公开(公告)号：CN108352443A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680049774.0

申请日：2016-08-26

申请人： 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  三菱综合材料株式会社

发明人： 田头裕己 ,  志村礼司郎 ,  高村禅 ,  李金望 ,  下田达也 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸

IPC分类号： H01L41/43 ,  H01L41/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/43 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  H01L41/318

摘要： 本发明包括下述的工序：涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序；将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序；对已干燥的膜在含氧气氛下以150～200℃的温度进行紫外线照射的工序；以及，将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后，在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温，并保持于400～500℃的温度，由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中，设定液体组合物的每1次的涂布量，使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上，且在紫外线照射时供给臭氧。

公开(公告)号：CN108352443B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201680049774.0

申请日：2016-08-26

申请人： 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  三菱综合材料株式会社

发明人： 田头裕己 ,  志村礼司郎 ,  高村禅 ,  李金望 ,  下田达也 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸

IPC分类号： H01L41/43 ,  H01L41/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/187

摘要： 本发明包括下述的工序：涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序；将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序；对已干燥的膜在含氧气氛下以150～200℃的温度进行紫外线照射的工序；以及，将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后，在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温，并保持于400～500℃的温度，由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中，设定液体组合物的每1次的涂布量，使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上，且在紫外线照射时供给臭氧。

公开(公告)号：CN103359785A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310085165.9

申请日：2013-03-18

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC分类号： C01G25/00 ,  C04B35/622 ,  C04B35/491

CPC分类号： H01B13/06 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L28/55 ,  H01L29/78391 ,  H01L37/025 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  H03H9/02574 ,  Y10T428/265

摘要： 本发明提供一种PZT系铁电薄膜的制造方法和PZT系铁电薄膜。该PZT系铁电薄膜的制造方法，在具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布PZT系铁电薄膜用组合物进行临时烧结之后，烧成而结晶化来在下部电极上制造PZT系铁电薄膜时，将PZT系铁电薄膜形成用组合物以CSD法涂布形成于下部电极表面上的溶胶膜，使用红外线且通过温度模式稳定地进行临时烧结，该温度模式包括：第1保持阶段，从室温等预定温度升温而保持在200℃～350℃的范围内的温度；和第2保持阶段，从第1保持阶段的保持温度升温而保持在比第1保持阶段的保持温度更高的350℃～500℃的范围内的温度。

公开(公告)号：CN102315025A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110178384.2

申请日：2011-06-29

申请人： 三菱综合材料株式会社 ,  意法半导体公司

发明人： 樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸 ,  G.古伊干

IPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/06 ,  H01G4/14 ,  H01G4/005

CPC分类号： H01L28/60 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/01 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： 一种薄膜电容器，其特征在于，形成下电极、将组合物涂覆至下电极上而没有进行温度高于300℃的退火过程、在从环境温度至500℃的预定温度下干燥，并且在500至800℃且高于干燥温度的预定温度下煅烧。从涂覆至煅烧的过程进行一次或至少两次，或者从涂覆至干燥的过程进行至少两次，然后煅烧进行一次。在第一次煅烧之后形成的电介质薄膜的厚度为20至600nm。下电极的厚度和在初次煅烧步骤之后形成的电介质薄膜的厚度之比（下电极厚度/介电薄膜厚度）优选为0.10至15.0。

公开(公告)号：CN103964838A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410035537.1

申请日：2014-01-24

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 藤井顺 ,  渡边敏昭 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/622

CPC分类号： H01G4/1227 ,  H01B3/12 ,  H01G4/33

摘要： 本发明提供一种在薄膜电容器等中能够提高泄漏电流特性的介电薄膜形成用组合物、以及介电薄膜的形成方法。在用于形成由钛酸锶钡即BST系复合钙钛矿膜构成的介电薄膜的介电薄膜形成用组合物中掺杂着Al即铝。并且，Al即铝相对于包含在上述组合物中的钙钛矿A位原子100原子%的掺杂量在0.1原子%以上15原子%以下范围。

公开(公告)号：CN103130502A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110375437.X

申请日：2011-11-23

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 野口毅 ,  樱井英章 ,  藤井顺 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622

摘要： 本发明提供了一种能够提高寿命可靠性的铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器。本发明的铁电薄膜采取如下形态，即由选自包括Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs的组中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物以某种恒定比例混合在由(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中，0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9)所示的复合金属氧化物中的混合复合金属氧化物的形态，其中，层叠2～23层的烧成层而构成，烧成层的厚度t为45～500nm，烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均x为200～5000nm，烧成层均满足1.5t＜x＜23t的关系。

公开(公告)号：CN102790169A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210151102.4

申请日：2012-05-15

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 渡边敏昭 ,  樱井英章 ,  曽山信幸 ,  土井利浩

IPC分类号： H01L41/22 ,  H01L21/24 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L21/02197 ,  B05D3/0254 ,  B05D5/00 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28291 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/319 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

摘要： 本发明提供一种不设置晶种层、缓冲层，就能够简便地得到晶体取向被择优控制为（100）面的铁电薄膜的铁电薄膜的制造方法。通过在具有晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布铁电薄膜形成用组合物，进行加热使其结晶，从而在下部电极上制造铁电薄膜，该该制造方法中，铁电薄膜包含晶体取向被择优控制为（100）面的取向控制层，将取向控制层的结晶后的层厚设在35nm～150nm的范围内来形成。

公开(公告)号：CN102473625A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029671.0

申请日：2010-04-21

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 曾山信幸 ,  渡边敏昭 ,  樱井英章

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02087 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282

摘要： 本发明将以混合重量比计含有50∶50～0∶100选自β‐二酮类、β‐酮酸酯类、多元醇类、羧酸类、烷醇胺类、α‐羟基羧酸、α‐羟基羰基衍生物和腙衍生物中的1种或2种以上的有机溶剂与水的CSD涂布膜除去用液喷射或滴加至CSD法中热处理前的基板外周端部，将涂布膜除去、并防止颗粒的发生而不会发生裂纹或局部剥离的情况。

公开(公告)号：CN103177797B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201210552098.2

申请日：2012-12-18

申请人： 三菱综合材料株式会社 ,  意法半导体公司

发明人： 渡边敏昭 ,  樱井英章 ,  曽山信幸 ,  纪尧姆·盖冈

IPC分类号： H01B3/02 ,  H01B19/00

CPC分类号： C09D5/00 ,  H01B3/10 ,  H01G4/33

摘要： 本发明提供了一种混合的复合金属氧化物形式的用于形成薄膜的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1‑xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，其中，复合氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范围内，且复合氧化物C与复合金属氧化物A的摩尔比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范围内。

公开(公告)号：CN103360062B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310069009.3

申请日：2013-03-05

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/624

CPC分类号： H01L41/1876 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1291

摘要： 本发明提供一种铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液和铁电薄膜的形成方法。在形成PZT系铁电薄膜时，能够将通过溶胶-凝胶法涂布一次形成的一层涂得较厚，并且，能够在临时烧结、烧成之后使PZT膜为无龟裂且致密的膜结构。铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液含有PZT系化合物、含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用高分子化合物及含甲酰胺系溶剂的有机掺杂剂，以氧化物换算计含17质量%以上的PZT系化合物，以单体换算计聚乙烯吡咯烷酮相对所述PZT系化合物的摩尔比为PZT系化合物:聚乙烯吡咯烷酮=1:0.1～0.5，所述溶胶-凝胶液中含3质量%～13质量%的甲酰胺系溶剂，从而能够使涂布一次形成的一层增厚，谋求提高生产效率且临时烧结、烧成之后也可实现无龟裂且紧密的成膜。