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公开(公告)号：CN117529657A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280042317.4
申请日：2022-06-17
申请人： 三菱综合材料株式会社 , 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学
IPC分类号： G01N27/414
摘要： 本发明的传感器具有第一电极(21)、第二电极(22)、第三电极(23)、连接所述第一电极(21)和所述第二电极(22)的半导体膜(24)以及包覆所述第一电极(21)、所述第二电极(22)及所述半导体膜(24)的固体电解质被膜(25)，所述固体电解质被膜(25)具有暴露于外部的暴露面(25a)，所述第3电极(23)配置于当所述固体电解质被膜(25)的所述暴露面(25a)与导电液(Lq)接触时能够通过所述导电液(Lq)向所述固体电解质被膜(25)的所述暴露面(25a)施加电场的位置。
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公开(公告)号：CN114846624A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080087470.X
申请日：2020-12-18
申请人： 三菱综合材料株式会社 , 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学
IPC分类号： H01L29/786 , G01N33/483 , G01N33/53 , G01N33/552 , G01N27/414
摘要： 该晶体管传感器具有：基板；沟道层，设置于所述基板的一个面上；及固体电解质层，设置于所述基板与所述沟道层之间或所述沟道层的与所述基板侧相反的一侧的面上，所述沟道层包含无机半导体，所述固体电解质层包含无机固体电解质，所述晶体管传感器具备暴露部，所述暴露部通过所述沟道层及所述固体电解质层中的任一个或这两个的至少一部分暴露于外部而形成。
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公开(公告)号：CN108352443B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201680049774.0
申请日：2016-08-26
申请人： 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： H01L41/43 , H01L41/318 , H01L21/316 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L41/187
摘要： 本发明包括下述的工序：涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序；将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序；对已干燥的膜在含氧气氛下以150～200℃的温度进行紫外线照射的工序；以及，将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后，在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温，并保持于400～500℃的温度，由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中，设定液体组合物的每1次的涂布量，使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上，且在紫外线照射时供给臭氧。
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公开(公告)号：CN108352443A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680049774.0
申请日：2016-08-26
申请人： 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： H01L41/43 , H01L41/318 , H01L21/316 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L41/187
CPC分类号： H01L41/43 , H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L41/187 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/318
摘要： 本发明包括下述的工序：涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序；将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序；对已干燥的膜在含氧气氛下以150～200℃的温度进行紫外线照射的工序；以及，将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后，在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温，并保持于400～500℃的温度，由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中，设定液体组合物的每1次的涂布量，使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上，且在紫外线照射时供给臭氧。
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公开(公告)号：CN100567964C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200580009515.7
申请日：2005-03-25
申请人： 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学
IPC分类号： G01N21/71
摘要： 在以绝缘性材料形成的流道上设置剖面面积比该流道的剖面面积小得多的狭小部，在向该流道和狭小部中注满导电性液体之后，向该狭小部施加电场以使电场通过上述狭小部，在上述狭小部生成等离子体的等离子体生成方法和元素分析方法。在以绝缘性材料形成的流道上设置剖面面积比该流道的剖面面积小得多的狭小部，并设置用来向上述狭小部施加电场以使电场通过该狭小部的单元的等离子体生成装置和具有上述等离子体生成装置的发光光谱分析装置。
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公开(公告)号：CN1942755A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580009515.7
申请日：2005-03-25
申请人： 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学
IPC分类号： G01N21/71
摘要： 在以绝缘性材料形成的流道上设置剖面面积比该流道的剖面面积小得多的狭小部，在向该流道和狭小部中注满导电性液体之后，向该狭小部施加电场以使电场通过上述狭小部，在上述狭小部生成等离子体的等离子体生成方法和元素分析方法。在以绝缘性材料形成的流道上设置剖面面积比该流道的剖面面积小得多的狭小部，并设置用来向上述狭小部施加电场以使电场通过该狭小部的单元的等离子体生成装置和具有上述等离子体生成装置的发光光谱分析装置。
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