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公开(公告)号：CN113882020A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110740713.1
申请日：2021-06-30
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供一种多晶化被抑制并且生长速度快的III族氮化物晶体的制造方法。III族氮化物晶体的制造方法包括：准备种基板的工序、生成III族元素氧化物气体的工序、供给III族元素氧化物气体的工序、供给含氮元素气体的工序、供给含氮元素氧化性气体的工序、以及使III族氮化物晶体在种基板上生长的工序，含氮元素氧化性气体包含选自NO气体、NO2气体、N2O气体和N2O4气体中的至少一种。
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公开(公告)号：CN111519247A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010078270.X
申请日：2020-02-03
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供一种抑制多晶化且提高III族氮化物结晶的品质的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：准备种基板的工序；以及以过饱和比(P0/Pe)成为大于1且为5以下的方式，供给III族元素氧化物气体和含氮元素的气体，从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序，P0为III族氧化物气体的供给分压，Pe为III族氧化物气体的平衡分压。
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公开(公告)号：CN113808926A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110645250.0
申请日：2021-06-09
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/223
摘要： 本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和氢元素，N型掺杂剂的浓度为1×1020cm‑3以上，氢元素的浓度为1×1019cm‑3以上。
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公开(公告)号：CN113802185A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110645249.8
申请日：2021-06-09
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和锗元素，N型掺杂剂的浓度为1×1019cm‑3以上，锗元素的浓度为N型掺杂剂的浓度的9倍以上。
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公开(公告)号：CN110714190A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910617944.6
申请日：2019-07-09
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种低电阻且可控制晶格常数的III族氮化物基板。III族氮化物基板具有III族氮化物的基材部，所述III族氮化物的基材部具有表面、背面、和在表面与背面之间的内层，基材部的表面的碳浓度比内层的碳浓度高。III族氮化物结晶的制造方法中，从III族氮化物结晶的生长初期至生长中期，使III族元素氧化物气体与生长后期相比高浓度地生成，并高浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体高浓度地供给至育成室，在III族氮化物结晶的生长后期，使III族元素氧化物气体与生长初期至生长中期相比低浓度地生成，并低浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体低浓度地供给至育成室。
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