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公开(公告)号：CN113882020A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110740713.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶化被抑制并且生长速度快的III族氮化物晶体的制造方法。III族氮化物晶体的制造方法包括：准备种基板的工序、生成III族元素氧化物气体的工序、供给III族元素氧化物气体的工序、供给含氮元素气体的工序、供给含氮元素氧化性气体的工序、以及使III族氮化物晶体在种基板上生长的工序，含氮元素氧化性气体包含选自NO气体、NO2气体、N2O气体和N2O4气体中的至少一种。
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公开(公告)号：CN111519247A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010078270.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制多晶化且提高III族氮化物结晶的品质的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：准备种基板的工序；以及以过饱和比(P0/Pe)成为大于1且为5以下的方式，供给III族元素氧化物气体和含氮元素的气体，从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序，P0为III族氧化物气体的供给分压，Pe为III族氧化物气体的平衡分压。
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公开(公告)号：CN110714190A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910617944.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种低电阻且可控制晶格常数的III族氮化物基板。III族氮化物基板具有III族氮化物的基材部，所述III族氮化物的基材部具有表面、背面、和在表面与背面之间的内层，基材部的表面的碳浓度比内层的碳浓度高。III族氮化物结晶的制造方法中，从III族氮化物结晶的生长初期至生长中期，使III族元素氧化物气体与生长后期相比高浓度地生成，并高浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体高浓度地供给至育成室，在III族氮化物结晶的生长后期，使III族元素氧化物气体与生长初期至生长中期相比低浓度地生成，并低浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体低浓度地供给至育成室。
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公开(公告)号：CN113808926A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110645250.0
申请日：2021-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和氢元素，N型掺杂剂的浓度为1×1020cm‑3以上，氢元素的浓度为1×1019cm‑3以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113802185A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110645249.8
申请日：2021-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和锗元素，N型掺杂剂的浓度为1×1019cm‑3以上，锗元素的浓度为N型掺杂剂的浓度的9倍以上。
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公开(公告)号：CN112053941A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010497317.6
申请日：2020-06-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 一种III族氮化物半导体晶体的制造装置具备：原料反应室；原料反应部，设置于原料反应室内，并生成含III族元素气体；基板保持构件，保持基板；原料喷嘴，朝向基板喷射含III族元素气体；氮源喷嘴，朝向基板喷射含氮元素气体，从与铅垂方向垂直的方向的侧面观察时，喷射方向在与基板相比的近前方与原料喷嘴的喷射方向交叉，以相交叉的位置为中心在所述中心的周边构成含III族元素气体与含氮元素气体进行混合的混合部；加热单元，用于将原料反应室、原料喷嘴、氮源喷嘴和基板保持构件进行加热；以及旋转机构，用于将基板保持构件进行旋转。
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公开(公告)号：CN111519247B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010078270.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下控股株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制多晶化且提高III族氮化物结晶的品质的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：准备种基板的工序；以及以过饱和比(P0/Pe)成为大于1且为5以下的方式，供给III族元素氧化物气体和含氮元素的气体，从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序，P0为III族氧化物气体的供给分压，Pe为III族氧化物气体的平衡分压。
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公开(公告)号：CN112635543A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011005460.5
申请日：2020-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种在实现高载流子浓度的同时、位错低且电阻低的III族氮化物基板。III族氮化物基板在经过研磨的面内，具有显示第1杂质浓度的第1区域和显示低于第1杂质浓度的第2杂质浓度的第2区域，第1区域的第1位错密度低于第2区域的第2位错密度。
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公开(公告)号：CN110714190B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910617944.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下控股株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种低电阻且可控制晶格常数的III族氮化物基板。III族氮化物基板具有III族氮化物的基材部，所述III族氮化物的基材部具有表面、背面、和在表面与背面之间的内层，基材部的表面的碳浓度比内层的碳浓度高。III族氮化物结晶的制造方法中，从III族氮化物结晶的生长初期至生长中期，使III族元素氧化物气体与生长后期相比高浓度地生成，并高浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体高浓度地供给至育成室，在III族氮化物结晶的生长后期，使III族元素氧化物气体与生长初期至生长中期相比低浓度地生成，并低浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体低浓度地供给至育成室。
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