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公开(公告)号：CN113882020A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110740713.1
申请日：2021-06-30
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供一种多晶化被抑制并且生长速度快的III族氮化物晶体的制造方法。III族氮化物晶体的制造方法包括：准备种基板的工序、生成III族元素氧化物气体的工序、供给III族元素氧化物气体的工序、供给含氮元素气体的工序、供给含氮元素氧化性气体的工序、以及使III族氮化物晶体在种基板上生长的工序，含氮元素氧化性气体包含选自NO气体、NO2气体、N2O气体和N2O4气体中的至少一种。
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公开(公告)号：CN110387581A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910296956.3
申请日：2019-04-12
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供一种得到抑制装置的腐蚀、并且抑制冷却中的由基底基板对III族氮化物单晶的应力的III族氮化物单晶的III族氮化物结晶的制造方法。一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：(i)准备将蓝宝石作为基底基板且在所述基底基板上设置有III族氮化物层的种基板的工序；(ii)在由钽构成的盛具中准备锂或锂化合物的工序；(iii)使用III族元素与碱金属的混合熔液，使III族氮化物结晶生长于设置于种基板的III族氮化物层的工序；和(iv)将锂或锂化合物投入混合熔液，使其与基底基板反应的工序。
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公开(公告)号：CN1938458A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010595.8
申请日：2005-03-31
申请人： 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC分类号： C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
摘要： 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
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公开(公告)号：CN107523876B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710445532.X
申请日：2017-06-13
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。
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公开(公告)号：CN110468455A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910386973.6
申请日：2019-05-09
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供一种结晶中的氧杂质少的III族氮化物结晶的制造方法。本发明的III族氮化物结晶的制造方法是使用容纳碱金属、含III族元素的原料、种基板(11)的坩埚；容纳坩埚的反应容器；容纳反应容器(15)的压力容器；将含氮元素气体和/或氩气导入至压力容器的气体供给管；将压力容器密封的盖；将反应容器加热的加热器；用于将加热器和反应容器绝缘的绝缘材料；防止反应容器内的热泄露的绝热材料来制造III族氮化物结晶的方法，具有以下工序：将盖与所述压力容器分离，将反应容器容纳于压力容器内，用盖将压力容器密封后，将氩气填充于压力容器内的工序；将氩气加热并保持的工序；将经加热的氩气从压力容器排出的工序；和将含氮元素气体导入压力容器内，使碱金属与含III族元素的原料发生反应从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序。
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公开(公告)号：CN110219047A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910135561.5
申请日：2019-02-21
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供一种表面平坦、高品质且大尺寸的III族氮化物结晶的制造方法，其包括：在基板上准备作为种晶的多个III族氮化物的种晶准备工序；以及，通过在包含氮气的气氛下使种晶的表面接触包含碱金属和选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素的熔液，从而使上述III族元素与上述氮在熔液中发生反应，使III族氮化物结晶生长的结晶生长工序，结晶生长工序包括：由多个种晶分别生长截面为三角形或梯形的多个第一III族氮化物结晶的第一结晶生长工序；使第二III族氮化物结晶在多个第一III族氮化物结晶的间隙中生长的第二结晶生长工序。
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公开(公告)号：CN107523876A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710445532.X
申请日：2017-06-13
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。
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公开(公告)号：CN1922345A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
申请人： 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC分类号： C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
摘要： 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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公开(公告)号：CN111593400A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010103889.1
申请日：2020-02-20
申请人： 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
摘要： 本发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题，本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；晶体生长工序，在包含氮的环境下，使籽晶的表面接触包含从镓、铝、及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液，来使III族氮化物晶体生长。在所述籽晶准备工序中，将多个籽晶配置于在基板上设置的六边形区域内部。
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公开(公告)号：CN111519247A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010078270.X
申请日：2020-02-03
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供一种抑制多晶化且提高III族氮化物结晶的品质的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：准备种基板的工序；以及以过饱和比(P0/Pe)成为大于1且为5以下的方式，供给III族元素氧化物气体和含氮元素的气体，从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序，P0为III族氧化物气体的供给分压，Pe为III族氧化物气体的平衡分压。
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