

    申请日:2019-09-18

    IPC分类号: G05F1/625

    摘要: 本发明公开了一种低温漂基准源的实现装置,包括:自加热模块,用于在温度控制信号的控制下对局部电路进行加热;低温漂基准电路,与所述自加热模块相连接,用于输出供外部模块使用的极低温漂参考电压VREF以及极低温漂参考电流IREF;以及温度检测模块,与所述低温漂基准电路相连接,用于检测所述低温漂基准电路的温度,并根据检测的温度发出温度控制信号,使所述低温漂基准电路的环境温度在所述预设区间的范围内。本发明提供的低温漂基准源的实现装置,使低温漂基准电路基本不受外界温度影响,降低了温度系数对电路的影响,且不提高电路的复杂度。

    高电源抑制比的超低功耗电源结构

    公开(公告)号:CN108762359B

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201711483345.7

    申请日:2017-12-29

    IPC分类号: G05F1/56

    摘要: 本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构,包括:第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandgap模块、第二Bandgap模块以及切换电路;其中,第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压,第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压;第一Bandgap模块工作在主电源电压下,第二Bandgap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源,切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及第一电平转换电路,切换电路能够将上电启动时由第一Bandgap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandgap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好,从结构上优化了PSRR性能,并且显著降低了系统的功耗,实现了低功耗目标值。